NP2307SR 20V p通道增強模式MOSFET
描述
NP2307SR采用了先進的溝槽技術
提供卓越的RDS(ON)
一般特征
，低柵極電荷和
工作電壓低至1.8V。這
該器件適用于作為負載開關或PWM
應用程序。
?VDS = -20 v, ID
R
= 9
DS(上)(Typ) = 22米Ω@VGS
R
= -2.5 v
DS(上)(Typ) = 17 mΩ@VGS
?高功率和電流處理能力
= -4.5 v
?獲得無鉛產品
?表面安裝包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
包
?SOP-8
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
熱特性
A: RθJA的值是用設備安裝在1英寸2的FR-4板上，用2oz測量的。銅，在靜止的空氣環(huán)境中
與助教
B: R
= 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。目前的評級是基于
t≤10s熱阻額定值。
θJA是從結到引線RθJC并引線到周圍的熱阻抗之和。
審核編輯 黃昊宇
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