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砷化鎵基板晶面與晶向位置簡析

芯片工藝技術 ? 來源:芯片工藝技術 ? 作者:丁不四 ? 2022-11-10 10:54 ? 次閱讀

對于做激光應用的砷化鎵基板,晶向有很重要的應用。關乎了激光芯片的成品質量和合格率,通過在wafer上劃片,劈裂,我們得到了die,一顆完整的die如下圖所以,這個只是芯片的一個端面。

但是通常把這個面作為芯片的腔體面,也是激光器的解離面{110}晶面。

69d53dd4-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

側邊傾斜是由于砷化鎵的100面的傾斜。

定義:

6a208028-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

再來看看die在晶圓中的晶向位置:

6a4b7b8e-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

6a717ffa-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

(0-11)和(0-1-1)原本其實都可以作為出光面,但是實際的基板常有個傾斜問題,如第二幅圖。因此(0-1-1)面是被抬高了旋轉了,即基板以[0-11]晶向過圓心的直線為軸,向(011)面旋轉一個角度,如下圖的a角。

6aa0901a-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

6b45be46-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png

基板旋轉,(100)晶向不再垂直于晶圓表面,因此(0-1-1)面也不垂直表面了。因此切割出的die所形成的銳角=90°-a角。

PS:英文版的晶向、晶面、晶向族的定義。

6b651db8-6019-11ed-8abf-dac502259ad0.png






審核編輯:劉清

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原文標題:砷化鎵基板晶向---終結章

文章出處:【微信號:dingg6602,微信公眾號:芯片工藝技術】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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