臺積電2nm芯片計劃于2025年實現量產
臺積電正式公布2nm制造技術，該工藝廣泛使用EUV光刻技術，首次采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術和背面供電技術，計劃于2025年實現量產。
臺積電2nm芯片將性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，芯片密度增加了 1.1 倍以上，與3nm相比，其性能和功耗都將實現大幅度升級。
據悉，臺積電或將在2024年開始使用2nm制造技術風險試產，首批2nm芯片預計于2025年末或2026年量產上市。除此之外，臺積電還計劃在2024年引進ASML下一代High-NA EUV最強光刻機，用以制造芯片。
綜合整理自半導體行業觀察、Tech情報局
審核編輯：湯梓紅
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