GPU市場的顯存選擇
比肩HBM2E的性能
結(jié)語
原文標(biāo)題:三星GDDR6W面世,直接對標(biāo)HBM2E的顯存
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三星否認(rèn)HBM3E通過英偉達(dá)測試傳聞
近期,有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過英偉達(dá)(NVIDIA)的HBM3E(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測試,并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程,以滿足市場對高性能存儲(chǔ)解決方案的迫切需求。然而,這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
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三星HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行,英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注
業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致
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