相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。本文主要介紹碳化硅產品的生產過程和應用方向。

碳化硅的生產過程

和其他功率半導體一樣，碳化硅MOSFET產業鏈包括長晶-襯底-外延-設計-制造-封裝環節。

① 長晶

長晶環節中，和單晶硅使用的提拉法工藝制備不同，碳化硅主要采用物理氣相輸運法（PVT，也稱為改良的Lely法或籽晶升華法），高溫化學氣相沉積法（HTCVD）作為補充。核心步驟大致分為：碳化硅固體原料；加熱后碳化硅固體變成氣體；氣體移動到籽晶表面；氣體在籽晶表面生長為晶體。

工藝的不同導致碳化硅長晶環節相比硅基而言主要有兩大劣勢：

● 生產難度大，良率較低。碳化硅氣相生長的溫度在2300℃以上，壓力350MPa，全程暗箱進行，易混入雜質，良率低于硅基，直徑越大，良率越低。

● 生長速度慢。PVT法生長非常緩慢，速度約為0.3-0.5mm/h，7天才能生長2cm，并且最高也僅能生長3-5cm，晶錠的直徑也多為4英寸、6英寸，而硅基72h即可生長至2-3m的高度，直徑多為6英寸、8英寸新投產能則多為12英寸。因此碳化硅的常稱之為晶錠，硅則成為晶棒。

② 襯底

長晶完成后，就進入襯底生產環節。經過定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、拋光（機械拋光）、超精密拋光（化學機械拋光），得到碳化硅襯底。襯底主要起到物理支撐、導熱和導電的作用。加工的難點在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化學性質穩定，因此傳統硅基加工的方式不適用于碳化硅襯底。

切割效果的好壞直接影響碳化硅產品的性能和利用效率（成本），因此要求翹曲度小、厚度均勻、低切損。目前4英寸、6英寸主要采用多線切割設備，將碳化硅晶體切割成厚度不超過1mm的薄片。

冷裂工藝

英飛凌曾在2018年收購SiltectraGmbH，后者開發了一種成為冷裂的創新工藝。相比傳統的多線切割工藝損失1/4，冷裂工藝只損失1/8的碳化硅材料。未來隨著碳化硅晶圓尺寸的加大，對材料利用率要求的提升，激光切片、冷分離等技術也將逐步得到應用。

③ 外延

由于碳化硅材料不能直接在襯底上制作功率器件，需額外在外延層上制造各種器件。因此襯底制作完成后，經過外延工藝在襯底上生長出特定的單晶薄膜，襯底晶片和外延薄膜合稱外延片。目前主要采用化學氣相沉積法（CVD）工藝制作。

④ 設計

襯底制作完成后，則進入產品設計階段。對于MOSFET而言，設計環節的重點是溝槽的設計，一方面要避免專利侵權（英飛凌、羅姆、意法半導體等均有專利布局），另外則是滿足可制造性和制造成本。

⑤ 晶圓制造

產品設計完成后便進入晶圓制造階段，工藝大體與硅基類似，主要為：

● 圖形化氧化膜，制作一層氧化硅（SiO2）薄膜，涂布光刻膠，經過勻膠、曝光、顯影等步驟形成光刻膠圖形，最后通過刻蝕工藝將圖形轉移到氧化膜上。

● 離子注入，將做好掩膜的碳化硅晶圓放入離子注入機，注入鋁（Al）離子以形成p型摻雜區，并退火以激活注入的鋁離子。移除氧化膜，在p型摻雜區的特定區域注入氮（N）離子以形成漏極和源極的n型導電區，退火以激活注入的氮離子。

● 制作柵極。在源極與漏極之間區域，采用高溫氧化工藝制作柵極氧化層，并沉積柵電極層，形成柵極（Gate）控制結構。

● 制作鈍化層。沉積一層絕緣特性良好的鈍化層，防止電極間擊穿。

● 制作漏極和源極。在鈍化層上開孔，并濺射金屬形成漏極和源極。

雖然工藝層面與硅基差別不大，但由于碳化硅材料的特性，離子注入和退火均需在高溫環境下進行（最高1600℃），高溫會影響材料本身的晶格結構，難度上升的同時也會影響良率。此外，對于MOSFET部件而言，柵氧的質量直接影響溝道的遷移率和柵極可靠性，由于碳化硅材料中同時存在有硅和碳兩種原子，因此需要特殊的柵介質生長方法。（還有一點便是碳化硅片是透明的，光刻階段位置對準也難于硅基）

晶圓制造完成后，將單個芯片切割成裸芯片后，即可根據用途進行封裝，分立器件常見的工藝為TO封裝。車載領域由于功率和散熱要求高，并且有時需要直接搭建橋式電路（半橋或者全橋，或直接和二極管一同封裝），因此常直接封裝成模塊或者系統。根據單個模塊封裝的芯片數量，常見的形式有1in1（博格華納）、6in1（英飛凌）等，部分企業采用單管并聯的方案。

和硅基不同，碳化硅模塊工作溫度較高，大約在200℃左右。傳統的軟釬焊料溫度熔點溫度較低，無法滿足溫度要求。所以碳化硅模塊常采用低溫銀燒結焊接工藝。模塊制作完成后便可應用至零部件系統中。

應用方向

車載領域，功率器件主要用在DCDC、OBC、電機逆變器、電動空調逆變器、無線充電等需要AC/DC快速轉換的部件中（DCDC中主要充當快速開關）。

（圖源：博格華納）

相比硅基材料，碳化硅材料擁有更高的臨界雪崩擊穿場強（3×106V/cm）、更好的導熱性能（49W/mK）和更寬的禁帶（3.26eV）。禁帶越寬，漏電流也就越小，效率也越高。導熱性能越好，則電流密度就越高。臨界雪崩擊穿場越強，則可以提升器件的耐壓性能。

因此在車載高壓領域，由碳化硅材料制備的MOSFET和SBD來替代現有的硅基IGBT和FRD的組合能有效提升功率和效率，尤其是在高頻應用場景中降低開關損耗。目前最有可能在電機逆變器中實現大規模應用，其次為OBC和DCDC。

在800V電壓平臺中，高頻的優勢使得企業更傾向選擇碳化硅MOSFET方案。因此目前800V電控大部分規劃碳化硅MOSFET。

平臺級別的規劃有現代E-GMP、通用奧特能（Ultium）-皮卡領域、保時捷PPE、路特斯EPA，除保時捷PPE平臺車型未明確搭載碳化硅MOSFET外（首款車型為硅基IGBT），其他車企平臺均采用碳化硅MOSFET方案。

800V車型規劃的話就更多了，長城沙龍品牌機甲龍、北汽極狐SHI版、理想汽車S01和W01、小鵬G9、寶馬NK1、長安阿維塔E11均表示將搭載800V平臺，此外比亞迪、嵐圖、廣汽埃安、奔馳、零跑、一汽紅旗、大眾等也表示800V技術在研。

從Tier1供應商800V訂單獲取的情況來看，博格華納、緯湃科技、ZF、聯合電子、匯川均宣布獲得800V電驅動訂單。

而在400V電壓平臺中，碳化硅MOSFET則主要處于高功率以及功率密度和高效率的考量。如現在已經量產的特斯拉Model3Y后電機，比亞迪漢后電機峰值功率200Kw左右（特斯拉202Kw、194Kw、220Kw，比亞迪180Kw），蔚來從ET7開始以及后續上市的ET5也將采用碳化硅MOSFET產品，峰值功率為240Kw（ET5為210Kw）。此外，從高效率角度來考慮部分企業也在探索輔驅用碳化硅MOSFET產品的可行性。

除電控產品外，部分企業在OBC和DCDC產品中也逐步采用碳化硅MOSFET產品，如欣銳科技已經在小三電（OBC產品）中采用該方案。

綜合來看，僅電控產品來看碳化硅MOSFET在800V平臺的應用確定性要強于400V平臺，而對于小三電產品中，當下最大的制約因素為材料成本，短期替代性不強。

審核編輯 ：李倩