國產(chǎn)12nm芯片 紫光國芯攻克12nm工藝
中國芯片再度獲得沖破，紫光國芯攻克12nm芯片制造工藝，這將代表我國現(xiàn)存技術(shù)再次獲得了晉升。
12nm芯片制造工藝是在14nm工藝基礎(chǔ)上進(jìn)行改良，和其14nm工藝進(jìn)行對比的話，12nm芯片對晶體管進(jìn)行的改造，使其減小尺寸可以達(dá)到降低功耗和錯誤率的目的。此次在存儲控制器上的突破，是第一個融入12nm制程的GDDR6存儲物理接口，有利于閃存平臺的搭建，也大大提高了數(shù)據(jù)上的傳輸，能優(yōu)化帶寬高性能的要求。
此次在存儲控制器上的技術(shù)突破或?qū)⒁馕吨袊蛟S能夠在GDDR6領(lǐng)域擁有自己的IP主控芯片，這對我國半導(dǎo)體行業(yè)也有著重大意義。
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審核編輯：郭婷
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