NP2300VR-M(20 v n溝道增強型MOSFET)
描述
NP2300VR-M使用先進的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門電荷和高密度細胞設(shè)計超低導(dǎo)通電阻。本設(shè)備適用于作為負載 在PWM開關(guān)或應(yīng)用程序。
一般特征
? VDS =20V，ID =5A
RDS(上)(Typ) = 32 m?@VGS = 2.5 v
RDS(上)(Typ) = 26 m?@VGS = 4.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
? Lead 免費 產(chǎn)品
? Surface 安裝 包
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
? Load 開關(guān)
封裝
?SOT-23
原理圖
標記和引腳分配
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審核編輯 黃昊宇
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