據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，高性能時(shí)鐘器件供應(yīng)商Pearl Semiconductor近日發(fā)布了首款真正意義上的單芯片參考時(shí)鐘平臺(tái)。這項(xiàng)被稱為SingleDie的技術(shù)突破，將MEMS表面聲波（SAW）諧振器嵌入同一芯片上更大的CMOS集成電路中，實(shí)現(xiàn)了一種極低噪聲的片上參考時(shí)鐘平臺(tái)，適用于汽車和工業(yè)等各種惡劣環(huán)境中的一系列應(yīng)用。

Pearl Semiconductor開發(fā)的SingleDie技術(shù)是其與SilTerra（馬來(lái)西亞一家純代工服務(wù)公司）多年合作的成果。Pearl Semiconductor通過(guò)利用SilTerra的氮化鋁（AlN）壓電SAW MEMS技術(shù)（該技術(shù)可在CMOS上提供高性能集成），在其CMOS芯片上構(gòu)建MEMS諧振器。SilTerra擁有符合汽車IATF16949:2016標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)設(shè)施。

Pearl Semiconductor基于SilTerra的CMOS技術(shù)構(gòu)建了一種可編程和環(huán)境補(bǔ)償?shù)墓鑵⒖紩r(shí)鐘開發(fā)平臺(tái)，可實(shí)現(xiàn)低于400 fs的抖動(dòng)性能；頻率高達(dá)1 GHz；高抗沖擊和抗振性能；工作溫度高達(dá)125℃，穩(wěn)定性優(yōu)于15 ppm。

SilTerra首席商務(wù)辦公室（CBO）高級(jí)副總裁Arjun Kumar Kantimahanti表示：“Pearl Semiconductor的新方案帶來(lái)了一種非常強(qiáng)大的單芯片技術(shù)，定位于汽車和工業(yè)半導(dǎo)體時(shí)鐘解決方案不斷增長(zhǎng)的需求。展望未來(lái)，通過(guò)利用SilTerra的MEMS技術(shù)，我們相信Pearl能夠提供極具成本競(jìng)爭(zhēng)力的高性能解決方案，為指定市場(chǎng)提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。”

Pearl Semiconductor首席執(zhí)行官Ayman Ahmed表示：“這代表了時(shí)鐘解決方案新時(shí)代的開始，參考時(shí)鐘可以集成到同一芯片中，以實(shí)現(xiàn)更高的性能和更低的成本。與SilTerra合作為開發(fā)并優(yōu)化這項(xiàng)獨(dú)特的技術(shù)提供了寶貴的機(jī)遇。Pearl的SingleDie技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)變革，構(gòu)建全球首款實(shí)現(xiàn)高集成度和安全性的時(shí)鐘芯粒（chiplet）。”

2004年，Ayman Ahmed作為創(chuàng)始人之一創(chuàng)立了Si-Ware Systems公司，然后發(fā)起了時(shí)鐘業(yè)務(wù)部，并于2020年拆分出來(lái)成立了Pearl Semiconductor。

這一突破為時(shí)鐘解決方案市場(chǎng)帶來(lái)了第一款真正的單芯片技術(shù)。傳統(tǒng)上，參考時(shí)鐘采用物理分離的諧振器構(gòu)建，需要兩個(gè)芯片或兩個(gè)組件，使供應(yīng)鏈變得更復(fù)雜，并限制了封裝的選擇空間。

利用Pearl Semiconductor的SingleDie技術(shù)，其MEMS SAW諧振器通過(guò)CMOS器件頂部的額外掩模層構(gòu)建，占位面積更小，確保零熱延遲，并降低了材料成本。

目前，該技術(shù)已經(jīng)在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的陶瓷封裝中得到了驗(yàn)證，其未來(lái)的路線圖上還有更小的塑料封裝，將成為全球第一款高性能單芯片可編程參考時(shí)鐘芯粒（chiplet）。

市場(chǎng)研究顯示，芯粒（chiplet）將成為很多應(yīng)用開發(fā)下一代汽車平臺(tái)和電子產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建模塊。在硬件低成本定制化需求的推動(dòng)下，到2031年全球芯粒市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年41%的速度增長(zhǎng)，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至472億美元。

審核編輯：劉清