隨著厚度的不斷減薄，晶圓會變得更為脆弱，因此機械劃片的破片率大幅增加，而此階段晶圓價格昂貴，百分之幾的破片率就足以使利潤全無。另外，當成品晶圓覆蓋金屬薄層時，問題會變得更加復雜，金屬碎屑會包裹在金剛石刀刃上，使切割能力大下降，嚴重的會有造成破片、碎刀的后果崩邊現(xiàn)象會更明顯，尤其是交叉部分破損更為嚴重。當機械劃片遇到無法克服的困難時，人們自然想到用激光來劃片。今天__【科準測控】__小編就來介紹一下激光切割的優(yōu)勢以及紫外激光劃片與激光隱形劃片、微水刀激光的原理還有用途等，感興趣的朋友一起往下看吧！

一、激光切割的優(yōu)勢

激光劃片可進行橢圓等異形線型的劃切，也允許晶圓以更為合理的方式排列，可在同樣大的晶圓上排列更多的晶粒，使有效晶粒數(shù)量增加（見圖2-36）。對于六邊形等異形芯片，機械劃片難以處理，激光劃片可發(fā)揮其優(yōu)勢。不規(guī)則芯片拼版如圖2-37所示。

二、紫外激光劃片

1、原理與關鍵參數(shù)

與YAG和CO2激光通過熱效應來切割不同，紫外激光直接破壞被加工材料的化學鍵，從而達到切割目的，這是一個“冷”過程，熱影響區(qū)域小。另外，紫外激光的波長短、能量集中且切縫寬度小，因此在精密切割和微加工領域具有廣泛的應用。表2-7和表2-8分別給出了激光劃片設備的關鍵參數(shù)和工藝關鍵指標。

目前，激光劃片設備采用工業(yè)激光器，波長主要有 1064nm、532nm、355nm 三種，脈寬為ns（納秒）、ps（皮秒）和fs（飛秒）級。理論上，激光波長越短脈寬越短，加工熱效應越小，越有利于微細精密加工，但成本相對較高。

2、光斑直徑

光斑直徑是指光強降落到中心值的點所確定的范圍，這個范圍內(nèi)包含了光束能量的86.5%。在理想情況下，直徑范圍內(nèi)的激光可以實現(xiàn)切割。實際上，劃片寬度略大于光斑直徑。

在劃片時，聚焦后的光斑直徑當然是越小越好，這樣劃片所需的劃片槽尺寸就會越小。相應方法就是減小焦距。但是，減小聚焦鏡焦距的代價就是焦深會縮短，使得劃片厚度減少。因此，焦距的確定需要綜合考慮劃片的厚度和劃片槽的寬度。

3、功率

激光功率是影響劃片深度和劃片寬度的主要因素，在其他參數(shù)固定不變時，劃片寬度和劃片深度隨著激光功率的增加而增大，功率對劃片寬度和劃片深度的影響如圖2-38所示。這是因為，紫外激光雖然屬于“冷切割”，但還是存在一定的熱效應，熱量會積累在切割處。當激光功率一定時，晶圓受到照射的時間越長，獲得的能量就越多，燒蝕現(xiàn)象就越嚴重。

4、頻率

頻率會影響激光脈沖的峰值功率和平均功率，從而對劃片深度、劃片寬度和劃片質(zhì)量均產(chǎn)生影響。增大頻率，脈沖峰值功率會下降，但整體平均功率會上升，這相當于在劃片過程中提供了更高的能量，又避免了激光功率持續(xù)輸出產(chǎn)生的熱效應累積，給熱量的耗散預留了空間。

試驗表明，在其他參數(shù)不變的情況，頻率小于10kHz時，劃片聲音尖銳刺耳，劃片深度較淺，劃片寬度較寬頻率增大，劃片深度增加，劃片寬度減少。當頻率達到50kHz時，劃片深度最大當頻率繼續(xù)增大，劃片深度開始減小。這是由于，在較小的頻率下，雖然單個脈沖的峰值功率高，但是總體平均功率處于較低水平，雖然切割范圍大，但卻無法達到理想深度頻率增大以后，單個脈沖峰值功率有所下降，但是總體平均功率持續(xù)升高，到達臨界頻率時，可以得到較理想的劃片深度和較窄的劃片寬度再增大頻率，單個脈沖的峰值功率偏低，不足以對硅片進行“切割”，即使平均功率很高，劃片深度也趨于變小。

5、速度

劃片速度決定了激光聚焦在晶圓上劃片槽某一區(qū)域的時間，也就是決定了在某一區(qū)域內(nèi)輸入的劃片功率，因此會直接影響劃片深度和劃片寬度。值得一提的是，激光光斑對劃片槽區(qū)域硅材料切割線可以看成是一個又一個光斑切割微圓疊加而成的，較高的頻率和適當?shù)乃俣瓤梢缘玫街旅堋⒕鶆虻那懈詈圹E，速度太快或頻率不足則相鄰兩個切割微圓的圓心較遠，芯片切割邊緣呈巨齒狀，切割質(zhì)量下降。

綜上，劃片功率、頻率、速度等參數(shù)共同影響了劃片寬度、劃片深度、劃片質(zhì)量等劃片的關鍵指標。

三、激光隱形劃片

激光隱形劃片（Stealth Dicing，SD），是將激光聚焦在材料內(nèi)部，形成改質(zhì)層，然后通過裂片或擴膜的方式分離芯片，該技術應用于MEMS、存儲和邏輯器件的薄或超薄芯片，以及如CMOS、CCD的成像設備。激光劃片表面無粉塵污染，幾乎無材料損耗，加工效率高。實現(xiàn)激光隱形劃片的兩個條件∶材料對激光透明有足夠的脈沖能量產(chǎn)生多光子吸收。圖2-39給出了厚度為50μm、直徑為200mm的晶圓激光隱形劃片后效果。圖2-40和圖2-41給出了激光隱形劃片芯片及側(cè)截面的微觀形貌。

圖2-39 厚度為50μm、直徑為200mm

晶圓激光隱形劃片后效果

四、微水刀激光

在激光“冷切割”過程中，熱量的堆積也會引發(fā)硅片熔體的濺射，少許熔融的高溫小顆粒會以極高的速度從切割道中濺射出來，附著在切割道兩旁的晶圓表面上，在冷卻的過程中會和晶圓融為一體，污染晶圓表面，甚至引發(fā)短路。

有人提出微水刀激光這一解決措施，在激光劃片過程中提供微水柱沖刷晶圓表面，激光在微水柱中全反射，形成微水刀，切割晶圓，并利用微水柱帶走熱量，使高溫熔融的小顆粒在濺射到晶圓表面之前被冷卻并被帶走，或者直接令硅片冷卻使熔融體無法形成，其原理如圖2-42所示。

微水刀激光加工無熱影響區(qū)，不燒蝕晶圓，劃片道干凈，無熔渣、無毛刺、無熱應力、無機械應力、無污染，適合半導體電子、醫(yī)療、航天等高精密器件的切割加工。而且，微水刀激光劃片速度可以達到傳統(tǒng)的砂輪劃片速度的5倍以上。

但該技術難度大，相關的設備成熟度不高，作為易損件的噴嘴制作難度大，如果不能精確穩(wěn)定地控制微細水柱，飛濺的水滴會燒蝕芯片，從而影響成品率。此外，還要注意防護激光輻射!

科準測控W260推拉力測試機廣泛用于與LED封裝測試、IC半導體封裝測試、TO封裝測試、IGBT功率模塊封裝測試、光電子元器件封裝測試、大尺寸PCB測試、MINI面板測試、大尺寸樣品測試、汽車領域、航天航空領域、軍工產(chǎn)品測試、研究機構(gòu)的測試及各類院校的測試研究等應用。

好了，以上就是小編帶來的關于激光切割半導體晶圓的優(yōu)勢以及分類了，包含有紫外激光劃片、激光隱形劃片、微水刀激光三種，還描述其原理以及作用，希望能給大家?guī)韼椭￡P于半導體集成電路、半導體封裝、晶圓切割、推拉力機等如果您還有不明白的，歡迎給我們私信或留言，科準的技術團隊也會為您提供免費資料及解答！

審核編輯 黃昊宇