我們這一代面臨的最大挑戰(zhàn)是對能源的需求不斷增長。在許多社會(huì)變革的推動(dòng)下,全球人均用電量在過去 30 年中增長了 50%。我們家中的電器越來越多,所以家里的電源插座也越來越多。我們見證了消費(fèi)技術(shù)的蓬勃發(fā)展:手機(jī)、電腦、筆記本電腦和手表都開始發(fā)揮作用。我們看到了以前從未見過的各種尺寸的電機(jī)——從玩具到車輛的支撐系統(tǒng),再到躺椅,再到園藝工具,再到救生帶。當(dāng)然,我們現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入了電動(dòng)汽車(EV) 的時(shí)代,電動(dòng)飛機(jī)也在開發(fā)中。預(yù)計(jì)這種數(shù)字化和電氣化趨勢將繼續(xù)并加速。
今天的數(shù)據(jù)中心使用全球約 1% 的電能。預(yù)計(jì)到 2030 年,處理、大數(shù)據(jù)分析、加密貨幣挖掘、流數(shù)據(jù)、人工智能等將消耗全球 20% 以上的電力需求,其中 7% 的電力將僅用于為數(shù)據(jù)中心供電。縱觀全局,我們看到傳統(tǒng)燃料即將耗盡——最重要的是,全球變暖。在 2016 年的《巴黎協(xié)定》中,各國承諾減少排放,許多國家現(xiàn)已正式承諾到 2050 年實(shí)現(xiàn)氣候中和或凈零排放。最近在格拉斯哥舉行的 COP26 峰會(huì)上就加強(qiáng)這些目標(biāo)達(dá)成了進(jìn)一步承諾。
功率半導(dǎo)體制造商已承擔(dān)責(zé)任,因?yàn)槲覀兊?a target="_blank">產(chǎn)品是碳中和的推動(dòng)者。作為工程師,我們必須提高電源轉(zhuǎn)換效率,這需要標(biāo)準(zhǔn)芯片以外的解決方案。
硅 FET 和由兩種寬帶隙 (WBG) 材料制成的器件的理論物理極限:碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。硅顯然得益于多年的發(fā)展,但也有其局限性。對于相對較新的技術(shù),SiC 和 GaN 的性能已經(jīng)超越了傳統(tǒng)硅的極限,并且只能改進(jìn),因此 WBG 在實(shí)現(xiàn)未來幾十年的挑戰(zhàn)中發(fā)揮重要作用的大門是敞開的。
基于 Yole Développement 的 2021 年報(bào)告的 GaN 預(yù)測增長:市場處于早期階段,但在未來幾年將呈指數(shù)級增長,到 2026 年復(fù)合年增長率將超過 70%。這是一個(gè)很好的指標(biāo),表明將需要 WBG 來解決我們的整體電力挑戰(zhàn):在新應(yīng)用中使用電力以最負(fù)責(zé)任的方式。
要評估采用 GaN 作為一項(xiàng)新技術(shù),我們必須考慮四個(gè)關(guān)鍵點(diǎn):
性能:WBG 產(chǎn)品的快速開發(fā)和采用已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了幾年前無法想象的性能水平——事實(shí)上,如果沒有 WBG 設(shè)備,一些新的項(xiàng)目要求是不可能實(shí)現(xiàn)的。然而,仍有大量研究和創(chuàng)新工作要做,特別是對于 GaN,因?yàn)殡m然目前的性能水平已經(jīng)很有吸引力,但還沒有接近其理論性能極限。
成本:硅解決方案具有易于理解和接受的成本/性能水平。相比之下,今天,價(jià)格較高的 WBG 設(shè)備主要針對性能是關(guān)鍵因素的高級應(yīng)用。然而,GaN 成本將會(huì)降低,從而允許 WBG 技術(shù)的普及,正如我稍后將展示的那樣。
可用性:這是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)關(guān)鍵因素——只有在設(shè)備可用且供應(yīng)安全的情況下,新技術(shù)的實(shí)施才能變得廣泛。
可靠性:這包括所有其他考慮因素——它適用于產(chǎn)品性能、商業(yè)可持續(xù)性和可用性保證。所有這些元素都必須可靠。
審核編輯 黃昊宇
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