消費者、行業和政府都在采取措施增加對可再生能源的使用。這正在重塑發電和配電系統，從主要集中的輪輻式架構轉變為更加基于網格的本地化發電和消費方法，并由智能電網互連支持，以平滑供需。

根據國際能源署 （IEA） 2019 年 10 月的燃料報告，到 2024 年，可再生能源發電容量將增長 50%。這是額外的 1200GW 全球發電容量，相當于美國目前的裝機容量。該報告預測，這一增長的 60% 將以太陽能光伏 （PV） 裝置的形式出現。

圖 1. 2019 年至 2024 年按技術劃分的可再生能源容量增長

該報告還強調了分布式光伏發電系統的重要性，因為消費者、商業建筑和工業設施開始自行發電。它預測，到 2024 年，分布式光伏總發電量將翻一番以上，超過 500GW。這意味著分布式光伏發電將占太陽能光伏總增長的近一半。

圖2.分布式光伏CAPAC我TY由段增長，二零零七年至2024年

太陽能優勢

為什么太陽能光伏發電在可再生能源產能增長中占據如此領先的地位？一個明顯的原因是太陽照耀著我們所有人，因此它的能量非常廣泛可用。這對于通過使發電更接近消費以及將電力輸送到離網地點來減少配電損失特別有用。

另一個明顯的原因是太陽能太多。計算地球從太陽接收的能量有很多細微差別，但一個經驗法則表明，在晴朗的日子里，海平面上平均每平方米 1 千瓦，或每天每平方米 6 千瓦時。考慮因素，例如晝夜循環、入射角、季節性等。

太陽能電池利用光電效應將這種作為光子流帶到地球的入射能量轉化為電能。光子被半導體材料（例如摻雜硅）吸收，它們的能量將電子激發出其分子或原子軌道。然后，這些電子可以自由地以熱量的形式耗散其額外的能量并返回其軌道，或者行進到電極并成為電流的一部分，該電流流動以中和因它們在電極上的存在而產生的電位差。

與所有能量轉換過程一樣，并非所有輸入太陽能電池的能量都以優選的電形式輸出。事實上，單晶硅太陽能電池的效率多年來一直徘徊在 20% 到 25% 之間。然而，太陽能光伏的機會如此巨大，以至于研究團隊幾十年來一直致力于提高電池轉換效率，使用越來越復雜的結構和材料，如這張來自 NREL 的圖表所示。

圖 3.全球最佳研究太陽能電池的轉換效率– 1976 年至 2020 年 （NREL）（該圖由美國國家可再生能源實驗室提供，Golden， CO。）

所示的更高效率通常是以使用多種不同材料和更復雜、更昂貴的制造技術為代價來實現的。

許多太陽能光伏裝置依賴于各種形式的晶體硅或硅薄膜、碲化鎘或銅銦鎵硒，轉換效率在 20% 到 30% 之間。電池組裝成模塊，這些模塊設計為安裝人員在構建太陽能光伏發電系統時使用的基本單元。

效率挑戰

PV轉換將入射到地球表面每平方米的千瓦太陽能轉化為200W至300W的電能。當然，這是在理想條件下。電池表面沉積的雨、雪和灰塵、半導體材料的老化效應以及環境變化（例如由于植被生長或新建筑物的建造而增加陰影）都會降低轉換效率。

因此，實際情況是，雖然太陽能是免費的，但使用它來創造有用的電能涉及仔細優化其捕獲、存儲和轉換為電能的每個階段。提高效率的最大機會之一是逆變器的設計，該逆變器將太陽能電池陣列（或其電池組）的直流輸出轉換為交流電流，用于直接消耗或通過電網傳輸。

逆變器的工作原理是切換直流輸入電流的極性，使其接近交流輸出。開關頻率越高，轉換效率越高。簡單的開關會產生方波輸出，這對于驅動電阻性負載是可以的，但其諧波會損壞設計為由純正弦波交流電供電的更復雜的電子設備。因此，逆變器設計成為在提高開關頻率以提高效率、工作電壓和功率容量與最小化用于平滑方波的輔助組件的成本之間的平衡行為。

碳化硅的優勢

碳化硅 （SiC）在太陽能管理方面比硅具有多種材料優勢，這源于帶隙，即使電子導電所需的能量幾乎是硅的三倍。這意味著 SiC 器件在發生故障之前將維持幾乎是硅的 10 倍的電場，從而使 SiC 器件能夠在比硅內置的類似結構高得多的電壓下高效運行。SiC 器件還具有比硅低得多的導通電阻、柵極電荷和反向恢復電荷特性，以及更高的熱導率。這些特性意味著 SiC 器件可以在比硅等效器件更高的電壓、頻率和電流下切換，同時更有效地管理熱量積聚。

SiC 用于制造在硅中不實用的器件。MOSFET 在開關應用中受到青睞，因為它們是單極器件，這意味著它們不使用少數載流子。硅雙極器件同時使用多數載流子和少數載流子，可以在比硅 MOSFET 更高的電壓下工作，但由于需要等待電子和空穴在切換時重新結合以及耗散重新結合的能量，因此它們的開關速度變慢。

硅 MOSFET 廣泛用于高達約 300V 的開關應用，高于該值時，器件的導通電阻上升到設計人員必須轉向速度較慢的雙極替代方案的程度。SiC 的高擊穿電壓意味著它可用于構建比硅材料更高電壓的 MOSFET，同時保留低電壓硅器件的快速開關速度優勢。開關性能也相對獨立于溫度，從而在系統升溫時實現一致的性能。

由于功率轉換效率與開關頻率直接相關，因此 SiC 既能夠處理比硅更高的電壓，又能夠以確保高轉換效率所需的高速開關，從而成為雙重贏家。

SiC 的熱導率也是硅的三倍，因此可以在更高的溫度下運行。硅在 175C 左右停止充當半導體，并在 200C 左右成為導體，而 SiC 直到達到 1000C 左右才會發生這種情況。可以通過兩種方式利用 SiC 的熱特性。首先，它可用于制造比等效硅系統需要更少冷卻的電源轉換器。或者，碳化硅在較高溫度下的持續運行可用于在空間非常寶貴的情況下（例如車輛和蜂窩基站）制造非常密集的功率轉換系統。

我們可以看到這些優勢在功率升壓電路中發揮作用，使太陽能轉換效率更高。該電路旨在將太陽能電池陣列的輸出阻抗（隨入射光的水平而變化）與逆變器所需的輸入阻抗相匹配，以實現最有效的轉換。

圖 4：引入 SiC 器件以提高太陽能升壓電路的效率 （ON Semiconductor）

最低成本的方法顯示在最左邊的圖表中，使用硅二極管和 MOSFET。第一個優化，如中間圖所示，是用 SiC 版本替換硅二極管，這將增加電路的功率密度和轉換效率，降低系統成本。用等效的 SiC 替換硅 MOSFET，如最右邊的圖表所示，為設計人員提供了更廣泛的開關頻率選擇，進一步提高了電路的轉換效率和功率密度。

安森美半導體? SiC 肖特基二極管的額定值高達 1200V 和 20A，采用熟悉的 TO220 和 TO247 封裝。它還為模塊制造商提供額定電壓高達 1200V 和 50A 的裸片。

還有各種常見的 D2PAK 和 TO247 格式的 1200V SiC MOSFET，典型的 RDS On 數值低至 20mW。

該公司還銷售結合了硅 IGBT 和 SiC 二極管的混合模塊，例如這種功率集成模塊。它具有雙升壓級，由兩個 40A/1200V IGBT、兩個 15A/1200V SiC 二極管和兩個用于 IGBT 的 25A/1600V 反并聯二極管組成。兩個額外的 25A/1600V 旁路整流器限制浪涌電流，并且模塊還受到熱敏電阻的保護。

對于那些希望在太陽能光伏裝置中利用 SiC 的人，安森美半導體還開發了一系列用于太陽能逆變器的兩通道或三通道僅 SiC 升壓模塊。

與硅替代品相比，碳化硅功率器件具有許多優勢，包括能夠高速切換高電壓和電流、低損耗和良好的熱性能。盡管它們目前在同類基礎上可能比硅等效物更昂貴（如果有硅替代品可用），但它們在系統中的性能可以帶來節省，例如在冷卻復雜性方面，這足以彌補這一點。然后是效率論據：如果部署 SiC 將 IEA 預計到 2024 年安裝的所有分布式太陽能光伏系統的功率轉換效率提高了 2%，那將創造驚人的 10GW 額外容量。

審核編輯：郭婷