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具有不同配位環(huán)境的Pt單原子層的可控制備研究

清新電源 ? 來(lái)源:科學(xué)溫故社 ? 作者:劉福東團(tuán)隊(duì) ? 2022-11-14 10:43 ? 次閱讀

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金屬位點(diǎn)的局部配位結(jié)構(gòu)決定了負(fù)載型金屬催化劑的性能。在本工作中,作者利用表面缺陷富集策略,在CeO2-Al2O3載體上以鉑單原子(Pt1)為前體物成功制備了具有100%金屬分散和局部配位環(huán)境(嵌入與吸附)精確控制的鉑單原子層(PtASL)結(jié)構(gòu)。

研究發(fā)現(xiàn)Pt1的局部配位環(huán)境不僅決定了其催化活性,還決定了其在還原活化過(guò)程中的結(jié)構(gòu)演變。在低溫催化一氧化碳(CO)氧化反應(yīng)中,嵌入CeO2晶格中的PtASL活性位點(diǎn)表現(xiàn)出最高的轉(zhuǎn)化頻率,其活性是吸附在CeO2表面的PtASL位點(diǎn)的3.5倍,是Pt1位點(diǎn)的10-70倍。

進(jìn)一步研究表明,嵌入的PtASL有利于CO的吸附和促進(jìn)CeO2中晶格氧的活化/反應(yīng)性,因而有效促進(jìn)了CO催化氧化活性。這項(xiàng)工作為精確控制活性金屬位點(diǎn)的局部配位結(jié)構(gòu),以及實(shí)現(xiàn)100%的原子利用效率和目標(biāo)反應(yīng)的最高本征催化活性提供了新思路。

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背景介紹

由于具有近100%的金屬利用效率,原子級(jí)分散的金屬催化劑在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)出巨大優(yōu)勢(shì),尤其是對(duì)于高成本的貴金屬催化劑。作為多相催化中的一個(gè)新興材料體系,負(fù)載型金屬單原子催化劑(SACs)在過(guò)去十年中得到了廣泛的應(yīng)用。

SACs的本征催化活性高度取決于孤立金屬原子的配位結(jié)構(gòu),然而精確控制SACs中金屬原子的配位結(jié)構(gòu)仍然是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。此外,由于完全孤立的金屬原子之間缺乏協(xié)同作用,提高SACs對(duì)特定反應(yīng)比如低溫CO氧化的本征活性則極為困難。

最近有研究表明,在有缺陷的載體上可以構(gòu)筑金屬原子單層(ASL)或二維筏(2D rafts)結(jié)構(gòu),該類結(jié)構(gòu)不僅可以保持100%的金屬利用效率,同時(shí)相鄰金屬原子之間可表現(xiàn)出協(xié)同效應(yīng),因此在多個(gè)催化應(yīng)用中表現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。除了在特定載體上直接合成二維筏結(jié)構(gòu)之外,金屬ASL結(jié)構(gòu)也可以有效地通過(guò)對(duì)金屬單原子的后還原處理來(lái)進(jìn)行構(gòu)筑。

例如,通過(guò)在H2氣氛中的精確還原控制,Pt集合體(ensemble)或Pt單層結(jié)構(gòu)可以由氧化鈰(CeO2)上負(fù)載的Pt單原子制備獲得,它們?cè)贑O氧化中表現(xiàn)出比Pt單原子催化劑更高的活性。盡管如Pt等金屬ASL結(jié)構(gòu)已經(jīng)在多個(gè)載體上成功地制備,但據(jù)我們所知,這些結(jié)構(gòu)通常存在于載體表面,相對(duì)缺乏與載體晶格之間的強(qiáng)相互作用。

據(jù)報(bào)道,無(wú)論對(duì)于負(fù)載型金屬單原子還是金屬團(tuán)簇催化劑,金屬活性位的局部配位結(jié)構(gòu)決定了其催化性能。然而,對(duì)于金屬ASL催化劑,ASL局部配位結(jié)構(gòu)是否同樣影響其催化性能仍不清楚。此外,以Pt為例,如果Pt ASL活性位可以由Pt SACs經(jīng)過(guò)后還原處理制備得到,那么Pt SACs的配位結(jié)構(gòu)是否會(huì)影響最終形成的Pt ASL活性位的局部結(jié)構(gòu)、進(jìn)而影響其催化活性仍需要進(jìn)行系統(tǒng)的研究。

研究目標(biāo)

原子尺度金屬位點(diǎn)局部配位結(jié)構(gòu)的精確調(diào)控以及CO氧化反應(yīng)中活性位催化行為的揭示。

圖文精讀

通過(guò)初濕浸漬法制備了負(fù)載量為30 wt% CeO2的CeO2/Al2O3 (CA)載體,并通過(guò)H2還原處理來(lái)進(jìn)行缺陷富集。使用最佳條件制備的缺陷富集的CA載體可命名為CA-HD(HD表示“高密度”缺陷)。如Figure 1A-1B中的AC-STEM電鏡照片所示,在CA和CA-HD載體上成功制備了具有0.25 wt% Pt的Pt單原子(Pt1)催化劑,這些Pt1催化劑分別命名為Pt1/CA和Pt1/CA-e(-e表示CA-HD上“嵌入”的Pt物種)。

In situ DRIFTS of CO adsorption結(jié)果發(fā)現(xiàn)CO線性吸附于Pt1/CA和Pt1/CA-e上的Pt1位點(diǎn)(Figure 1C),且表現(xiàn)出不同的吸附波數(shù)(2096 cm-1和2092 cm-1)。XANES結(jié)果(Figure 1D)表明Pt1/CA和Pt1/CA-e中的Pt物種處于更接近于PtO2中的氧化狀態(tài),EXAFS結(jié)果證實(shí)Pt1/CA和Pt1/CA-e中不存在Pt-Pt金屬鍵或Pt-O-Pt鍵,只有歸屬于Pt1結(jié)構(gòu)的Pt-O和Pt-O-Ce(Figure 1E)。

這些結(jié)果清楚地表明,Pt物種在Pt1/CA和Pt1/CA-e催化劑中均以單原子形式存在,但具有不同的局部配位環(huán)境。

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Figure 1. Structural characterization of Pt SACs. (A, B) High-angle annular dark field (HAADF) aberration-correction scanning transmission electron microscopy (AC-STEM) images and (C) in situ diffuse reflectance infrared Fourier transform spectroscopy (DRIFTS) of CO adsorption on Pt1/CA and Pt1/CA-e catalysts; (D) normalized Pt L3-edge X-ray absorption near edge structure (XANES) and (E) Fourier-transformed k2 - weighted extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) oscillations in R space for the Pt L3-edge in Pt1/CA and Pt1/CA-e catalysts (solid line: experimental data; dotted line: fitted data).

Figure 2A-2B顯示了Pt1/CA和Pt1/CA-e催化劑上CO吸附隨時(shí)間變化的情況。當(dāng)室溫下暴露于CO氣氛中時(shí),在Pt1/CA上觀察到2096和2120 cm-1波段的吸附峰逐漸增強(qiáng),說(shuō)明CO可同時(shí)以化學(xué)吸附和物理吸附的狀態(tài)持續(xù)吸附于Pt1位點(diǎn)。不同的是,在Pt1/CA-e上觀察到,只有當(dāng)Pt1位點(diǎn)上物理吸附的CO (2120 cm-1) 達(dá)到飽和狀態(tài)后,2092 cm-1處的化學(xué)吸附峰才逐漸出現(xiàn),表明嵌入的Pt1位點(diǎn)上CO的化學(xué)吸附可能只有當(dāng)Pt1位點(diǎn)被物理吸附的CO改變后才會(huì)發(fā)生。為了進(jìn)一步證實(shí)這一猜測(cè),我們對(duì)這一過(guò)程進(jìn)行了DFT模擬計(jì)算。

Figure 2C所示,當(dāng)Pt1附近沒(méi)有額外的氧空位時(shí),在嵌入的Pt1(O)4結(jié)構(gòu)上只能實(shí)現(xiàn)CO物理吸附(Eads = -0.34 eV);一旦嵌入的Pt1(O)4結(jié)構(gòu)中的氧被物理吸附的CO還原去除(ΔE = 0 eV,Ea = 1.15 eV),較強(qiáng)的CO化學(xué)吸附(Eads = -1.99 eV)則會(huì)在該P(yáng)t1上發(fā)生。

由于在CO化學(xué)吸附后兩個(gè)Pt1-O鍵很容易發(fā)生斷裂,因此該狀態(tài)下Pt1與載體鍵合較弱并容易發(fā)生擴(kuò)散(形成Figure 2C中的結(jié)構(gòu)iv)。隨著Pt1(CO)結(jié)構(gòu)和附近表面氧原子的有利擴(kuò)散,最終會(huì)形成穩(wěn)定的帶有表面氧空位(Ov)的Pt1(O)3(CO)結(jié)構(gòu)(即Figure 2C中的結(jié)構(gòu)vi)。

在該結(jié)構(gòu)上計(jì)算得到的CO吸附波數(shù)為2091 cm-1,與實(shí)驗(yàn)測(cè)量(2092 cm-1)和文獻(xiàn)報(bào)道的結(jié)果一致。因此,通過(guò)多種表征方法和DFT計(jì)算證實(shí),Pt1/CA和Pt1/CA-e催化劑上的Pt1物種的確具有不同的局部配位環(huán)境,它們分別是CeO2 (100)表面上吸附的Pt1(O)4結(jié)構(gòu)以及表面缺陷富集的CeO2 (100)表面上嵌入的Pt1(O)4結(jié)構(gòu)。

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Figure 2. Time-resolved CO adsorption and theoretical calculations of Pt1 structures after CO adsorption. In situ DRIFTS of CO adsorption as a function of exposure time in CO flow on (A) Pt1/CA and (B) Pt1/CA-e; as well as (C) simulated structure evolution process of Pt1 within Pt1/CA-e catalyst during CO adsorption. Color code: Ce (yellow), O (red), Pt (blue).

通過(guò)精細(xì)調(diào)控H2還原條件,以Pt1/CA和Pt1/CA-e作為前驅(qū)體在CA和CA-HD載體上成功構(gòu)筑了對(duì)CO氧化最具活性的Pt位點(diǎn)。通過(guò)AC-STEM技術(shù)對(duì)兩個(gè)催化劑表征發(fā)現(xiàn),最活性的Pt位點(diǎn)是在CeO2 (020)上負(fù)載的具有100% Pt原子分散的Pt原子單層結(jié)構(gòu)(PtASL)(Figure 3A-U)。

從Pt1/CA活化獲得的催化劑上(命名為PtASL/CA)觀察到,具有Pt-Pt間距(dPt-Pt)大約為2.8 ?的PtASL結(jié)構(gòu)吸附于CeO2表面(Figure 3I,J),未發(fā)現(xiàn)PtASL和CeO2之間存在明顯的晶格匹配關(guān)系。對(duì)于由Pt1/CA-e活化獲得的催化劑(命名為PtASL/CA-e),不同于PtASL/CA催化劑,發(fā)現(xiàn)dPt-Pt為2.6 ?的PtASL結(jié)構(gòu)以取代Ce原子的形式嵌入于CeO2表面晶格(Figure 3T,U),并與CeO2之間具有完美的晶面匹配關(guān)系。

Figure 3V,W所示,在PtASL結(jié)構(gòu)上清楚地觀察到線性(2078和2076 cm-1)和橋式(1841和 1840 cm-1)吸附的CO物種。以上結(jié)果表明,Pt1在CA和CA-HD上不同的局部配位結(jié)構(gòu)決定了還原活化過(guò)程中不同的Pt1演化過(guò)程。

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Figure 3. Structural characterization of Pt atomic single-layer catalysts. HAADF AC-STEM images and EDS mapping results (with scale bars as 2 nm) for (A-J) PtASL/CA and (K-U) PtASL/CA-e, and in situ DRIFTS of CO adsorption on (V) PtASL/CA and (W) PtASL/CA-e in CO flow at 25 oC (the models of PtASL/CA and PtASL/CA-e with adsorbed CO are shown as inserted in V and W).

Figure 4顯示了具有不同Pt結(jié)構(gòu)(吸附或嵌入型Pt1和PtASL)的Pt1/CA、Pt1/CA-e、PtASL/CA和PtASL/CA-e催化劑的CO氧化活性。如Figure 4A 所示,Pt1/CA表現(xiàn)出比Pt1/CA-e更高的催化CO氧化活性。活化后,具有PtASL結(jié)構(gòu)的PtASL/CA和PtASL/CA-e催化劑比其相應(yīng)的Pt1前驅(qū)體催化劑表現(xiàn)出更加優(yōu)異的CO氧化活性。

其中,PtASL/CA-e催化劑的CO氧化活性明顯優(yōu)于PtASL/CA催化劑,前者達(dá)到50% CO轉(zhuǎn)化率時(shí)的溫度遠(yuǎn)低于后者。在這些催化劑中,具有嵌入型PtASL結(jié)構(gòu)的PtASL/CA-e催化劑表現(xiàn)出最好的低溫CO氧化活性(Figure 4A)。此外,發(fā)現(xiàn)H2O的加入可明顯促進(jìn)PtASL/CA和PtASL/CA-e催化劑對(duì)CO催化氧化的活性(Figure 4B),在加入5% H2O的情況下,PtASL/CA-e催化劑仍然表現(xiàn)出比PtASL/CA高得多的CO氧化活性。

動(dòng)力學(xué)研究發(fā)現(xiàn),這些催化劑上CO氧化的表觀活化能(Eapp.)按Pt1/CA-e(77 ± 3 kJ/mol)>Pt1/CA(68 ± 3 kJ/mol)>PtASL/CA(50 ±2 kJ/mol)>PtASL/CA-e(43 ± 2 kJ/mol)的順序依次降低(Figure 4C),再次證實(shí)了CeO2上嵌入的PtASL結(jié)構(gòu)是所有Pt結(jié)構(gòu)中對(duì)CO氧化最為活潑的位點(diǎn)。

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Figure 4. Catalytic performance measurements. CO oxidation activity on (A) Pt/CA catalysts with different Pt structures and (B) PtASL/CA and PtASL/CA-e catalysts with H2O in feedstock, and (C) Arrhenius plots and apparent activation energy (Eapp.) values for CO oxidation on Pt/CA catalysts with different Pt structures. Reaction condition: Steady-state testing, [CO] = [O2] = 1%, [H2O] = 5% (if used), balanced with Ar, with WHSV of 200,000 mL·gcat-1·h-1.

為了確定催化劑中的活性氧物種,利用in situ DRIFTS耦合MS技術(shù)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)了CO與PtASL/CA和PtASL/CA-e催化劑上的氧物種在100 °C時(shí)的反應(yīng)狀況。如Figure 5A所示,與PtASL/CA上觀察到的前2分鐘內(nèi)較強(qiáng)的CO2生成峰相比,由于存在較少的表面氧物種,在PtASL/CA-e上觀察到了較低的CO2生成峰。

然而,一旦吸附型PtASL結(jié)構(gòu)中的表面氧物種被大量消耗,在PtASL/CA上CO2的生成就會(huì)急劇下降;不同的是,PtASL/CA-e開始表現(xiàn)出較低的CO2生成量,但隨著CO吸附時(shí)間的延長(zhǎng)(2分鐘以上),它上面CO2的生成量則明顯高于PtASL/CA。

這些結(jié)果表明,與嵌入型PtASL結(jié)構(gòu)相關(guān)的晶格氧比與吸附型PtASL結(jié)構(gòu)相關(guān)的晶格氧更具反應(yīng)活性。獨(dú)特的嵌入型PtASL結(jié)構(gòu)可以更有效地促進(jìn)CeO2中晶格氧的活化,這使得PtASL/CA-e催化劑表現(xiàn)更為優(yōu)異的CO氧化活性。如Figure 5B所示,PtASL/CA和PtASL/CA-e催化劑上CO吸附物種隨著時(shí)間逐漸累積,而Figure 5C則顯示了在100°C時(shí)PtASL/CA和PtASL/CA-e催化劑上不同Pt位點(diǎn)上CO吸附強(qiáng)度與CO2生成之間的關(guān)系。

在兩種催化劑上都觀察到,隨著CO2生成的減少PtASL位點(diǎn)上吸附的CO(2069 cm-1)逐漸增加,然而Pt1位點(diǎn)上的CO吸附(2086 cm-1)沒(méi)有明顯變化。這些結(jié)果表明,吸附在PtASL位點(diǎn)上的CO分子相對(duì)于吸附在Pt1位點(diǎn)上的CO分子更具反應(yīng)活性。

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Figure 5. Measurements on active oxygen species. Time-resolved (A) CO2 formation after exposure to continuous CO flow and (B) in situ DRIFTS of CO adsorption (in CO flow only), and (C) CO2 formation as a function of CO adsorption intensity resulting from the reaction between CO and oxygen species within PtASL/CA and PtASL/CA-e catalysts

為了進(jìn)一步解析PtASL/CA-e催化劑具有優(yōu)異CO氧化性能的原因,利用DFT計(jì)算對(duì)嵌入型PtASL結(jié)構(gòu)上的CO氧化反應(yīng)機(jī)理進(jìn)行了研究。如Figure 6所示,以被*CO完全覆蓋、帶有缺陷的嵌入型PtASL結(jié)構(gòu)(具有兩個(gè)表面Ov)作為起始結(jié)構(gòu)(結(jié)構(gòu)i),提出了詳細(xì)的CO氧化機(jī)制。

首先,氣相O2分子以-0.47 eV的吸附能占據(jù)表面氧空位(Ov)(結(jié)構(gòu)ii)。吸附的*O2隨后會(huì)激活界面上的O,使其Ov形成能從2.25 eV大幅降低到0.48 eV。相比之下,同一結(jié)構(gòu)(結(jié)構(gòu)ii)上Pt-O-Pt和Pt-O-Ce中O的Ov形成能分別為1.44和2.09 eV,因此推測(cè)參與CO氧化的O物種主要來(lái)自CeO2界面。

進(jìn)一步計(jì)算發(fā)現(xiàn),PtASL上吸附的*CO與該界面O反應(yīng)的活化能為0.62 eV(TS-1)。在釋放第一個(gè)CO2分子(結(jié)構(gòu)iii)后,CO吸附的Pt位點(diǎn)會(huì)伴隨著界面氧空位的形成而重新暴露。隨后,氣相CO分子以1.57 eV的放熱吸附于該P(yáng)t位點(diǎn)(結(jié)構(gòu)iv)。

此后,化學(xué)吸附的*O2被CeO2界面上的Ov激活,使其具有1.45 ?的O-O鍵長(zhǎng)(結(jié)構(gòu)iv),然后解離形成一個(gè)表面*O和一個(gè)界面*O(結(jié)構(gòu)v)。該O2解離步驟的活化能和反應(yīng)能分別計(jì)算為0.71和0.25 eV。一旦界面*O恢復(fù),*CO將和界面*O發(fā)生第二次CO氧化,其能壘計(jì)算為0.57 eV(TS-3)。

由于前一個(gè)*O2解離步驟有0.25 eV的吸熱,修正后的第二次CO氧化表觀活化能為0.82 eV。在CO2脫附后(結(jié)構(gòu)vi),氣相CO可再次吸附到暴露的Pt原子上(結(jié)構(gòu) vii)。最后,表面*O以0.44 eV的放熱遷移到界面Ov處(~0 eV能壘),實(shí)現(xiàn)催化劑再生。

在整個(gè)過(guò)程中可以發(fā)現(xiàn),PtASL/CA-e上催化CO氧化的決速步驟為O2分子的解離和第二次CO氧化(從結(jié)構(gòu)iv到vi),其表觀活化能為0.82 eV。進(jìn)一步詳細(xì)計(jì)算發(fā)現(xiàn),PtASL/CA-e上的CO氧化活化能遠(yuǎn)低于PtASL/CA上的活化能(0.82 eV比1.78 eV),因?yàn)镻tASL/CA-e催化劑比PtASL/CA催化劑在低溫CO氧化反應(yīng)中表現(xiàn)出了更為優(yōu)異的催化活性。

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Figure 6. Potential energy diagrams and configurations for the CO oxidation cycle on PtASL/CA-e catalyst. The CO oxidation proceeded on an embedded Pt atomic single-layer unit in PtASL/CA-e. The reaction energies and activation energies are indicated in eV in the potential energy diagram. Color code: Ce (yellow), O (red), Pt (blue), C (gray).

心得與展望

通過(guò)控制初始Pt單原子的配位環(huán)境和活化條件,本研究實(shí)現(xiàn)了具有不同配位環(huán)境的Pt單原子層的可控制備。基于可控制備的Pt結(jié)構(gòu),揭示了Pt/CeO2基催化劑上對(duì)CO催化氧化反應(yīng)最優(yōu)的Pt活性位點(diǎn)。下一步研究可擴(kuò)展到配位環(huán)境可控的Pt團(tuán)簇催化劑或其他金屬單原子層/團(tuán)簇催化劑的合成、深入表征以及在其他催化反應(yīng)中的應(yīng)用。







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:JACS:富缺陷CeO2嵌入Pt單原子層高效催化CO氧化

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    的頭像 發(fā)表于 11-26 16:57 ?191次閱讀
    <b class='flag-5'>PT</b>2022T6  <b class='flag-5'>單</b>觸控<b class='flag-5'>單</b>輸出觸摸 IC

    原子鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

    本文小編分享一篇文章,本文介紹的是原子鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用,本文介紹了原子鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用,并介紹了原子
    的頭像 發(fā)表于 10-15 15:21 ?402次閱讀
    <b class='flag-5'>原子</b><b class='flag-5'>層</b>鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

    可控硅如何控制交流電的通斷

    可控硅,全稱為可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier, SCR),是一種具有四個(gè)引腳的半導(dǎo)體器件,通常由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成三個(gè)PN結(jié),形成PNPN四
    的頭像 發(fā)表于 10-07 16:09 ?1081次閱讀

    解決方案丨持續(xù)注能人造太陽(yáng)裝置,助力我國(guó)可控核聚變技術(shù)研究

    可控核聚變技術(shù)和原理是氘氚原子聚變形成氦原子釋放大量的能量,該過(guò)程同太陽(yáng)的發(fā)光發(fā)熱過(guò)程一致,因此可控核聚變又稱為人造太陽(yáng)。因其具有資源無(wú)限、
    的頭像 發(fā)表于 08-28 18:20 ?369次閱讀
    解決方案丨持續(xù)注能人造太陽(yáng)裝置,助力我國(guó)<b class='flag-5'>可控</b>核聚變技術(shù)<b class='flag-5'>研究</b>

    可控硅如何控制輸出電壓

    可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)是一種四三端半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦裕S糜诮涣麟娐分羞M(jìn)行功率控制
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:35 ?1476次閱讀

    可控控制加熱是電壓還是電流

    可控控制加熱是一種利用可控硅元件對(duì)加熱設(shè)備進(jìn)行控制的技術(shù)。可控硅元件是一種半導(dǎo)體器件,具有
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:32 ?1362次閱讀

    可控硅過(guò)零觸發(fā)電路原理是什么

    的電路,具有控制精度高、響應(yīng)速度快、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)。 一、可控硅過(guò)零觸發(fā)電路的原理 可控硅的基本特性 可控硅是一種四
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:29 ?1341次閱讀

    可控硅觸發(fā)控制器工作原理是什么

    可控硅器件是一種具有單向?qū)щ娦缘陌雽?dǎo)體器件,其導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)可以通過(guò)控制信號(hào)進(jìn)行調(diào)節(jié)。可控硅器件主要由PNPN四半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成,包括陽(yáng)極
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:25 ?784次閱讀

    可控硅模塊工作原理 可控硅模塊型號(hào)含義

    可控硅模塊是一種用于控制交流電流的電子器件,可以將交流電轉(zhuǎn)化為可控的直流電。可控硅模塊設(shè)計(jì)用于在交流電路中控制大電流,用于各種應(yīng)用場(chǎng)合,如家
    的頭像 發(fā)表于 02-03 10:11 ?2378次閱讀

    可控硅的作用和工作原理 可控硅的觸發(fā)信號(hào)是電壓還是電流?

    可控硅作為一種半導(dǎo)體器件,具有能夠控制電流的能力。它可以作為一個(gè)電流開關(guān),通過(guò)控制器的信號(hào)來(lái)控制電流的通斷,從而實(shí)現(xiàn)電力電子設(shè)備的
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