NP3417EVR 20V p通道增強模式MOSFET
描述
NP3417EVR采用了先進的溝槽技術
提供卓越的RDS(ON)
?V
，低柵極電荷和
工作電壓低至1.8V。這個設備
適合用作負載開關或PWM
應用程序。
一般特征
DS = -20 v, ID
R
= 3
DS(上)(Typ) = 43 mΩ@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 51米Ω@VGS
?高功率和電流處理能力
= -2.5 v
?獲得無鉛產品
?表面安裝包
?ESD額定電壓:2500V HBM
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
包
?SOT-23
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
熱特性
注:
a:TC = 25℃。b:表面安裝在1“x 1”FR4板上。
c:t = 5 s。d:穩態條件下最大為175°c /W。
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
審核編輯 黃昊宇
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