在看下面文字時，大家可以看一下BJT工作原理的科普視頻。

BJT,全稱是Bipolar Junction Transistor。

貝爾實驗室的 Bardeen 和 Brattain于 1947 年發明了點接觸晶體管， Shockley 于 1948 年發明了雙極結型晶體管。為表彰這一成就，肖克利、巴丁和布拉頓共同獲得了 1956 年諾貝爾物理學獎、

shockley被稱為將硅帶進硅谷的人，當年他手下的8名員工，在1957 年離開肖克利半導體實驗室創立仙童半導體(Fairchild Semiconductor),直接或間接參與了包括Intel和AMD在內的數十家半導體公司的創建。

BJT的結構可以看成一個三明治結構，即兩個P型摻雜區域，中間夾著一個N型摻雜區域，或者兩個N型摻雜區域，中間夾著一個P型摻雜區域。

每個區域上都有一個端子，分別為基極(base),發射極(emitter)和 集電極(collector).

之所以這樣取名，是因為發射極發射載流子，集電極收集載流子，而基極控制這些載流子的數量。

BJT有三個端子，Base,Emitter和collector。理論上，每個端子有正有負，所以工作狀態的組合多達8種。

不過，只有一種工作狀態，是有實際應用價值的，具有放大效應。那就是在BE之間的PN結正偏，BC之間的PN結反偏或者零偏的時候。

由于BJT的結構上，存在兩個PN結，所以想要了解BJT的工作原理，還需要先復習一下PN結的相關狀態。

PN結有兩種工作狀態，確切的說，是有三種，即零偏，正偏和反偏。

零偏，就是PN結孤零零的待在那，外面沒有任何連接。

正偏，就是給PN結施加正向電壓，即PN結的P型區域為正，N型區域為負。

反偏，就是給PN結施加反向電壓，即PN結的P型區域為負，N型區域為正。

為了保證BJT的功能能順利實現，其在結構上還有以下幾個特點：

(1) 基區很薄很薄

(2) 發射極的摻雜濃度很高，即是重摻雜。

有的同學會說，既然BJT的結構顯示，BJT是由兩個PN結構成的，那它的等效電路不就是兩個面對面的二極管嘍。所以，直接拿兩個二極管按下圖所示連接，不就構成BJT了么?

如果真的這么簡單的話，就沒BJT什么事了。再說了，上面那個電路哪有放大效應，上面那個二極管處于反偏狀態，連個電流都過不去，何來放大?

所以，BJT雖然結構上是兩個PN結，但是其實里面是有大大的心機在里面的。

再說到PN結的正偏和反偏兩種工作狀態。

PN結正偏時，其外置電壓，會產生一個從P型區域指向N型區域的電場，這個電場的方向與內建電場的方向相反，因此，我們可以說，外置正向電壓會削弱PN結內的電場，進而降低PN結內的勢壘(potential barrier)。而potential barrier是阻礙擴散電流運動的，所以勢壘降低，會允許更大的擴散電流。

擴散電流包括兩部分，一個是從n型區域流向p型區域的電子電流;另一部分是從p型區域流向n型區域的空穴電流。NPN型BJT的發射極是n型的重摻雜，而基極是p型的輕摻雜，所以擴散電流中電子電流要遠大于空穴電流。

PN結反偏時，其外置電壓會產生一個從N型區域指向P型區域的電場，這個電場的方向與內建電場的方向一致。所以，外置反偏電壓會增強PN結內的電場，增加PN結內的勢壘，進而進一步阻礙擴散電流的運動。但是因為其耗盡區存在比較強的內建電場，假設外部有一個電子被注射到p型區域靠近耗盡區的部分，那么該電子會在內建電場的作用下，迅速到達n型區域。

而當BJT處于正常工作狀態時，就是BE間的PN結正偏(即VB>VE)，BC間的PN結反偏(VB

那么，會發生什么呢?

BE間的PN結正偏，則大量的電子流會從E極流向B極，同時會有少量的空穴流從B極流向E極?？紤]到PN結正偏，且基極很薄，所以其內建電場很小，則這些電場產生的漂移電流可以忽略不計;也就是說，上面的電子流和空穴流主要是屬于擴散電流。

因為B極很薄啊，所以流向B極的電子流，很容易就從B極的一邊到達B極的另一邊，而B極的另一邊則是BC間PN結的耗盡區。

因為BC間的PN結反偏，所以其耗盡區內的內建電場會比較大，嗖的一下，耗盡區靠近B極的電子，就去了C極。

這邊就能解釋，為啥BJT不能簡單地用兩個PN結來等效了，因為BC間的PN結雖然反偏，但是因為BJT的特殊結構，其其實是有電流流過的。

審核編輯：湯梓紅