描述
NP50P02QR采用了先進(jìn)的戰(zhàn)壕
技術(shù)和設(shè)計(jì),提供優(yōu)秀的RDS(ON)與
門費(fèi)用低。它可以用于各種各樣的
應(yīng)用程序。
一般特征
?VDS = -20v, id = -50a
RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 6.5Ω@VGS = -2.5 v
?用于超低RDS(ON)的高密度電池設(shè)計(jì)
?充分描述雪崩電壓和電流
?穩(wěn)定性好,均勻性好,EAS高
?優(yōu)秀的包裝,良好的散熱
應(yīng)用程序
?負(fù)荷開關(guān)
包
?PDFN3 * 3-8L
訂購信息
絕對(duì)最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)
電特性(除非另有說明,TA=25℃)
注:1:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns,占空比≦2%。
2:設(shè)計(jì)保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)。
熱特性
審核編輯 黃昊宇
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單片機(jī)
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MOSFET
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