2021年,IBM完成了2納米技術(shù)的突破,IBM高調(diào)宣稱推出2nm芯片,可使手機(jī)電池壽命延長(zhǎng)三倍,一次充電可用4天,IBM用上了一個(gè)被稱為納米片堆疊的晶體管,因此全球首顆2nm芯片問世,也震驚所有半導(dǎo)體廠商。
據(jù)了解,2nm芯片上的晶體管并不存在任何一個(gè)部分的長(zhǎng)度是2nm,關(guān)于2nm制程工藝的優(yōu)勢(shì),在相同功耗下,2nm的速度增快10%-15%,在相同速度下,功耗降低25%-30%,也可以縮小以最大限度地降低功耗和成本。
不久前,臺(tái)積電首度公布2nm先進(jìn)制程,關(guān)于2nm工藝,臺(tái)積電規(guī)劃圖顯示將會(huì)在2025年正式量產(chǎn),三星以及英特爾在2納米技術(shù)上的發(fā)展,應(yīng)該也還有很長(zhǎng)的一段路要走。
本文綜合整理自靜心科技 Tech情報(bào)局 科工力量
審核編輯:彭靜
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