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兆易創新推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產品

兆易創新GigaDevice ? 來源:兆易創新GigaDevice ? 作者:兆易創新GigaDevic ? 2022-08-19 10:21 ? 次閱讀

兆易創新今日宣布,推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產品——GD25UF系列。該系列在數據傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關鍵性能指標上均達到國際領先水平,在針對智能可穿戴設備、健康監測、物聯網設備或其它單電池供電的應用中,能顯著降低運行功耗,有效延長設備的續航時間。

隨著物聯網技術的發展,新一代智能可穿戴設備需要擁有更豐富的功能來滿足消費者的需求,這種空間敏感型產品對系統功耗提出了更嚴苛的要求,希望進一步提升產品的續航能力。

從系統設計層面來看,一些先進工藝器件的工作電壓已低至1.2V,如果所需的Flash可支持1.2V的電壓操作,這對于主控而言,將能夠有效簡化電源設計并優化系統成本。

應此需求,兆易創新推出了GD25UF產品系列,該系列工作電壓可擴展至1.14~1.6V,具有單通道、雙通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式,支持不同容量選擇,能夠滿足智能設備所需的代碼存儲要求。

在讀寫性能方面

GD25UF最高時鐘頻率STR 120MHz,DTR 60MHz,擁有10萬次的擦寫壽命,數據有效保存期限可達20年。

在安全性方面

該產品具有128bit Unique ID來實現加密效果,為應用帶來高安全保障。

同時,為進一步滿足低功耗的需求,GD25UF產品系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode兩種工作模式。在Normal Mode下,器件讀取電流在四通道120MHz的頻率下低至6mA;在Low Power Mode下,器件讀取電流在四通道1MHz頻率下低至0.5mA,擦寫電流低至7mA,睡眠功耗低至0.1uA。

相比于1.8V供電的SPI NOR Flash,1.2V GD25UF系列在Normal Mode下,相同電流情況下的功耗降低了33%,而在Low Power Mode下,相同頻率下的功耗降低了70%,有效延長了設備的續航時間。

另外GD25UF系列產品的供電電壓支持1.14~1.6V的寬電壓范圍,可顯著延長單電池供電應用的使用壽命。并且該系列產品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封裝,全溫度工作范圍覆蓋-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。

兆易創新存儲器事業部執行總監陳暉先生表示:

“GD25UF系列產品進一步豐富了兆易創新的Flash Memory產品線。其具備的1.2V低電壓和超低功耗模式可以幫助小容量電池供電設備提高續航能力,即使在不可避免的電池衰減過程中,也可以保持出色且穩定的運行狀態,增加應用的可靠性。如今,電池續航能力已經成為消費者選購產品的重要指標,GD25UF系列產品的問世會是下一代可穿戴設備的理想選擇。作為國內外鮮少擁有1.2V SPI NOR Flash產品線的企業,兆易創新走在了需求前端,為下一代應用的設計開發緩解了壓力,從一定程度上縮短了客戶的研發成本,讓他們能夠在日益激烈的市場競爭中保持領先地位。”

目前,兆易創新GD25UF系列可提供64Mb容量樣品,更多容量產品將陸續推出,客戶可聯絡銷售代表或授權代理商了解相關的信息。

審核編輯 :李倩

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原文標題:應需而生!兆易創新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產品系列

文章出處:【微信號:GigaDevice,微信公眾號:兆易創新GigaDevice】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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