在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

GaN使硅變得容易

莫聯(lián)雪 ? 來源:zmyecho ? 作者:zmyecho ? 2022-07-27 16:42 ? 次閱讀

就像生活中的現(xiàn)實一樣,當(dāng)老年人離開年輕人的舞臺時,Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來,隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步,電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而,在新千年中,隨著硅功率 MOSFET 接近其理論界限,改進的速度顯著放緩。同時,新材料 GaN 正穩(wěn)步朝著理論性能邊界邁進,該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6,000 倍,比當(dāng)今市場上最好的 GaN 產(chǎn)品好 300 倍(圖 1)。

poYBAGLeM0WAK1hDAACu6D3PoOk346.jpg

圖 1. 1 平方毫米器件的理論導(dǎo)通電阻與 Si 和 GaN 基功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代(紫色圓點)和第 5 代(綠色星號)展示了 GaN 當(dāng)前最先進的性能。

開始

EPC 的增強型氮化鎵 (eGaN) FET 已投入生產(chǎn)十 (10) 多年,第五代器件的尺寸是其第四代前代器件的一半,速度是其兩倍,并且價格相當(dāng)與 MOSFET。GaN 基功率晶體管集成電路的早期成功最初來自 GaN 與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si 晶體管的開關(guān)速度比 MOSFET 快十 (10) 倍,比絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 快 100 倍。

充分利用 GaN 高速開關(guān)能力的首批批量應(yīng)用是用于 4G/LTE 基站的射頻包絡(luò)跟蹤以及用于自動駕駛汽車、機器人無人機和安全系統(tǒng)的光檢測和測距(激光雷達)系統(tǒng)。隨著這些早期應(yīng)用的成功,GaN 功率器件的產(chǎn)量已經(jīng)增長,現(xiàn)在的價格與更慢的開關(guān)和更大的等效額定功率 MOSFET 組件相當(dāng)。

pYYBAGLeM1eAVXC_AAA2HDwEzyg214.jpg

(圖 2)。100 V 額定 eGaN FET 與等效額定功率 MOSFET 的分銷商定價調(diào)查結(jié)果。eGaN FET 價格顯示在紅色橢圓內(nèi)。

加速采用 GaN 功率器件

隨著價格競爭力的這種交叉,更傳統(tǒng)的大批量應(yīng)用已開始采用 GaN 解決方案。電源設(shè)計人員意識到,eGaN FET 可以為云計算人工智能機器學(xué)習(xí)和游戲應(yīng)用的高密度計算應(yīng)用所需的更高功率密度和更高效的 48 V DC-DC 電源做出重大貢獻。汽車公司也開始在輕度混合動力汽車中采用 48 V 配電總線電源、配電拓?fù)洹_@些汽車制造商的要求是雙向 48 V - 14 V 轉(zhuǎn)換器。它們還必須高效、可靠且具有成本效益。設(shè)計到其中幾個系統(tǒng)中的 eGaN FET 將在未來兩到三年內(nèi)出現(xiàn)在汽車上。

超越分立功率器件

除了性能和成本改進之外,GaN 半導(dǎo)體技術(shù)影響功率轉(zhuǎn)換市場的最重要機會來自其將多個器件與單個襯底集成的內(nèi)在能力。與標(biāo)準(zhǔn)硅 IC 技術(shù)相比,GaN 技術(shù)允許設(shè)計人員在單個芯片上實現(xiàn)單片電源系統(tǒng),比僅使用硅技術(shù)更簡單、更具成本效益。

使用 GaN-on-Si 襯底制造的集成電路已投入生產(chǎn)超過五年。從那時起,基于 GaN 的 IC 經(jīng)歷了不同的集成階段。從純分立器件到單片半橋組件,再到包含其單片集成驅(qū)動器的功率 FET,以及最近,到包含功率 FET、驅(qū)動器、電平轉(zhuǎn)換電路、邏輯和保護。

在2019 年初,驅(qū)動功能和單片半橋與電平轉(zhuǎn)換器、同步啟動電路、保護和輸入邏輯合并到單個 GaN-on-Si 襯底上,如圖 3(a) 和 3(b) 所示)。這個完整的功率級,即 ePower 級,可以在數(shù)兆赫頻率下驅(qū)動,并由一個簡單的以地為參考的 CMOS IC 控制,只需添加幾個無源元件,它就可以成為一個完整的 DC-DC 穩(wěn)壓器。圖 4 顯示了該單片功率級在 48 VIN — 12 VOUT 降壓轉(zhuǎn)換器中的 1 MHz 和 2.5 MHz 效率。

poYBAGLeM2aAPO_IAACJdAwSwtI818.jpg

圖 3. (a) 尺寸為 3.9 mm x 2.6 mm 的 EPC2152 單片 ePower 級圖像,和 (b) 等效電路圖。

poYBAGLeM3KAeZXBAACQqRKFnEk979.jpg

圖 4. 使用 EPC2152 單片 ePower 級 IC 的 48 VIN – 12 VOUT 降壓轉(zhuǎn)換器在 1 MHz 和 2.5 MHz 下的效率與輸出電流與使用分立 GaN 晶體管和硅半橋驅(qū)動器的相同電路的性能比較我知道了。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7208

    瀏覽量

    213763
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    59

    文章

    1641

    瀏覽量

    116473
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    1950

    瀏覽量

    73775
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    GaN FET與FET的比較

    功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的基板,以及更低成本的塑料封裝。對于電源設(shè)計人員來說,理解GaN有可能帶
    發(fā)表于 11-08 18:00 ?5247次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> FET與<b class='flag-5'>硅</b>FET的比較

    GaN可靠性的測試

    都應(yīng)通過這樣的測試。依我看,JEDEC制定的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)該涵蓋這類測試。您說呢?” 客戶的質(zhì)疑是對的。為使GaN被廣泛使用,其可靠性需要在預(yù)期應(yīng)用中得到證明,而不是僅僅通過材料配方合格認(rèn)證(silicon
    發(fā)表于 09-10 14:48

    傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子
    發(fā)表于 09-23 15:02

    GaN和SiC區(qū)別

    半導(dǎo)體材料可實現(xiàn)比基表親更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量,體積和生命周期成本成為可能。 Si,SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si,SiC
    發(fā)表于 08-12 09:42

    GaNMOSFET提供的主要優(yōu)點和優(yōu)勢

    ,幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而,近年來,這些已取得的進步開始逐漸弱化,為下一個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵(GaN)引人注目
    發(fā)表于 11-14 07:01

    基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計和損耗分析

    目前傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限, 即使采用最新的器件和軟開關(guān)拓?fù)洌试陂_關(guān)頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT(gallium
    發(fā)表于 09-18 07:27

    GaN使電子設(shè)備電子適配器變得更加強大,輕型和小型化

    Dialog半導(dǎo)體公司將啟動GaN進入消費者電源適配器市場。GaN使電子設(shè)備電子適配器變得更加強大,輕型和小型化。
    的頭像 發(fā)表于 06-12 15:11 ?5319次閱讀

    新技術(shù) 氮化鎵(GaN)將接替

    對于新技術(shù)而言,GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)()成本低。GaN器件與器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此,由于GaN器件小于等效
    發(fā)表于 07-04 10:32 ?2131次閱讀

    使無功電能測量變得簡單

    使無功電能測量變得簡單
    發(fā)表于 05-16 20:51 ?6次下載
    <b class='flag-5'>使</b>無功電能測量<b class='flag-5'>變得</b>簡單

    電流共享變得容易

    電流共享變得容易
    發(fā)表于 05-27 09:00 ?10次下載
    電流共享<b class='flag-5'>變得</b><b class='flag-5'>容易</b>

    通過ST4SIM使物聯(lián)網(wǎng)工程師更容易訪問蜂窩網(wǎng)絡(luò)

      該軟件包甚至支持基于流行的 BSD 套接字的標(biāo)準(zhǔn)接口,使事情變得更加直觀。它還使集成第三方解決方案變得更加容易
    的頭像 發(fā)表于 05-11 09:58 ?1772次閱讀
    通過ST4SIM<b class='flag-5'>使</b>物聯(lián)網(wǎng)工程師更<b class='flag-5'>容易</b>訪問蜂窩網(wǎng)絡(luò)

    通過GaN實現(xiàn)高性能電源設(shè)計

    MasterGaN 將GaN 相結(jié)合,以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器,適用于高達 400 W 的消費和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN 技術(shù),新設(shè)備可以處理更多功率,同時優(yōu)化其效率。ST 強調(diào)了將
    發(fā)表于 07-27 08:03 ?496次閱讀
    通過<b class='flag-5'>硅</b>和<b class='flag-5'>GaN</b>實現(xiàn)高性能電源設(shè)計

    電池技術(shù)能讓火星旅行變得容易

    電池技術(shù)能讓火星旅行變得容易
    發(fā)表于 11-03 08:04 ?0次下載
    電池技術(shù)能讓火星旅行<b class='flag-5'>變得</b>更<b class='flag-5'>容易</b>?

    Gan FET:為何選擇共源共柵

    在過去幾年里,GaN技術(shù),特別是GaN HEMT技術(shù),已成為電源工程師的關(guān)注重點。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而,隨著商用GaN FET
    發(fā)表于 02-09 09:34 ?679次閱讀
    <b class='flag-5'>Gan</b> FET:為何選擇共源共柵

    晶能光電:襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

    襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用。基于襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進行工程化開發(fā)。DUV LED、
    的頭像 發(fā)表于 10-13 16:02 ?745次閱讀
    晶能光電:<b class='flag-5'>硅</b>襯底<b class='flag-5'>GaN</b>材料應(yīng)用大有可為
    主站蜘蛛池模板: 男人的天堂色偷偷之色偷偷| 91福利网winktv| 天堂bt在线| 天天综合在线视频| 久久综合久久久久| 色婷婷色综合| 一级特黄aa大片免费| 亚洲视频一区网站| 欧美性猛交xxx嘿人猛交| 久久综合色88| 手机看片日韩1024| 午夜在线| 7m视频精品凹凸在线播放| 国产精品资源在线播放| 久草a视频| 久久婷婷一区二区三区| 欧美一级高清片在线| 日本三级免费网站| 四虎影视最新| 天堂网2021天堂手机版丶| 三级网站视频| 色成人在线| 美女拍拍拍黄色| 免费一级在线观看| 免费你懂的| 国产一区二区三区美女在线观看 | 天天视频免费入口| 免费国产午夜在线观看| 手机看片精品国产福利盒子| 久草资源网| 国产高清亚洲| 91久久天天躁狠狠躁夜夜| 中文字幕一区在线观看| 中文字幕第二区| h网站在线| 亚洲人成一区| 亚洲高清免费| 色爽爽爽爽爽爽爽爽| 久久夜色精品国产噜噜| 综合五月| 1300部小u女视频免费|