貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 為各類電源應用提供更好的支持
2022年6月9日– 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線架構中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。
貿澤電子分銷的UF4C/SCSiC FET為設計人員提供了多種導通電阻和封裝選項。1200 V SiC FET的導通電阻 (RDS(on)) 值為23mΩ至70mΩ，可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關感性負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。
UF4C/SC系列所有器件都可以用標準的0V至12V或15V柵極驅動電壓安全驅動，從而在不改變柵極驅動電壓的情況下，成為硅IGBT、FET或超級結器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復特性和內置ESD柵極保護箝位。
如需更多信息，敬請訪問https://www.mouser.cn/new/unitedsic/unitedsic-uf4csc-1200v-gen4-sic-fets/。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電子元器件
+關注
關注
133文章
3342瀏覽量
105432 -
電源應用
+關注
關注
1文章
15瀏覽量
9754 -
貿澤電子
+關注
關注
16文章
1114瀏覽量
96616
發布評論請先 登錄
相關推薦
三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器
ROHM推出第四代1200V IGBT
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等應用，開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現了業界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IG
意法半導體第四代碳化硅功率技術問世
意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對
意法半導體發布第四代SiC MOSFET技術
意法半導體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術，標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術，在能效、功率密度和穩健性方面均樹立了新的市場標桿，將為汽車和工業市場帶
富士康，布局第四代半導體
能，為未來高功率電子元件開辟了新的可能性。 第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 因其優異的性能，被視為下一代半導體材料的代表。它擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場強 (8 MV/cm) 等特性，較現有的硅 (Si)、
capsense第四代和第五代在感應模式上的具體區別是什么？
和第五代似乎別無二致，我想知道是不是第四代capsense技術只是不能同時支持這三種模式，但是可以不同時支持？
發表于 05-23 06:24
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創新產品為通信、工業及
國民技術第四代可信計算芯片NS350投入量產
國民技術近日正式推出了其第四代可信計算芯片NS350 v32/v33系列，并已開始量產供貨。這款芯片是高性能、高安全性的TCM 2.0安全芯片，能夠滿足PC、服務器平臺和嵌入式系統等不同領域的需求。
Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
AMEYA360代理國民技術第四代可信計算芯片NS350正式投入量產
2024年4月18日，國民技術第四代可信計算芯片NS350 v32/v33系列產品正式發布并開始量產供貨。NS350 v32/
國民技術第四代可信計算芯片NS350正式投入量產
2024年4月18日，國民技術第四代可信計算芯片NS350v32/v33系列產品正式發布并開始量產供貨。NS350v32/
國民技術第四代可信計算芯片NS350正式投入量產！
2024年4月18日，國民技術第四代可信計算芯片NS350 v32/v33系列產品正式發布并開始量產供貨。NS350 v32/
蔚來汽車加速部署換電站，第四代站4月啟動
在今日的溝通會中，蔚來汽車首席執行官兼創始人李斌透露，近期部署進度放緩的主要原因為等待第四代換電站的交付，預計該站將于4月份啟動部署工作。
SK海力士擬將無錫C2工廠升級為第四代D-ram工藝，并引進EUV技術
Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環節中的部分工藝流程，隨后將芯片運回韓國總部利川園區進行EUV處理，最后送回無錫工廠進行后續操作。盡管第四代產品僅需一層使用EUV工藝，但公司仍認為增加的成本是合理可承受的。
工商網監
評論