2022年6月10日，第十三屆無錫市專利獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)儀式在新吳區(qū)市場監(jiān)管局二樓會議室召開，華進(jìn)半導(dǎo)體憑借“一種采用CMP對以聚合物為介質(zhì)層的大馬士革工藝中銅沉積后的表面進(jìn)行平坦化處理的方法”專利獲評優(yōu)秀獎(jiǎng)。這是華進(jìn)半導(dǎo)體繼2019年獲評“第二十一屆中國專利獎(jiǎng)銀獎(jiǎng)”、“第十一屆江蘇省專利項(xiàng)目獎(jiǎng)優(yōu)秀獎(jiǎng)”之后榮獲的又一專利獎(jiǎng)項(xiàng)。

大馬士革工藝被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造中的銅線互連。常見的大馬士革工藝流程一般為在硅基板表面生成介質(zhì)層，然后刻蝕深孔，生成阻擋層，利用PVD的方法在深孔里沉積銅。而應(yīng)用于TSV轉(zhuǎn)接板中的大馬士革工藝稍有不同，先用PVD生成銅種子層，再通過銅電鍍工藝填滿刻蝕孔。大馬士革工藝最后都需要應(yīng)用CMP去除表面的銅露出介質(zhì)層完成銅導(dǎo)線的制作。

目前常見的介質(zhì)層都是通過CVD生成的氧化物層，其工藝技術(shù)相對成熟，表面均勻性好，內(nèi)部空谷易于控制，但成本高。而以聚合物為介質(zhì)層的多重大馬士革工藝由于聚合物表面平整度較差，因此只能應(yīng)用于大尺寸線寬的多重布線技術(shù)（RDL），無法實(shí)現(xiàn)小線寬高密度集成的產(chǎn)品要求。

此次，華進(jìn)半導(dǎo)體參評專利所提出的一種采用CMP對以聚合物為介質(zhì)層的大馬士革工藝中銅沉積后的表面進(jìn)行平坦化處理的方法，發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種采用CMP對以聚合物為介質(zhì)層的大馬士革工藝中銅沉積后的表面進(jìn)行平坦化處理的方法。