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NP30P03D6 30V p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-19 09:28 ? 次閱讀

描述

NP30P03D6采用先進的溝槽技術

提供優良的RDS(ON),本設備適合使用

作為負載開關或PWM應用。

一般特征

?VDS = -30v, id = -30a

RDS(上)(Typ) = 8 mΩ@VGS = -10 v

RDS(上)(Typ) = 12.5Ω@VGS = -4.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產品

?表面安裝包

?150℃的工作溫度

?100% ui測試

應用程序

?PWM程序

?負荷開關

?不間斷電源

?PDFN5 * 6-8L-A

pYYBAGLWCAKAdwi-AAC8XmHPF18713.png

訂購信息

pYYBAGLWCBqAZ5ovAABSWCc0Z5E020.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLWCC-AHzWeAACgW7zE6oE277.png

pYYBAGLWCDqATp9fAAAZE-X3zoc279.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLWCFOAYx-9AAJuDWySJ70136.png

熱特性

poYBAGLWCHSAGoeNAABmAHoRhfk601.png

答:R qJA是用設備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測量的。銅,在靜止的空氣環境中

T = 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。

B: R qJA是從結到引線R qJL和引線到環境的熱阻抗之和。

審核編輯 黃昊宇

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