氮化鎵器件的性能優(yōu)勢(shì)
審核編輯：彭靜
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氮化鎵
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原文標(biāo)題：【半導(dǎo)光電】氮化鎵器件應(yīng)用與集成化技術(shù)詳解
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更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
發(fā)表于 06-15 15:32
什么是氮化鎵（GaN）？
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發(fā)表于 06-15 15:41
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)
發(fā)表于 06-15 15:47
為什么氮化鎵比硅更好？
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的
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什么是氮化鎵功率芯片？
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入
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有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念
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由于氮化鎵器件具備優(yōu)越的性能優(yōu)勢(shì)，支持基于氮化鎵
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