NP3416BEMR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)
1.描述
NP3416BEMR采用先進(jìn)的溝槽提供出色的RDS（開）、低柵電荷的技術(shù)和低至1.8V的柵極電壓工作。這個(gè)該器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM申請(qǐng)。
2.一般特征
VDS=20V，ID=4A
RDS(ON)（典型值）=18.5 mΩ@VGS=4.5 V
RDS（ON）（典型值）=23.3 mΩ@VGS=2.5V
（1）高功率和電流處理能力
獲得無鉛產(chǎn)品
表面貼裝封裝
額定ESD：2500V HBM
3.應(yīng)用程序
PWM應(yīng)用
負(fù)荷開關(guān)
4.包裝
SOT-23-3L
5.示意圖
審核編輯 黃昊宇
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