NP3401MR 30V p通道增強模式MOSFET
描述
NP3401MR采用了先進的溝槽技術
提供優良的RDS(ON)，低柵電荷和
工作電壓低至2.5V。這
該器件適用于作為負載開關或PWM
應用程序。
一般特征
?VDS = -30v, id = -4.2a
RDS(上)(Typ) = 48 mΩ@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 60 mΩ@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產品
?表面安裝包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
包
?SOT-23-3L
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
熱特性
A.將設備安裝在1in2上測量RθJA的值
FR-4板與2oz。銅，在靜止的空氣環境中與
TA = 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。
B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃，采用≤10s的結環境熱阻。
審核編輯 黃昊宇
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