此圖是射頻放大電路的示意圖。該電路將射頻信號放大10倍左右，輸入功率為100mW，輸出功率為1.3W。它使用一個通用的NPN射頻晶體管2SC1970。您可以應(yīng)用其他晶體管，例如 2N442。

電路原理圖：

電路工程：

射頻系統(tǒng)，特別是射頻放大器，該電路對于擁有穩(wěn)定的電源并確保您不會在電源線上得到任何射頻非常重要。電容器 C12 和 C13 將穩(wěn)定直流電源。L1、C10、C11 和 L3 與 C8、C9 也將避免射頻泄漏到電力線并觸發(fā)振蕩或干擾。L1 和 L3 需要鐵氧體扼流圈或電感約為 1 到 10 uH。

晶體管 Q1 將充當(dāng)緩沖放大器，僅僅是因為我們不希望前級負(fù)載過多。

輸入 RF 信號通過 C1 和 F1，這是一個小的鐵氧體珍珠，電線剛剛穿過。

F1 與 C2 將作為 Q1 的阻抗匹配。

F1 可以用線圈代替 L4，但在測試過程中，發(fā)現(xiàn)鐵氧體磁珠具有最有效的性能。

L2 不是重要組件，任何 2-10uH 的線圈都足夠了。Q1 將輸入信號從 50mW 放大到大約 200mW。

Q1 可以放大更多，但它不必這樣做，因為 200mW 對最終晶體管來說已經(jīng)足夠了。

如果您需要更多功率，您可以減小電阻 R2 的值。

當(dāng)您查看 Q2 時，您還會在基極到發(fā)射極處看到一個鐵氧體珠 F2。這種鐵氧體珠的作用是將直流電壓設(shè)置為零并為射頻信號提供高阻抗。我在這個小的鐵氧體珍珠周圍纏繞了 4 次電線。您可以將其替換為 1uH 或更多的線圈。

C4、C5和L4構(gòu)成晶體管的輸入匹配單元。我們對此無能為力嗎？

在最后一個晶體管 Q2 的輸出端，您會發(fā)現(xiàn)兩個線圈 L5 和 L6。它們與 C6 和 C7 一起構(gòu)成天線和晶體管的阻抗單元。

PCB布局設(shè)計：

電路筆記：

您可以使用其他功率晶體管如 2SC1971 （6W） 以獲得更高的輸出功率。

1.3W 仍會使您的射頻信號相當(dāng)遠(yuǎn)，您建議使用一個 50 歐姆的實心電阻作為虛擬負(fù)載。確保它可能需要 5-10W 以防止電阻器虛擬負(fù)載過熱。

在測試過程中你必須使用天線或 50 歐姆的虛擬電阻，沒有輸出負(fù)載意味著晶體管被燒毀。