半導體器件的最終應用領域對電源應用的硅替代品的要求越來越高：

硅 Mosfets 的開關電阻太高，無法達到 SiC（碳化硅）提供的 >99% 的轉換效率。這允許在電動汽車和所有其他應用中保持電池的自主性，以減少電力電子設備產生的熱量和構建的模塊的整體尺寸。

由于開關頻率較低，使用硅 FET 進行轉換所需的磁性變壓器的重量和尺寸太高，實際上，在達到并超過 2 Mhz 的 GaN 轉換器中，變壓器的重量和尺寸減小了許多倍達到兩位數……為所有關鍵任務應用開辟了新的視野。

SiC 和 GaN 器件的供應使 SEMI 世界的多家廠商（意法半導體、英飛凌、Cree、ROHM、ON Semi 等）獲得了技術領先和創新發展。

汽車、工業、航空航天和國防終端市場——芯片真正的“增長杠桿”——通過在其電源管理產品中應用 SiC 和 GaN 器件實現了巨大的好處，因此，傳統硅 FET 器件的使用正在成為過時的。

此外，按照半導體芯片路線圖，分立式 SiC 和 GaN 器件正逐漸集成到復雜的片上系統中。

那些主宰這些技術的人，有可能獲得特定的發展，并因此通過這項創新獲得強勁的發展！

然而，在使用這些最近推出的技術時，需要處理一些尚未解決的問題，例如高成本，尤其是低可靠性！

Eles是一家意大利公司，在向零缺陷的可靠性改進領域擁有 30 多年的經驗，其 RETE（可靠性嵌入式測試工程）能夠支持 SiC 和 GaN 參與者，以識別缺陷驅動因素，提出將它們從生產過程中去除的行動，以快速達到 99% 或更高的生產良率，支持降低產品成本并確保所需的可靠性水平，有助于降低終端市場的擴散障礙。

Eles 正在利用 RETE 提供的關于這些設備的資格，試驗添加特定測試，能夠解決各種可靠性問題并找出最關鍵的故障，這些故障提供有關缺陷原因的信息，有助于將其移除，保證其生產工藝符合AEC-Q101，產品零缺陷。

“通過我們的產品獲得支持 SiC 和 GaN 參與者的機會，這意味著 Eles 能夠充分利用該應用領域構成的開發杠桿。Eles 的總裁 Antonio Zaffarami 說：“Eles 不僅與第一批玩家合作，而且正在建立所有參考資料，以便與所有其他 SiC 和 GaN 玩家一起進入大門。”

他表示：“在過去的幾年里，我們一直是產品和賽道開放技術（例如支持駕駛和自動駕駛的新型復雜 ADAS 設備）零缺陷認證和可靠性改進的主角，其中 Eles 解決方案現在是最佳實踐. 現在我們想成為碳化硅和氮化鎵的Qualification和TDBI的參考，所以可以說Eles RETE是以下行業的認證參考解決方案：SoC Smart Power – SoC Micro – ADAS – MEMs – Memory – SiC &氮化鎵”。

審核編輯 黃昊宇