你知道什么是MOSFET嗎？MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中。一般由Source(源極)， Drain(漏極)，Gate(柵極)，Bulk(體電極)組成。MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管等材料制作，是材料及器件研究的熱點(diǎn)。

MOSFET有以下測(cè)試難點(diǎn)

1.由于MOSFET是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2.MOSFET的漏電越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3.MOSFET動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4.隨著MOSFET特征尺寸越來(lái)越小，自加熱效應(yīng)成為影響MOSFET可靠性的重要因素。

脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)。所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖 IV測(cè)試，用以評(píng)估器件的自加熱特性。

5.MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。

所以MOSFET的電容測(cè)試非常重要。由于MOSFET的電容是非線性，且不同頻率下曲線不同，所以需要能進(jìn)行多頻率，多電壓下的CVU進(jìn)行測(cè)試。

針對(duì)這些問(wèn)題，安泰儀器服務(wù)中心提供了以下的測(cè)試方案：

測(cè)試設(shè)備安泰推薦儀器:4200A-SCS

并加配:中功率SMU/高功率SMU/電容測(cè)試單元CVU/超快脈沖測(cè)試單元PMU/切換開(kāi)關(guān)等

測(cè)試載臺(tái):探針臺(tái)/測(cè)試夾具

測(cè)試設(shè)備:2600-PCT，可選配:200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流配置。

測(cè)試載臺(tái):高功率探針臺(tái)/測(cè)試夾具

安泰儀器服務(wù)中心提供的這臺(tái)參數(shù)分析儀具有以下優(yōu)勢(shì)：

1、集成化的測(cè)試系統(tǒng)，直流測(cè)試/CV測(cè)試/脈沖IV測(cè)試集于一體，9個(gè)卡槽靈活配置測(cè)試模塊；

2、最小電流測(cè)試精度10fA，最大電壓210V;四線法配置+40V差分脈沖，最小脈寬10ns，200M采樣率，任意波形編輯功能；

3、自帶Clarius操作軟件，圖形化設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)單易懂；豐富的測(cè)試庫(kù)直接用，減少測(cè)試配置時(shí)間；

4、多種切換開(kāi)關(guān)，支持SMU/PMU/CVU的自動(dòng)切換，消除換線煩惱；

5、提供低漏電矩陣開(kāi)關(guān)，為自動(dòng)化，高密度，大批量測(cè)試提供支持；

6、開(kāi)放設(shè)備底層指令，附帶編譯軟件，支持自編程。