2015 年,Qorvo 率先發布了 150nm GaN 節點(業界第一款),并在過去 7 年里成為 20-40 Ghz 頻率范圍的技術領導者。在把工藝往 90nm 推進之后,Qorvo 將能夠支持 Ka 頻段以上的應用。在某些情況下,還可以通過高速節點提高 Ka 頻段及 Ka 以下頻段應用的性能。
根據規劃,先進節點的GaN能夠用于多個領域的應用,包括雷達、通信以及通過 W 頻段(基本上達到 100 GHz)實現某些目的。其中很多應用以現有的 GaN 節點是無法妥善解決的。類似頻率范圍的商業應用也是如此。
Qorvo 在提供 5G 和其他商用產品方面堪稱領軍者,開發這些產品需要對當今的市場需求以及滿足這些需求所需的先進 GaN 節點和先進互連系統有敏銳的了解。作為一個領先的商業供應商,Qorvo 在利用晶圓數量來推動制造流程控制、促進工藝和可靠性成熟度以及降低整個 DIB 的成本方面,具有獨特的優勢。
與硅 (Si) 或砷化鎵 (GaAs) 相比,90nm GaN 節點晶體管支持更高的速度、更大的射頻范圍、更高的溫度穩健性、高功率穩健性、更小的尺寸以及更優的能效。與 GaAs 和硅相比,GaN 還可以在更高的電壓電平下工作。這意味著它可以達到遠高于 GaAs 或硅晶體管的功率水平。GaN 技術實現的更高功率水平讓每個通道都有更高的功率,使天線陣列能夠用更少的有源元件產生所需的輻射輸出功率,從而使陣列尺寸更小,在系統的其他方面也可以節約成本。
過去幾年里,圍繞 90nm GaN 節點進行了廣泛的研發論證。在商業應用中,幾十年來,該行業的帶寬需求一直在擴大,越來越多的數據以更高的速率傳輸。隨著帶寬的增加,對更高頻率的需求也在增加。GaN 使開發者能夠滿足這些不斷增長的需求。
從新興市場的角度來看,5G 和即將到來的 6G 預計將繼續推動 GaN 應用和創新的發展,部分原因是它們的高功率和高頻率需求。我們今天所熟悉的大部分通信都是建立在 GaN 等技術的基礎上。GaN 產品可提供所需的無線和有線通信,幫助我們實現衛星、電纜、雷達和蜂窩骨干網,滿足我們的高數據速率需求。它還提供了運行物聯網、即將面市的自動駕駛車輛以及航空應用所需的基礎設施。
由此可見,GaN 射頻的前景愈加光明。
原文標題:射頻領域,90nm GaN 前景可期
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條件設置:
邊界條件:周期邊界條件
預傾角:1°
方位角:90°
液晶參數:Δε=5Δn=0.139
光源:λ=633nm 水平線偏振光
器件結構(FFS型)
結果
不同位置在不同電壓下產生的相位延遲
施加
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