晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關應用。然而,它們具有顯著不同的特征。
雙極結型晶體管 (BJT)雙極結型晶體管,通常稱為 BJT,從結構上看,就像兩個背靠背連接的 pn 結二極管。BJT由三個端子組成,即發射極(Emitter,E)、基極(Base,B)和集電極(Collector,C)。雙極結型晶體管根據結構,雙極結型晶體管分為 NPN 和 PNP 晶體管。在 NPN 晶體管中,薄薄的一層 p 型半導體夾在兩個 n 型半導體之間,而在 PNP 晶體管中,薄薄的一層 n 型半導體夾在兩個 p 型半導體之間。PNP 和 NPN的電荷載流子不同,NPN以空穴為主要載流子,而PNP以電子為主要載流子。但兩者的工作原理實際上是相同的,唯一的區別在于偏置,以及每種類型的電源極性。BJT符號BJT是一個電流控制裝置,集電極或發射極輸出是基極電流的函數。比如,通過調基極和發射極之間電壓,可以控制集電極的電流,如下圖所示。BJT工作電壓的變化會影響基極的電流,而該電流又會影響晶體管的輸出電流。由此可見,在BJT里,是輸入電流控制著輸出電流。許多人更喜歡 BJT 用于低電流應用,例如用于開關,因為它們更便宜。BJT被廣泛用作放大器、開關或振蕩器等應用。雙極結型晶體管金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET )金屬氧化物半導體場效應晶體管,俗稱MOSFET,是一種主要由硅半導體材料制成的場效應晶體管,是最常用的晶體管類型。MOSFET具有三個端子:源極、柵極和漏極。它的頂部有金屬端子,端子下方有氧化硅層,而半導體材料形成底層——由此形成金屬-氧化物-半導體場效應晶體管。MOSFET結構 與 BJT 不同,MOSFET不存在基極電流。MOSFET是一種電壓控制器件,氧化物絕緣柵電極上的電壓可以生成用于在其他觸點“源極和漏極”之間傳導的通道,進而控制漏極電流。即MOSFET柵極上的電壓會產生一個電場,允許電流在源極和漏極之間流動,但該電流可能被柵極上的電壓夾斷或打開。根據工作原理,MOSFET分為增強型MOSFET和耗盡型MOSFET。增強型 MOSFET 在正常情況下保持關閉狀態,需要柵極電壓才能將其打開,而耗盡型 MOSFET 在正常情況下保持打開狀態,需要柵極電壓才能將其關閉。MOSFET分類 MOSFET 的優點在于它們可以更有效地處理功率,功耗更低。如今,MOSFET 是數字和模擬電路中最常用的晶體管,取代了當時非常流行的 BJT。BJT和MOSFET都有廣泛的應用。在選擇合適的器件時,需要考慮開關速度、控制方法、功耗、負載類型、效率和成本等幾個因素。現在限時300名免費送大家看《驅動電路設計—精選篇》,總共20個章節。對大家感興趣的BJT,MOSJFET其開關電路的拓撲結構進行詳細分析講解,視頻課程每天一個小章節,輕松搞懂電路設計。免費觀看時間:5月19日-6月7日,快來進群領取吧!
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原文標題:【技術分享】設計驅動電路該使用MOS管還是三極管?(文末領BJT 和MOSFET對比資料)
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