NP2018DR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
描述
NP2018DR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)
提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費(fèi)
操作門電壓2.5 v。這
設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制
應(yīng)用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID =16A
RDS(上)(Typ) = 8.6 m?@VGS = 4.5 v
RDS(上)(Typ) = 10.7 m?@VGS = 2.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
? Lead 免費(fèi) 產(chǎn)品
? Surface 安裝 包
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
?負(fù)荷開關(guān)
封裝
? DFN2*2-6L-B
原理圖
標(biāo)記和引腳分配
DFN2 * 2-6L-B
(厚度0.55毫米)
訂購(gòu)信息
審核編輯 黃昊宇
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