據(jù)此前消息,國(guó)產(chǎn)企業(yè)昕原半導(dǎo)體主導(dǎo)建設(shè)的國(guó)內(nèi)首條28/22nmReRAM生產(chǎn)線建成并成功完成了裝機(jī)驗(yàn)收,實(shí)現(xiàn)了中試線全線流程的貫通。
昕原昕原半導(dǎo)體主導(dǎo)建設(shè)的28/22nm ReRAM解決了迭代速度較慢和工藝開發(fā)進(jìn)度受影響的大問題,使得相關(guān)產(chǎn)品快速實(shí)現(xiàn)成為可能,進(jìn)而提高國(guó)產(chǎn)Re RAM存儲(chǔ)器在市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力。
Re RAM 12寸中試生產(chǎn)線的順利建成,將有效推動(dòng)實(shí)驗(yàn)室實(shí)踐成果加速應(yīng)用轉(zhuǎn)變,實(shí)現(xiàn)實(shí)際量產(chǎn)。將促進(jìn)我國(guó)完善半導(dǎo)體芯片的供給鏈和提高國(guó)內(nèi)芯片供給鏈的穩(wěn)定性,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體的多元化和穩(wěn)定發(fā)展。
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審核編輯:郭婷
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