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TB5128FTG替換THB6128驅動方案要點

jf_45356764 ? 來源:jf_45356764 ? 作者:jf_45356764 ? 2022-10-14 13:52 ? 次閱讀

目前市場上各種芯片都出現(xiàn)供應緊張或停產(chǎn),急需產(chǎn)品方案替代。替換方案時,首先要考慮性能相近的,其次是供應沒那么緊張的芯片。要用TB5128FTG來替換THB6128(LV8728)的驅動方案,首先對比一下芯片的各自特性。

THB6128的特性:

●雙全橋MOSFET驅動,低導通電阻Ron=0.55Ω

●最高耐壓40VDC,大電流2.2A(峰值)

●多種細分可選(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128)

●自動半流鎖定功能

●快衰、慢衰、混合式衰減三種衰減方式可選

●內(nèi)置溫度保護及過流保護

TB5128FTG的特性:

●低導通電阻(高壓側+低壓側=0.25Ω(典型值))雙全橋MOSFET驅動

●最高耐壓50VDC,大電流5.0A(峰值)(有關規(guī)格請參考絕對最大額定功率和工作范圍)

●允許全步、半步、四分之一步、1/8步、1/16步、1/32步、1/64步、1/28步運行。

●高效電機電流控制機構(ADMD:高級動態(tài)混合衰減)

●內(nèi)置無電流檢測電阻電路控制結構(ACDS:高級電流檢測系統(tǒng))

●多故障檢測功能(熱關斷(TSD)、過流保護(ISD)、上電復位(POR故障檢測(TSD/ISD/OPD)信號輸出功能

●內(nèi)置VCC調(diào)節(jié)器供內(nèi)部電路使用

通過以上簡單對比,TB5128FTG除了沒有自動半流控制電路外,其它功能基本都有,甚至性能更好。比如耐壓更高,電流更大,內(nèi)阻更低等等。方案替換基本不成問題。至于自動半流鎖相電路,如果與MCU控制整合在同一塊板上的,可以直接用MCU的IO口來實現(xiàn)半流鎖相;若是單獨的驅動板,可以外加74HC123芯片來實現(xiàn)自動半流鎖相控制。

方案替換時,有些細節(jié)要稍微注意一下。畢竟不是同一廠家的芯片,應用上還是有些差異。注意處理好就行。以下是TB5128FTG功能基本與THB6128相同,應用上有差異的引腳:

RESET(復位),高電平時進入復位,低電平時芯片正常工作

MDT0、MDT1(衰減設置),通過兩個引腳的高、低電平來選擇四種不同的衰減模式

OSCM斬波頻率相關設置,是通過電阻和電容來生成主頻率,然后分頻率成對應的斬波頻率

VCC內(nèi)部5V穩(wěn)壓引出,外接濾波電容(0.1uF~1uF),若外部有5V穩(wěn)壓電源,不建議直接連接。

CPOUT對應THB6128的VREG2,TB5128FTG還多了一個電容,分別連接CP+、CP-

以下是TB5128FTG才有的引腳,替換THB6128驅動方案時,部分引腳狀態(tài)可以直接固定。

TORQE相當于選擇輸出的電流是設置值的100%還是50%,可以用來作為半流鎖相控制

EDG_SEL選擇CLK步進脈沖的有效觸發(fā)邊沿,低電平時,和THB6128一樣,CLK是上升沿觸發(fā)。

GAIN_SEL選擇增益的比例。低電平時和THB6128一樣是5倍。IO=VREF/5/RS(采樣電阻阻值)

IF_SEL選擇芯片的控制模式。低電平時和THB6128一樣是CLK控制模式。

RS_SEL選擇芯片的電流采樣模式。高電平時和THB6128一樣是外接采樣電阻來采樣芯片的電流。

審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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