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減小嵌入式SoC尺寸的解決方案

星星科技指導員 ? 來源:嵌入式計算設計 ? 作者:Kimkinyona Fox,Ravi ? 2022-06-14 15:06 ? 次閱讀

嵌入式微控制器和混合信號系統(tǒng)級芯片 (SoC) 市場在主流技術工藝節(jié)點上制造時顯示出強勁增長。混合信號市場價值近 300 億美元,約占 3000 億美元半導體產業(yè)的 10%,隨著新消費應用的出現(xiàn),這種增長將繼續(xù)。例如,觸摸屏技術和手機獨立存在多年。以智能手機形式出現(xiàn)的更好的人類用戶界面已經建立了一個三年前不存在的市場。

混合信號電路使我們的模擬“真實”世界能夠與其電子數(shù)字對應物進行交互。隨著嵌入式應用程序繼續(xù)達到更高的容量和更多的移動實施,設計人員正面臨著降低成本和降低功耗的問題。

嵌入式和混合信號設計的一個挑戰(zhàn)是大批量設計的成本敏感性。產品價格越低,可以采用該技術的潛在應用數(shù)量就越多。一種降低半導體成本的方法是在小工藝幾何形狀中制造。但在混合信號市場,開發(fā)者留在主流節(jié)點有幾個原因:

在半導體工藝中,模擬組件的擴展性不如數(shù)字組件。因此,縮放帶來的密度優(yōu)勢遠低于數(shù)字組件所獲得的優(yōu)勢。

大多數(shù)混合信號設備不具備數(shù)字設備的高速要求。許多混合信號設備的運行速度低于 100 MHz,因此無需快速轉移到下一個領先的工藝節(jié)點。

較舊的工藝技術穩(wěn)定,具有眾所周知的模擬特性。低風險和低成本使舊技術節(jié)點的制造更具吸引力。

嵌入式 SoC 設計人員必須尋找創(chuàng)新的解決方案來減小芯片尺寸,同時保持主流工藝技術。

嵌入式設計人員面臨的另一個挑戰(zhàn)是降低功耗。在 250 納米,代工廠沒有投資于降低動態(tài)和泄漏功率所需的工藝創(chuàng)新。某些應用程序需要額外的電源優(yōu)化以將電池壽命延長至 2-5 天,智能手機就是這種情況。一些醫(yī)療應用(例如起搏器)需要低功耗解決方案,以使電池能夠使用 5-10 年或更長時間。使用納米或皮安放大器可以最大限度地減少大范圍的手術,從而提高患者的生活質量。

無論應用程序處于電池壽命的極端還是處于中間狀態(tài),一個不變的因素是用戶在一次充電時需要更多的功能。嵌入式設計人員面臨的挑戰(zhàn)是在保持低風險的同時增加功能——在成熟的工藝節(jié)點上——并減少面積和功耗以增加功能和電池壽命差異化。

嵌入式處理器的功能創(chuàng)新

混合信號 SoC 要么包含一個低功耗微控制器,要么與一個獨立的微控制器一起工作,以執(zhí)行來自用戶的命令并處理中斷并提供傳入數(shù)據(jù)的讀數(shù)。ARM 提供一系列現(xiàn)代 32 位處理器,即 Cortex-M 系列,專為低功耗微控制器而設計。

為了滿足對附加功能的需求,這些處理器通過性能效率在給定的占用空間內提供更高的性能——更快地完成任務并因此減少活動周期的能力。性能優(yōu)勢源于 Cortex-M 執(zhí)行單周期 32 位算術和邏輯運算(包括單周期 32 位乘法)以及在單個指令中使用索引尋址執(zhí)行 8、16 或 32 位數(shù)據(jù)傳輸。 這大大降低了所需的處理器時鐘頻率,并提高了單條指令的性能。此外,它減少了程序存儲所需的內存和從內存中獲取程序所需的功率。

降低的時鐘頻率意味著更低的噪聲和更高精度的模擬,從而提高了器件的模擬傳感器能力。射頻應用也受益于電磁干擾的減少。這種效率提高了性能并提供了非常適合混合信號應用的低噪聲、高精度模擬操作。

降低制造風險和硅面積

從高效的處理器設計中增加功能是一個很好的開始,但嵌入式設計人員還需要減少 SoC 面積并保留低成本、低風險的工藝節(jié)點。為了滿足這一需求,越來越多的趨勢是向主流的 180 納米節(jié)點遷移。一些最激進的設計甚至以 110 納米技術節(jié)點為目標,以縮小芯片尺寸。有幾個因素促成了這一趨勢:

已有 12 年歷史的 180 納米技術足夠穩(wěn)定,從 250 納米技術遷移到 180 納米技術幾乎沒有風險。

250 nm 節(jié)點不提供增值非易失性存儲器組件,例如閃存和一次性可編程存儲器。

新興的利基工藝技術,如 180 超低泄漏 (ULL)、180 雙極 CMOS DMOS (BCD) 和 110 ULL,憑借其低動態(tài)和泄漏功率曲線非常適合嵌入式市場。

優(yōu)化物理 IP 以減少面積和功耗

面積減少直接導致芯片成本降低,再加上更低的功耗,可以實現(xiàn)更便宜的 SoC 封裝并降低整體系統(tǒng)成本。此外,較低的動態(tài)和泄漏功率延長了電池壽命。ARM 可通過在 ULL 工藝上實施的物理 IP 平臺降低芯片尺寸和功耗。

ULL 物理 IP 平臺包含一系列邏輯產品:九軌 SC9 高密度 (HD) 標準單元庫、無分接七軌 SC7 超高密度 (UHD) 標準單元庫和七軌SC7 超高清電源管理套件 (PMK)。該平臺包含全系列的存儲器編譯器,包括 HD SRAM寄存器文件和 ROM。與 SC9 HD 磁帶庫相比,SC7 UHD 磁帶庫通常可節(jié)省高達 30% 的面積(參見圖 1)。

圖 1: SC7 超高密度庫在 ARM Cortex-M0 上節(jié)省多達 30% 的面積。

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SC7 UHD 庫可以與互補的 SC7 UHD PMK 配對,只需增加少量邏輯面積,就可以顯著減少泄漏。例如,在實現(xiàn) Cortex-M0 時,使用 SC7 的泄漏比使用 SC9 低 12 倍。當使用 SC7 UHD 庫和 SC7 UHD PMK 實施時,Cortex-M0 的泄漏減少了高達 50 倍(參見圖 2)。

圖 2:使用 SC7 物理 IP 實現(xiàn)的 ARM Cortex-M 在睡眠模式泄漏方面最多可減少 50 倍。

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嵌入式和混合信號設計的未來

隨著創(chuàng)新的增加,嵌入式和混合信號市場將繼續(xù)增長,以增加功能和差異化,同時降低成本。通過在未來的嵌入式設備解決方案中提供無與倫比的設計和效率,高效的嵌入式處理器和物理 IP 將有助于這些市場的增長。

ARM 32 位處理器帶來更多功能和性能效率。在較小但風險仍然較低的工藝節(jié)點上實施的物理 IP 將保持較低的制造成本并減小裸片尺寸。ARM 的物理 IP 等優(yōu)化解決方案可顯著節(jié)省面積和漏電,從而降低總系統(tǒng)成本并延長電池壽命。

作者:Kimkinyona Fox,Raviraj Mahatme

審核編輯:郭婷

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