NP2300BHR(20 v n溝道增強型MOSFET)
描述
NP2300BHR使用先進的海溝技術提供優秀的RDS()、低門和高收費
超低密度細胞設計導通電阻。這設備適用于作為負荷開關或脈寬調制
應用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID =5A
RDS(上)(Typ) = 26 m?@VGS = 4.5 v
RDS(上)(Typ) = 36 m?@VGS = 2.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
? Lead 免費 產品
? Surface 安裝 包
應用程序
? PWM 應用 程序
? Load 開關
封裝
? ESOT-23-3L
原理圖
標記和引腳分配
訂購信息
審核編輯 黃昊宇
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