GaN 晶體管越來越多地用于各個領域:汽車領域、電力供應以及電流的轉換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們來看看如何更好地管理不同的操作條件,包括關鍵的操作條件,以優化電路的性能并獲得出色的冷卻效果。
GaN 晶體管是當今存在的“最冷”組件之一。即使在高溫和極端條件下,其低結電阻也可實現低溫和低能量損失。這是這種材料廣泛用于許多關鍵部門的主要原因之一,其中對高電流的需求是主要特權。當然,為了有效的熱管理,在設計和建筑層面都可以使用適當的技術。
這些參數取決于溫度
在功率 GaN 晶體管中,溫度對其起重要作用的組件有兩個參數:具有相關工作損耗的R DS(on)和具有相關開關損耗的跨導。
保持低溫的原因有很多:
防止在最惡劣的操作條件下發生熱失控
總體上減少損失
提高系統性能和效率
增加電路的可靠性
良好的熱設計也會對功率密度的變化產生積極影響。選擇好的基板肯定有助于更好地散熱,因為它可以減少散熱器表面,特別是對于電源應用。
切換方式
不同開關方法的實施不可避免地意味著設計上的差異,尤其是最終性能上的差異。主要有“ZVS軟開關模式”和“硬開關模式”。熱傳遞以三種不同的方式發生:
通過傳導,通過直接接觸
通過對流,通過流體,例如空氣或水
通過輻射,用電磁波
圖 1 清楚地總結了傳熱過程。系統的各個組件就像電阻一樣,通過電阻,遇到通道中的障礙物的不是電流,而是熱量。從結點到散熱器,熱量通過傳導發生,而從散熱器到周圍環境,則通過對流發生。
圖 1:熱量通過各種方式從結點轉移到周圍環境。
組裝技術
GaN 在 PCB 上的物理安裝對位置、電氣和戰略層面的散熱程度具有決定性影響。在相同的工作條件下,組件和散熱器的不同位置決定了整個系統的熱行為差異。要使用兩個 GaN 晶體管,建議使用帶有 M3 型螺絲中心孔的小型散熱器。這樣,兩個組件上的壓力就平衡了(圖 2a)。但是,我們不能夸大 GaN 上的散熱器壓碎,因為它會導致機械應力危險的增加。如果必須使用更大的散熱器,則必須鉆兩個或更多孔,以盡量減少安裝支架的彎曲或扭曲(圖 2b)。SMD 元件是受彎曲影響最大的元件。孔應靠近開關元件,以增加對較冷表面的附著力。
圖 2:使用帶有 GaN 的散熱器
雖然電源電路的設計是一門成熟的藝術,但應始終牢記法規。對于散熱器,必須滿足有關散熱標準以及電路上元件和走線的最小距離的要求。在距離必須滿足監管標準的區域,必須使用熱界面材料 (TIM) 來覆蓋散熱器的邊緣。這是為了改善兩部分之間的熱耦合。還要避免在 GaN 器件附近放置通孔組件 (THC)。為了優化空間,可以使用底座來升高散熱器,以便將表面貼裝 (SMT) 組件定位在散熱器本身的正下方(參見圖 3)。
圖 3:升高散熱器可優化空間。
GaN的并聯
為了顯著提高電路的功率,可以并聯幾個 GaN 晶體管,如圖 4所示。負載可以非常強大,開關電流可以大大提高。創建了一個非常有效的熱網絡,其中熱阻和電阻都急劇下降。使用這些方法,即使是冷卻系統也必須非常有效。不同的實驗會導致不同的散熱系統,其中包括以下測試:
無散熱片的自然對流
帶有獨立散熱片的強制冷風
強制冷風與普通散熱器并聯
通過將設備的最佳特性與最佳散熱解決方案相結合,可以增加系統可以達到的最大功率。事實上,通過GaN 晶體管之間的并聯連接降低熱阻,這一結果是可能的。
圖 4:并聯 GaN 晶體管可增加功率并降低電阻。
SPICE 模型
GaN Systems 提供兩種不同的SPICE 模型,即 L1 和 L3 模型(見圖 5)。對于熱實現的操作,必須使用第二個模型。然而,在這種情況下,寄生電感會高得多。下面我們來詳細看看這兩種型號的區別:
L1 型號有四個端子(G、D、S、SS)。它用于模擬器處理速度處于前臺的通用開關模擬。
L3 型號有六個端子(G、D、S、SS、Tc、Tj)。添加了熱模型和寄生電感模型。
該模型基于組件的物理特性和設備的結構。引腳 Tj 可用作輸入或輸出,具體取決于仿真目的。通過這種方式,可以進行兩種不同類型的研究:
用作輸入時,引腳 Tj 可以設置為恒定值,以檢查特定 Tj 值下的 E(開)/E(關)比。
用作輸出時,引腳 Tj 可以在靜態和瞬態模式下進行驗證。
圖 5:GaN 晶體管的 SPICE 模型
結論
GaN 晶體管提供出色的結果和出色的熱可能性。為了實現最大的功率性能,即使以千瓦為單位,也必須最大限度地提高項目的電氣和熱質量。如果對系統進行適當的分析和實施,它實際上可以在相對較低的溫度下處理非常高的功率。要使用的技術涉及各種參數,例如散熱器的位置、形狀和高度、焊縫的形狀和尺寸、GaN 器件的平行化以及開關頻率。市場上的 GaN 晶體管示例越來越多,其特點是支持更高的電壓和電流以及更低的結電阻,以滿足高功率領域公司的所有要求和需求。
審核編輯:劉清
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