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TVS管的基礎(chǔ)知識(shí)

jf_EPM6D1nS ? 來(lái)源:衡麗 ? 作者:衡麗 ? 2022-10-19 10:32 ? 次閱讀

一.TVS管概述

當(dāng)TVS管(瞬態(tài)電壓抑制器)兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí),能以 10 的負(fù) 12 次方秒量級(jí)的速度,將兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗箖蓸O間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定的值,有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件。

在浪涌電壓作用下,TVS 兩極間的電壓由額定反向關(guān)斷電壓 VWM 上升到擊穿電壓 VBR,而被擊穿。

隨著擊穿電流的出現(xiàn),流過(guò) TVS 的電流將達(dá)到峰值脈沖電流 IPP,同時(shí)在其兩端的電壓被鉗位到預(yù)定的最大鉗位電壓 VC 以下。

其后,隨著脈沖電流按指數(shù)衰減,TVS 兩極間的電壓也不斷下降,最后恢復(fù)到初態(tài)。

TVS 管有單向與雙向之分,單向 TVS 管的特性與穩(wěn)壓二極管相似,雙向 TVS管的特性相當(dāng)于兩個(gè)穩(wěn)壓二極管反向串聯(lián)。

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二.其主要特性參數(shù)

1、反向截止電壓 VRWM 與反向漏電流 IR:反向截止電壓 VRWM 表示 TVS 管不導(dǎo)通的最高電壓,在這個(gè)電壓下只有很小的反向漏電流 IR。

2、擊穿電壓 VBR:TVS 管通過(guò)規(guī)定的測(cè)試電流時(shí)的電壓,這是表示 TVS 管導(dǎo)通的標(biāo)志電壓。

3、脈沖峰值電流 IPP:TVS 管允許通過(guò)的 10/1000μs 波的最大峰值電流(8/20μs 波的峰值電流約為其 5 倍左右),超過(guò)這個(gè)電流值就可能造成永久性損壞。

在同一個(gè)系列中,擊穿電壓越高的管子允許通過(guò)的峰值電流越小,一般是幾 A~幾十 A。

4、最大箝位電壓 VC:TVS 管流過(guò)脈沖峰值電流 IPP 時(shí)兩端所呈現(xiàn)的電壓。

5、脈沖峰值功率 Pm:脈沖峰值功率 Pm 是指 10/1000μs 波的脈沖峰值電流 IPP 與最大箝位電壓 VC 的乘積,即 Pm=IPP*VC。

在給定的最大鉗位電壓下,功耗 PM 越大,其浪涌電流承受能力也就越大,在給定的功耗 PM 下,鉗位電壓越低,其浪涌電流的承受能力越大。

另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形,持續(xù)時(shí)間和環(huán)境溫度有關(guān):典型的脈沖波形持續(xù)時(shí)間為 1ms,當(dāng)施加到二極管上的脈沖波形持續(xù)時(shí)間小于 TP,則隨著 TP 的減小脈沖峰值功率增加,TVS 所能承受的瞬態(tài)脈沖式不重復(fù)的,如果電路內(nèi)出現(xiàn)重復(fù)性脈沖,應(yīng)考慮脈沖功率的累積可能損壞 TVS。

6、穩(wěn)態(tài)功率 P0:TVS 管也可以作穩(wěn)壓二極管用,這時(shí)要使用穩(wěn)態(tài)功率。

7、極間電容 Cj:與壓敏電阻一樣,TVS 管的極間電容 Cj 也較大,且單向的比雙向的大,功率越大的電容也越大,極間電容會(huì)影響 TVS 的響應(yīng)時(shí)間。

三.優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn):響應(yīng)速度快,為 ns 級(jí)、瞬態(tài)功率大、漏電流低;其 10/1000μs 波脈沖功率從 400W~30KW,脈沖峰值電流從 0、52A~544A;擊穿電壓有從 6、8V~550V 的系列值,便于各種不同電壓的電路使用。

缺點(diǎn):耐浪涌沖擊能力較放電管和壓敏電阻差;穩(wěn)壓二極管:反應(yīng)較慢;一般用于電壓精度要求高的地方(一般較小),防浪涌,擊穿電壓精準(zhǔn),各壓值檔都有;齊納擊穿;壓敏電阻:與穩(wěn)壓二極管相似,但不可恢復(fù)。

四.選型依據(jù)及注意事項(xiàng)

1、TVS 的最大反向鉗位電壓 VC 應(yīng)小于被保護(hù)電路的損壞電壓。

2、TVS 的額定反向關(guān)斷電壓 VWM 要大于或等于被保護(hù)電路的最大工作電壓, 若選用的 VWM 太低,器件可能進(jìn)入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作; 串行連接分電壓,并行連接分電流。

3、交流電壓只能用雙向 TVS。

4、在規(guī)定的脈沖持續(xù)時(shí)間內(nèi),TVS 的最大峰值脈沖功率 PM 必須大于被保護(hù)電路可能出現(xiàn)的峰值脈沖功率,在確定了最大鉗位電壓后,其峰值脈沖電流應(yīng)大于瞬態(tài)浪涌電流。

5、結(jié)電容是影響 TVS 在高速線路中使用的關(guān)鍵因素,在這種情況下,一般用一個(gè) TVS 管和一個(gè)快恢復(fù)二極管以背對(duì)背的方式連接,由于快恢復(fù)二極管有較小的結(jié)電容,因而二者串聯(lián)的等小電容也較小,可以滿足高頻使用的要求。

6、需要考慮降額使用的應(yīng)用;應(yīng)用場(chǎng)合:功率開(kāi)關(guān)電路;整流二極管(與之同向);電源變壓器;防直流電源反接或電源通斷時(shí)產(chǎn)生的瞬時(shí)脈沖;抑制電機(jī),斷電器線圈,螺線管等感性負(fù)載產(chǎn)生的瞬時(shí)脈沖電壓;控制系統(tǒng)的輸入輸出端。

7、確定被保護(hù)電路的最大直流或連續(xù)工作電壓、電路的額定標(biāo)準(zhǔn)電壓和“高端”容限。

8、對(duì)于數(shù)據(jù)接口電路的保護(hù),還必須注意選取具有合適寄生電容的TVS器件。

9、根據(jù)用途選用TVS的極性及封裝結(jié)構(gòu),交流電路選用雙極性TVS較為合理;多線保護(hù)選用TVS陣列更為有利。

10、溫度考慮,瞬態(tài)電壓抑制器可以在-55℃~+150℃之間工作,如果需要TVS在一個(gè)變化的溫度工作,由于其反向漏電流ID是隨增加而增大;功耗隨TVS結(jié)溫增加而下降,從+25℃~+175℃,大約線性下降50%與擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數(shù)增加,因此,必須查閱有關(guān)產(chǎn)品資料,考慮溫度變化對(duì)其特性的影響。

11、處理瞬時(shí)脈沖對(duì)元件損害的最好辦法是將瞬時(shí)電流從感應(yīng)元件引開(kāi),TVS二極管在線路板上與被保護(hù)線路進(jìn)行并聯(lián),當(dāng)瞬時(shí)電壓超過(guò)電路正常工作電壓后,TVS二極管便產(chǎn)生雪崩,提供給瞬時(shí)電流一個(gè)超低電阻通路,其結(jié)果是瞬時(shí)電流透過(guò)二極管被引開(kāi),避開(kāi)被保護(hù)元件,并且在電壓恢復(fù)正常值之前使被保護(hù)回路一直保持截止電壓。

當(dāng)瞬時(shí)脈沖結(jié)束以后,TVS二極管自動(dòng)回復(fù)高阻狀態(tài),整個(gè)回路進(jìn)入正常電壓,許多元件在承受多次沖擊后,其參數(shù)及性能會(huì)產(chǎn)生退化,而只要工作在限定范圍內(nèi),二極管將不會(huì)產(chǎn)生損壞或退化。

使用注意事項(xiàng):

1、對(duì)瞬變電壓的吸收功率峰值與瞬變電壓脈沖寬度間的關(guān)系,手冊(cè)給的只是特定脈寬下的吸收功率峰值,實(shí)際線路中的脈沖寬度則變化莫測(cè),事前要有估計(jì),對(duì)寬脈沖應(yīng)降額使用。

2、對(duì)小電流負(fù)載的保護(hù),可有意識(shí)地在電路中增加限流電阻,只要限流電阻的阻值合適,不影響線路的正常工作,但限流電阻對(duì)干擾所產(chǎn)生的電流卻會(huì)大大減小,這就有可能選用峰值功率較小的 TVS 管來(lái)對(duì)小電流負(fù)載電路進(jìn)行保護(hù)。

3、對(duì)重復(fù)出現(xiàn)的瞬變電壓的抑制,要注意 TVS 管的穩(wěn)態(tài)平均功率是否在安全范圍之內(nèi)。

4、環(huán)境溫度升高時(shí)要降額使用,TVS 管的引線長(zhǎng)短,它與被保護(hù)線路的相對(duì)距離。

五.應(yīng)用舉例

直流電路中選用舉例:整機(jī)直流工作電壓 12V,最大允許安全電壓 25V(峰值),浪涌源的阻抗 50MΩ,其干擾波形為方波,TP=1ms,最大峰值電流 50A。選擇:

1、先從工作電壓 12V 選取最大反向工作電壓 VRWM 為 13V,則擊穿電壓為 V(BR)=VRWM/0.85=15.3V;

2、從擊穿電壓值選取最大箝位電壓VC(MAX)=1.30×V(BR)=19.89V,取 VC=20V;

3、再?gòu)捏槲浑妷?VC 和峰值電流 IP 計(jì)算出方波脈沖峰值功率:PPR=VC×IP=20×50=1000W。

4、計(jì)算折合為 TP=1MS 指數(shù)波的峰值功率,折合系數(shù) K1=1.4, PPR=1000W÷1.4=715W 交流電路選用舉例:直流線路采用單向瞬變電壓抑制二極管,交流則必須采用雙向瞬變電壓抑制二極管。

交流是電網(wǎng)電壓,這里產(chǎn)生的瞬變電壓是隨機(jī)的,有時(shí)還遇到雷擊(雷電感應(yīng)產(chǎn)生的瞬變電壓)所以很難定量估算出瞬時(shí)脈沖功率 PPR。

但是對(duì)最大反向工作電壓必須有正確的選取,一般原則是交流電壓乘 1.4 倍來(lái)選取 TVS 管的最大反向工作電壓,直流電壓則按 1.1—1.2 倍來(lái)選取 TVS 管的最大反向工作電壓VRWM,TVS 保護(hù)直流穩(wěn)壓電源實(shí)例:

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圖中是一個(gè)直流穩(wěn)壓電源,并有擴(kuò)大電流輸出的晶體管,在其穩(wěn)壓輸出端加上瞬變電壓抑制二極管,可以保護(hù)使用該電源的儀器設(shè)備,同時(shí)還可以吸收電路中的集電極到發(fā)射極間的峰值電壓,保護(hù)晶體管,建議在每個(gè)穩(wěn)壓電源輸出端加一個(gè)TVS 管,可以大幅度提高整機(jī)應(yīng)用的可靠性。

還有用 TVS 保護(hù)晶體管,集成電路可控硅,功率 MOS 管即在在柵源之間加上瞬變電壓抑制二極管,可防止柵極擊穿,繼電器等。

繼電器的觸點(diǎn)往往用大電流去開(kāi)關(guān)電動(dòng)機(jī)等大電流電感負(fù)載,而電感在開(kāi)關(guān)時(shí)有很高的反電勢(shì)而且有較大的能量,往往把觸點(diǎn)燒壞或擊穿產(chǎn)生電弧等,必須對(duì)觸點(diǎn)采取保護(hù),抑制電弧的產(chǎn)生,以保護(hù)繼電器。

但是這種電弧產(chǎn)生的浪涌電流很大,過(guò)去采用電容或者用電容串聯(lián)電阻、二極管、二極管串聯(lián)電阻等抑制方案,現(xiàn)在采用瞬變電壓抑制二極管方案效果更好。

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直流電源防護(hù)設(shè)計(jì)

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室外網(wǎng)口防護(hù)電路

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注意,TVS管的寄生電容可能影響信號(hào)完整性,可以使用壓敏電阻放在變壓器抽頭,作為防護(hù)電路,支持更高速率的網(wǎng)口設(shè)計(jì)。

232防護(hù)電路設(shè)計(jì)

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485防護(hù)電路設(shè)計(jì)

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六.壓敏電阻 VS TVS管

1、材料本征響應(yīng)時(shí)間由上面的導(dǎo)通機(jī)理分析可以知道,氧化鋅壓敏陶瓷導(dǎo)電機(jī)理是隧道擊穿,所以其材料響應(yīng)時(shí)間就是其隧道電子擊穿時(shí)間,一般為0.3ns。

TVS管導(dǎo)電機(jī)理是雪崩擊穿,其響應(yīng)時(shí)間就是其雪崩電子擊穿時(shí)間,一般在0.5~1ns之間。

2、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)對(duì)響應(yīng)時(shí)間影響片式氧化鋅壓敏電阻器采用多層獨(dú)石結(jié)構(gòu),其寄生電感非常小,對(duì)其響應(yīng)時(shí)間影響甚微,有些設(shè)計(jì)人員談到的壓敏電阻響應(yīng)時(shí)間慢主要指用于AC端防浪涌的插件壓敏電阻,因?yàn)檩^長(zhǎng)的引線引入寄生的電感導(dǎo)致響應(yīng)時(shí)間較慢(25ns)。

而TVS管為了SMT要求,在其兩端設(shè)計(jì)電極引線,也會(huì)產(chǎn)生寄生電感,對(duì)其響應(yīng)時(shí)間有一定影響。

ESD放電波形一般在1nS達(dá)到峰值,這就需要過(guò)電壓防護(hù)器件在1nS內(nèi)迅速響應(yīng),鉗制過(guò)電壓,保護(hù)IC和ESD敏感線路。

從響應(yīng)時(shí)間看,片式壓敏電阻和TVS的響應(yīng)時(shí)間都滿足ESD防護(hù)的需求,從而起到良好的防護(hù)效果。

綜合以上分析和對(duì)比,片式氧化鋅壓敏陶瓷電阻和TVS管均是抑制ESD的有效器件,TVS管限制電壓較低,瞬態(tài)內(nèi)阻較小,適合應(yīng)用于耐ESD電壓特別差或者被保護(hù)部位阻抗特別小的部位,如聽(tīng)筒、MIC、音頻等。

而壓敏電阻的吸收能量的能力比TVS管要強(qiáng),除了一般的ESD防護(hù),也特別適合于電源部位和較大瞬態(tài)能量的部位過(guò)壓防護(hù)。

在響應(yīng)時(shí)間方面,要避免陷入片式氧化鋅壓敏陶瓷電阻的響應(yīng)時(shí)間慢的誤區(qū)。

由于工藝的差異,片式壓敏電阻的價(jià)格要遠(yuǎn)低于TVS,表現(xiàn)出良好的性價(jià)比,設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)電路的實(shí)際應(yīng)用靈活選擇片式壓敏電阻或者TVS。

TVS 是半導(dǎo)體保護(hù)器件,具有響應(yīng)速度快,可靠性高的優(yōu)點(diǎn),弱點(diǎn)一是無(wú)法承受太大的瞬間電流,二是其箝位電壓隨著電流增加而增加。

特別適合于不需要旁路大能量的低電壓場(chǎng)合應(yīng)用,示例電路如下:

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壓敏電阻的突破承載取決于它的物理尺寸,因而可以獲得較高的浪涌電流值,其箝位特性使他可以為AC或DC電源線應(yīng)用中作為瞬態(tài)保護(hù)元件,壓敏電阻的價(jià)格較為低廉。

相比TVS二極管它的缺點(diǎn)是寄生電容較大,響應(yīng)時(shí)間較慢,離散性大,另外壓敏電阻會(huì)產(chǎn)生蛻化,因此存在可靠性和性能問(wèn)題。

實(shí)例電路AC200V電源防雷:

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DC12V/24V 電源防雷:

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七.陶瓷氣體放電管 VS TVS管

陶瓷氣體放電管:主要用于線路中的防雷和過(guò)壓保護(hù),氣體放電管指作過(guò)電壓保護(hù)用的避雷管或天線開(kāi)關(guān)管一類,管內(nèi)有二個(gè)或多個(gè)電極,充有一定量的惰性氣體,氣體放電管是一種間隙式的防雷保護(hù)元件,它用在通信系統(tǒng)的防雷保護(hù)。

當(dāng)外加電壓增大到超過(guò)氣體的絕緣強(qiáng)度時(shí),兩極間的間隙將放電擊穿,由原來(lái)的絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導(dǎo)電狀態(tài),導(dǎo)通后放電管兩極之間的電壓維持在放電弧道所決定的殘壓水平。

GDT 的特點(diǎn)是大通流量、高耐壓值、極低的結(jié)間電容。缺點(diǎn)是多次工作后性能下降需要更換,并且在有源接口應(yīng)用時(shí)必須要注意維持電壓或者續(xù)流問(wèn)題,因此一般也多配合壓敏電阻使用。GDT的工作模式:

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雷擊電壓通過(guò)不同電壓防護(hù)器件的波形

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八.TSS管 VS TVS管

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圖 TSS管的原理圖符號(hào)

電壓開(kāi)關(guān)型瞬態(tài)抑制二極管(TSS)與TVS管相同,也是利用半導(dǎo)體工藝制成的限壓保護(hù)器件,但其工作原理與氣體放電管類似,而與壓敏電阻和TVS管不同。

當(dāng)TSS管兩端的過(guò)電壓超過(guò)TSS管的擊穿電壓時(shí),TSS管將把過(guò)電壓鉗位到比擊穿電壓更低的接近0V的水平上,之后TSS管持續(xù)這種短路狀態(tài),直到流過(guò)TSS管的過(guò)電流降到臨界值以下后,TSS恢復(fù)開(kāi)路狀態(tài)。

TSS是電壓開(kāi)關(guān)型瞬態(tài)抑制二極管,就是涌抑制晶體管或者叫做導(dǎo)體放電管,固體放電管等等。

TSS管是利用半導(dǎo)體工藝制成的保護(hù)器件,主要用于信號(hào)電路的防雷保護(hù),不能用在電源端口。

TSS器件的通流容量一般最高可達(dá)到150A(8/20uS)。

TSS管和TVS管都是利用半導(dǎo)體工藝制成的限壓保護(hù)器件,TSS管是電壓開(kāi)關(guān)型的,TVS是電壓鉗位型的。

TSS管在響應(yīng)時(shí)間,結(jié)電容方面與TVS管是相同特點(diǎn),易于制成表貼器件,很適合在單板上使用,TSS管適合于信號(hào)電平較高的信號(hào)電路保護(hù)。

TSS管在響應(yīng)時(shí)間、結(jié)電容方面具有與TVS管相同的特點(diǎn)。

易于制成表貼器件,很適合在單板上使用,TSS管動(dòng)作后,將過(guò)電壓從擊穿電壓值附近下拉到接近0V的水平,這時(shí)二極管的結(jié)壓降小,所以用于信號(hào)電平較高的線路,例如模擬用戶線、ADSL等。

TSS適合于信號(hào)電平較高的信號(hào)線路的保護(hù)。

在使用TSS管時(shí),需要注意的一個(gè)問(wèn)題是:TSS管在過(guò)電壓作用下?lián)舸┖螅?dāng)流過(guò)TSS管的電流值下降到臨界值以下后TSS管才恢復(fù)開(kāi)路狀態(tài),因此TSS管在信號(hào)線路中使用時(shí),信號(hào)線路的常態(tài)電流應(yīng)小于TSS管的臨界恢復(fù)電流。

臨界恢復(fù)電流值隨TSS管的型號(hào)和設(shè)計(jì)應(yīng)用場(chǎng)合的不同而不同,使用時(shí)應(yīng)注意在器件手冊(cè)中查明所用具體型號(hào)的確切值。

TSS管的擊穿電壓、通流容量是電路設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)重點(diǎn)考慮的,在信號(hào)回路中時(shí),應(yīng)當(dāng)有:min(UBR)≥(1.2~1.5)Umax,式中Umax為信號(hào)回路的峰值電壓。

TSS管較多應(yīng)用于信號(hào)線路的防雷保護(hù)。

TSS管的失效模式主要是短路,但當(dāng)通過(guò)的過(guò)電流太大時(shí),也可能造成TSS管被炸裂而開(kāi)路,TSS管的使用壽命相對(duì)較長(zhǎng)。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:TVS管全解

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    晶體二極基礎(chǔ)知識(shí)與檢測(cè)方法 一.二極基礎(chǔ)知識(shí)
    發(fā)表于 04-20 14:39 ?4223次閱讀

    三極基礎(chǔ)知識(shí)及檢測(cè)方法

    三極基礎(chǔ)知識(shí)及檢測(cè)方法 一、晶體基礎(chǔ)
    發(fā)表于 04-22 08:58 ?7744次閱讀

    關(guān)于MOS基礎(chǔ)知識(shí)

    文章主要是講一下關(guān)于MOS基礎(chǔ)知識(shí),例如:MOS管工作原理、MOS封裝等知識(shí)
    發(fā)表于 05-23 10:09 ?1528次閱讀
    關(guān)于MOS<b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>

    TVS的功率計(jì)算與選型

    咱還是接著聊TVS。前面講了TVS的關(guān)鍵參數(shù),和穩(wěn)壓的區(qū)別以及TVS
    的頭像 發(fā)表于 12-06 09:12 ?4808次閱讀
    <b class='flag-5'>TVS</b><b class='flag-5'>管</b>的功率計(jì)算與選型

    場(chǎng)效應(yīng)基礎(chǔ)知識(shí)

    ` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯 場(chǎng)效應(yīng)基礎(chǔ)知識(shí)`
    發(fā)表于 08-13 14:21

    場(chǎng)效應(yīng)基礎(chǔ)知識(shí)

    場(chǎng)效應(yīng)基礎(chǔ)知識(shí),不知道對(duì)大家有用不!
    發(fā)表于 05-19 16:14

    大功率TVS與小功率TVS的區(qū)別

    與小功率TVS管有何區(qū)別等等問(wèn)題。小編今天帶來(lái)的是大功率TVS方方面面知識(shí),一起來(lái)看看吧。何為大功率TVS二極
    發(fā)表于 09-27 17:36

    晶體基礎(chǔ)知識(shí)

    晶體基礎(chǔ)知識(shí) 雙極結(jié)型三極相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極 PN 結(jié)。正向偏置的 EB 結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū),其中大部分空穴能夠到達(dá)集
    發(fā)表于 06-19 09:50 ?1856次閱讀
    晶體<b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>

    三極基礎(chǔ)知識(shí)及檢測(cè)方法簡(jiǎn)介

    三極基礎(chǔ)知識(shí)及檢測(cè)方法簡(jiǎn)介 一、晶體基礎(chǔ)
    發(fā)表于 11-28 10:49 ?1658次閱讀

    電源管理基礎(chǔ)知識(shí)電源管理基礎(chǔ)知識(shí)電源管理基礎(chǔ)知識(shí)

    電源管理基礎(chǔ)知識(shí)電源管理基礎(chǔ)知識(shí)電源管理基礎(chǔ)知識(shí)
    發(fā)表于 09-15 14:36 ?76次下載
    電源管理<b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>電源管理<b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>電源管理<b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>

    剖析ESD/TVS基礎(chǔ)知識(shí)與參數(shù)選型

    介紹了ESD/TVS的簡(jiǎn)單知識(shí)、主要參數(shù)、使用方法、選型要求等
    發(fā)表于 02-15 15:12 ?13次下載

    MOS基礎(chǔ)知識(shí)

    今天給大家分享MOS基礎(chǔ)知識(shí)。 ? ? ? 審核編輯:彭靜
    的頭像 發(fā)表于 07-22 14:18 ?2060次閱讀

    關(guān)于mos基礎(chǔ)知識(shí)

    主要是講一下關(guān)于mos基礎(chǔ)知識(shí),例如:mos管工作原理、mos封裝等知識(shí)
    的頭像 發(fā)表于 01-29 09:27 ?4446次閱讀

    MOS基礎(chǔ)知識(shí)介紹

    文章主要是講一下關(guān)于mos基礎(chǔ)知識(shí),例如:mos管工作原理、mos封裝等知識(shí)
    的頭像 發(fā)表于 05-18 10:38 ?3101次閱讀
    MOS<b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>介紹
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