FP5207B DFN-10L(EP)封裝，遠翔DC-DC電源管理大功率升壓恒壓芯片，帶軟啟動可調頻率可調。

芯片概述

FP5207B是一款大功率異步升壓恒壓芯片，外置N溝MOS驅動，與肖特基和電感形成回路組成升壓架構;工作電壓低至2.8V啟動，可適用已單節電池供電，高至24V寬壓工作，甚至可通過外部三極管穩壓高壓供電;恒壓基準(VFB)為1.2V±2%，電壓高誤差小，提高輸出的準確度;工作頻率(RT)可調為100-1000KHz，可根據需求調整頻率段;軟啟動(SS)可調，可根據需要啟動時間來調整。

芯片特色

效率高達90%以上 低功耗，芯片關機功耗最低3uA 啟動電壓2.8V，穩定工作電壓5-24V，擴展電壓為24-48V 恒壓基準值為1.2V±2% 工作頻率100-1000KHz 芯片軟啟動可調(SS) 芯片輸入具有可調過流保護(OCP) 芯片輸入低壓保護(UVP) 芯片具有過溫保護(OTP)

C1、C7：輸入與輸出穩壓電容。 C2、C6、C8：高頻噪聲濾波電容。 C3：輸入電源接 HVDD 經過內部穩壓管到 VDS 產生 8V，此電壓會提供內部電路與 EXT Pin驅動外部 Q2 的閘極，需要加穩壓電容。 C4、C5、C13、R1、R5：系統的補償回路，關系到系統的穩定度。 C17：軟啟動電容，改變電容值調整啟動時間。 L1：電感具有儲能與濾波功用，感值越大電感漣波越小，相對感值越小漣波越大。選用電感需注意電感是否適合高頻操作，及電感額定飽和電流值。 D1：當 Q2 截止時，D1 蕭特基管導通提供電感放電回路。 Q2：使用內阻低的 NMOS，Drain 端高電壓等于輸出 19V，耐壓選用 19V 的 1.5 倍。 R3：Vin 與 EN 之間接 200kΩ，自動啟動 IC。 R6：調整工作頻率電阻。 R11、R12：分壓電阻設定輸出電壓。 R8：預留作為 EMI 對策。 Rcs：電感峰值電流檢測與過電流保護電阻。

注意事項: 大電流路徑走線要粗，鋪銅走線最佳。 開關切換連接點 L1、Q2 的 Drain 端與 D1，走線要短與粗，鋪銅走線最佳。 輸入電容 C6 靠近 HVDD 與 GND Pin，達到穩壓與濾波功效。 分壓電阻 R11/R12 靠近 FB 與 GND Pin。 FB Pin 遠離開關切換點 L1、Q2 的 Drain 與 D1，避免受到干擾。 輸入電容 C1/C2 的地、輸出電容 C7/C8 與 Rcs 的地，鋪銅走線，上下層地多打洞連接。 輸出電容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地，可以降低開關切換突波，降低輸出高頻噪聲。 Rcs 靠近 CS 與 GND pin。 板子多余空間建議鋪地。

審核編輯：湯梓紅