榮湃Pai8131/Pai8171有別于傳統(tǒng)半橋驅(qū)動芯片，采用了電平轉(zhuǎn)換器Level Shifter，實現(xiàn)輸入側(cè)到半橋高側(cè)驅(qū)動的控制信號傳輸。

榮湃半橋驅(qū)動芯片具備哪些出色性能表現(xiàn)？本期「技術(shù)課堂」榮湃資深技術(shù)將作詳細解析

榮湃半橋驅(qū)動芯片Pai8131/Pai8171是基于榮湃iDivider隔離技術(shù)實現(xiàn)的高側(cè)700V耐壓的半橋驅(qū)動芯片。因為采用隔離技術(shù)實現(xiàn)信號傳輸，高側(cè)承受電壓由隔離柵設計決定，可以輕松實現(xiàn)非常高的耐壓。

以Pai8131/Pai8171為例，雖然由于爬電距離標稱高側(cè)耐壓為700V，但實測高側(cè)承受電壓在2000V以上。

得益于隔離技術(shù)重要參數(shù)指標之一，CMTI共模瞬態(tài)抗擾度，Pai8131/Pai8171 VS引腳瞬變電壓抗擾度高達100V/ns，非常適合高頻、高壓、高可靠性的各類橋臂驅(qū)動應用場景。

VS引腳產(chǎn)生震蕩和負壓的原因是當上管關(guān)閉時，由于負載呈感性，電流不能突變，電流便會從GND通過下管MOS的體二極管進行續(xù)流。在真實電路PCB布線中，該電流路徑上會存在寄生電感，續(xù)流電流通過路徑中的寄生電感，會在VS上產(chǎn)生負壓。

電壓大小與寄生電感、電流的變化速率成正比。如果負載電流越大，開關(guān)頻率越高，即di/dt 越大；同時電路中寄生電感越大，則VS引腳產(chǎn)生的震蕩和負壓就會越大，就會越容易損壞驅(qū)動芯片。

此外，開關(guān)頻率越大，開通速度越快，VS引腳產(chǎn)生的dv/dt，即電壓變化速率越大。如果選擇的半橋驅(qū)動芯片VS引腳dv/dt 抗干擾能力不足，便會導致驅(qū)動芯片內(nèi)部邏輯錯誤，可能會使得驅(qū)動器的高側(cè)和低側(cè)同時輸出高電平。上下管同時打開，造成短路，燒壞上下橋功率管。

榮湃將隔離技術(shù)方案應用于Pai8131/Pai8171半橋驅(qū)動芯片中，很好地解決了上述問題。內(nèi)置了典型值520ns的死區(qū)時間，dv/dt抗干擾能力超過100V/ns，VS引腳能承受700V直流高壓，非常適合高頻、高壓、高可靠性的各類橋臂驅(qū)動應用場景。

審核編輯：湯梓紅