過去十年，集成光子學的重要性顯著增加。隨著數據速率和數據吞吐量不斷提高，傳統銅互聯的性能越來越呈現出限制性，光子學和集成光子學的發展已經成為網絡基礎設施的關鍵。

英特爾實驗室在光子學領域投入了大量資金，該實驗室最近演示了一個嚴格控制、高度集成的八波長激光器，在集成光子學領域首次獲得了業界認可。

近日，筆者有幸與英特爾實驗室PHY研究實驗室高級首席工程師兼主任James Jaussi以及高級首席工程師榮海生博士進行了交流，了解了更多關于該項目的消息。

光子集成的需求

隨著電子行業向更快的數據速率和更小的尺寸節點發展，該領域面臨著許多相關問題。其中一個問題是，由于銅的非理想耦合，頻率增加時會導致更多的寄生。Jaussi解釋說:

“研究光學和光通信的一個動機是改善接口性能。隨著時間的推移，每個封裝的性能都在提升，總功耗也在增加。但是，I/O接口的功耗增長速度更快。”

想要提高未來I/O接口的能效和工作范圍，很有可能是在同一個封裝中集成硅電路和光學。研究人員認為，通過將CMOS和光子學集成到一個封裝中，可以解決傳統銅互連的局限性，從而提高整體帶寬、能源效率和電路復雜性。

多波長激光器集成

從高集成中受益的一個重要的光子應用是多波長激光。

在像互聯網這樣的通信應用中，光通信最簡單的形式是由單一波長的激光TX/RX方案組成的單一光纖。然而在實踐中，工程師們會把一組激光器放入一根光纖中，每組激光器都由不同的波長組成（波長種類隨著帶寬要求增加）。今天，長途通信系統可以在一根光纖中使用近100個波長。

但是，當涉及到芯片間通信時，這種方案變得非常難以實現。榮博士解釋說:

“當談論芯片間通信時，我們需要很多組件，實際上是數十億個組件，比如單獨的激光器和調制器。這會導致使用傳統技術實現時，成本是無法接受的。集成將是向前發展的關鍵，而硅光子技術將是實現集成的關鍵。”

為了實現芯片間通信所需的集成光子學，英特爾實驗室探索了使用密集波分復用(densewavelength division multiplexing，簡稱DWDM)技術的共封裝光學解決方案。這種方案已經顯示出在顯著減少光子芯片物理尺寸的同時增加帶寬的希望。然而，到目前為止，一個主要的挑戰是如何制造具有均勻波長間距和功率的DWDM光源。

英特爾集成八波長激光器

最近，英特爾公司宣布成功演示了一種嚴格控制的集成八波長激光器，在該領域取得了重大進展。

光學解決方案是一個分布式反饋(DFB)激光陣列，完全集成在一個硅晶圓上，并在英特爾的300毫米混合硅光子平臺上設計和制造。在此過程中，英特爾使用先進的光刻技術在III-V晶圓鍵合工藝之前定義硅波導光柵，這種方法與傳統半導體激光器相比，允許更好的波長均勻性。榮博士解釋說:

“我們用8個波長間距非常均勻的激光器來完成這個激光區域，這是很難實現的。我們擁有獨特的設計和制造技術，可以完成別人做不到的事情。通過將一塊非常小的磷酸鹽芯片固定在晶圓上，然后平面化并移除襯底，最終得到了一個上面有一層非常薄的磷酸鹽薄膜的晶圓。”

該激光器陣列的輸出功率均勻度為+/- 0.25 dB，波長間距均勻度為±6.5%，超過了行業標準。

英特爾相信，未來這方面的進步將有助于促進網絡密集型工作，包括人工智能和機器學習。

審核編輯 ：李倩