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NP3403MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問(wèn)海棠 ? 來(lái)源:微雨問(wèn)海棠 ? 作者:微雨問(wèn)海棠 ? 2022-07-18 14:45 ? 次閱讀

描述

NP3403MR采用先進(jìn)壕溝

技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵

在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作

2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)

或在PWM應(yīng)用中。

一般特征

?VDS = -30v, id = -2.6a

RDS(上)(Typ) = 84Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 110Ω@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

? PWM 應(yīng)用 程序

? Load 開(kāi)關(guān)

? SOT-23

pYYBAGLVAPmAecAXAABguIyvkVc229.png

訂購(gòu)信息

pYYBAGLVARCAOAZJAAA1ZfglWzY848.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLVASuATS_5AACS6h_sb94264.png

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

pYYBAGLVAUSAESdBAAIJzUUfXYs824.png

注:

a.表面安裝在FR4板上,t≤10秒

B.脈沖測(cè)試:脈寬≤300μs,占空比≤2%

C.設(shè)計(jì)保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)

熱特性

pYYBAGLVAWGANPesAAAbLg63bms774.png

審核編輯 黃昊宇

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