NP60P02G 20V p通道增強模式MOSFET
描述
NP60P02G采用了先進的溝槽技術
提供卓越的RDS(ON)
一般特征
較低的門
電荷。它可以用于各種各樣的應用。
?VDS = -20v id
R
= -60
DS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS
R
= -4.5 v
DS(上)(Typ) = 5.6Ω@VGS
?為超低R設計的高密度電池
= -2.5 v
?充分描述雪崩電壓和電流
DS(上)
?穩定性好，均勻性好，E值高
?優秀的包裝，良好的散熱
作為
應用程序
?負荷開關
包
?- 252 - 2 - l
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:1:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns，占空比≦2%。
2:設計保證，不經生產檢驗。
熱特性
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
單片機
+關注
關注
6040文章
44604瀏覽量
637132 -
MOSFET
+關注
關注
147文章
7213瀏覽量
213840
發布評論請先 登錄
相關推薦
AP2222D 20V N溝道增強型MOSFET
銓力授權一級代理商 AP2222D 20V N溝道增強型MOSFET
描述：
AP2222D采用先進的溝槽技術
可提供出色的RDS（ON）
低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作
該器
發表于 10-08 11:34
P溝道增強型場效應管有哪些特點
P溝道增強型場效應管（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱P-MOSF
簡單認識P溝道增強型場效應管
P溝道增強型場效應管，簡稱P-MOSFET（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tran
LM3D50P02 MOSFET：專為電子煙優化的高性能選擇
? 、一、 為電子煙設備而生MOSFET——LM3D50P02 上海雷卯EMC小哥通過對RELX悅刻、Smoore International (思摩爾國際)、Sigelei (思格雷
CSU32P20的1/8VDD通道準嗎？多少誤差
代碼除了一處其他都相同，用CSU32P10時1/8VDD通道就很準，而用32P20時理論與實際就相差了0.1V，唯一代碼不同點就是32P10
發表于 08-10 15:59
ADS125H02 ±20V輸入、雙通道、40kSPS、24位 Δ-ΣADC數據表
電子發燒友網站提供《ADS125H02 ±20V輸入、雙通道、40kSPS、24位 Δ-ΣADC數據表.pdf》資料免費下載
發表于 07-23 11:34
?0次下載
SLD60N02T 規格書 60A 20V美浦森 貼片TO-252MOS管
深圳市三佛科技有限公司介紹
SLD60N02T ： 60A 20VTO-252N溝道 MOS場效應管
品牌：美浦森
型號：SLD60N02T
VDS：
發表于 04-30 17:52
SLD60N02T美浦森 TO-252封裝 60A 20V MOS管
：DFN3*3-8P溝道
SLD80N06T品牌：美浦森 電壓：60V 電流：80A封裝：TO-252N溝道
SLD90N02T品牌：美浦森 電壓：20V 電流：90A封裝：TO-25
發表于 04-26 14:37
雙通道N溝道20V（D-S）MOSFET 9926產品數據手冊
電子發燒友網站提供《雙通道N溝道20V（D-S）MOSFET 9926產品數據手冊.pdf》資料免費下載
發表于 04-01 17:59
?0次下載
–20V P溝道FemtoFET? MOSFET CSD25501F3數據表
電子發燒友網站提供《–20V P溝道FemtoFET? MOSFET CSD25501F3數據表.pdf》資料免費下載
發表于 03-26 14:32
?0次下載
低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V PL60N02D數據手冊
概述PL60N02D采用先進的溝槽技術，提供優良的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V的操作。本設備適用于用作電池保護或其他開關應用程序。特征VDS = 20V ID =60
發表于 02-21 09:14
?0次下載
60 V，P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數據手冊
電子發燒友網站提供《60 V，P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數據手冊.pdf》資料免費下載
發表于 02-20 10:02
?0次下載
工商網監
評論