前言

氮化鎵技術在消費類電源領域的大規模商用，帶來了電源配件產品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性，體積小巧、更加便攜的高密度快充逐漸取代了傳統的傳統板磚式電源適配器，用戶使用體驗得到大幅改善。

而隨著合封氮化鎵芯片的出現，使用一顆芯片就可完成此前需要多顆芯片才能實現的功能，規避了氮化鎵功率器件在控制、驅動方面的難題，有效簡化了快充電源的設計，降低電源廠商的開發和生產成本。近期，華源智信就推出了一款合封氮化鎵芯片 HYC3606，下面充電頭網為各位介紹這款新品的亮點特色。 華源智信合封氮化鎵新品登場 華源 HYC3606 內部集成了 650V/360mΩ 的氮化鎵功率器件、數字多模式反激控制器和自適應氮化鎵柵極驅動器，通過合封的方式消除寄生參數對高頻開關造成的干擾，并減小外部元件數量，為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

華源 HYC3606 可選 ESOP8 / DFN5x6 兩種封裝，工作頻率可選 89K / 130K，支持 CCM/DCM/PFM/突發運行模式，以獲得效率和性能的平衡。芯片可平衡開關損耗和EMI，支持抖頻功能以改善EMI性能。

華源 HYC3606 采用副邊反饋，滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。芯片支持靜點GND散熱，內置有豐富的保護功能，包括LPS, VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。

華源 HYC3606 典型應用電路如上圖所示，芯片待機功耗小于60mW，具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術，能夠提升高壓輸入的轉換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應用，提高能效并降低成本。

華源 HYC3606 目前提供四種選型，開關頻率可選 89kHz 和 130kHz，高線電壓下均為 QR 模式運行，低線電壓下可選 QR 和 CCM/QR 模式運行，封裝可選 ESOP8 和 DFN5x6。

華源 HYC3606E 參考設計方案在接入 1.5m 線纜，3.3V 輸出的條件下，輸出效率如上表所示。115Vac 輸入時，方案平均效率超 DOE 六級能效標準近2%；230Vac 輸入時，方案平均效率超 DOE 六級能效標準1%。

華源 HYC3606E 參考設計方案在接入 1.5m 線纜，5V 輸出的條件下動態測試如上圖所示。115Vac 輸入時，方案動態欠充最小值為 3.49V；230Vac 輸入時，方案動態欠充最小值為 3.46V。

華源 HYC3606E 參考設計方案能效測試如上圖所示，在 20V 輸出下效率最高超 92%，15V 輸出下效率最高超 93%，9V 輸出下效率最高超 92.5%，5V 輸出下效率最高超 91.5%。

華源 HYC3606E 參考設計方案待機功耗測試如上圖所示，在 90V/60Hz、115V/60Hz、230V/50Hz、264V/50Hz 四種輸入條件下均滿足歐盟 COC V5 能效標準。

總結 華源 HYC3606 通過將控制器、氮化鎵開關管和氮化鎵驅動集成到一個封裝內部，有效降低走線寄生電感對氮化鎵工作的影響，同時GND散熱的方式，極大的擴展了系統的散熱面積，避免了噪聲干擾，簡化快充的設計及調試，并且降低器件和制造成本，提高快充功率密度，提升快充產品的競爭力。

華源智信半導體深耕于電源管理、數字電源以及家用電器電源管理等應用領域，致力于為客戶提供高性能、高品質、客制化的工業與消費電子產品解決方案，打造成為從交流到直流一體化高效智慧節能的綜合電源管理解決方案供應商。