作者:Jon Kraft and Steve Knoth
精密儀器儀表或射頻(RF)電路中的噪聲必須最小化,但由于這些系統(tǒng)的性質(zhì),降低噪聲會帶來許多挑戰(zhàn)。例如,這些系統(tǒng)通常必須在寬輸入電壓下工作,同時滿足嚴格的電磁干擾(EMI)和電磁兼容性(EMC)要求。此外,系統(tǒng)擠滿了電子設(shè)備,使其空間受限且對熱敏感。集成電路(IC)的復(fù)雜性日益增加,導(dǎo)致這些系統(tǒng)所需的電源電壓軌數(shù)量增加。生成所有這些電源軌,滿足上述要求,并保持整個系統(tǒng)的低噪聲可能令人生畏。
ADI公司為產(chǎn)生低噪聲電源提供了多種解決方案。這些解決方案中的大多數(shù)設(shè)計用于產(chǎn)生正電壓軌,用于產(chǎn)生負電壓的專用IC較少。當(dāng)負電壓需要為低噪聲器件供電時,例如RF放大器、開關(guān)和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(ADC和DAC),這可能特別有限。
在本系列文章的第1部分中,我們將介紹一種從正電源產(chǎn)生這種低噪聲負電源軌的新方法。它首先要大致了解負電源軌通常是如何產(chǎn)生的以及它們的使用位置。然后,在介紹交錯式反相電荷泵(IICP)拓撲之前,我們將討論標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵。IICP的輸入和輸出電壓紋波的簡短推導(dǎo)強調(diào)了其在低噪聲系統(tǒng)方面的獨特優(yōu)勢。
本系列的第2部分給出了使用ADI公司新型ADP5600實現(xiàn)IICP的實際示例。我們首先通過測量電壓紋波和輻射發(fā)射,將該器件與標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵進行比較。然后,我們使用第1部分中的公式來優(yōu)化IICP性能,并開發(fā)為低噪聲RF電路供電的完整解決方案。
傳統(tǒng)的負電壓產(chǎn)生方法
為了產(chǎn)生負電壓,通常采用以下兩種方法之一:使用電感式開關(guān)穩(wěn)壓器或使用電荷泵。電感開關(guān)使用電感器或變壓器產(chǎn)生負電壓。這些磁性轉(zhuǎn)換器拓撲的示例包括:反相降壓、反相降壓-升壓和 ?uk。在解決方案尺寸、成本、效率、噪聲產(chǎn)生和控制環(huán)路復(fù)雜性方面,每種方法都有其自身的優(yōu)缺點。1, 2通常,基于磁性元件的轉(zhuǎn)換器最適合需要更高輸出電流(> 100 mA)的情況。
對于需要小于100 mA輸出電流的應(yīng)用,電荷泵正負(反相)DC-DC轉(zhuǎn)換器可以非常小,并且由于不需要電感器或控制環(huán)路,因此具有低EMI。它們只需要通過開關(guān)在電容器之間移動電荷,將產(chǎn)生的電荷提供給輸出。
由于電荷泵不使用磁性元件(電感器或變壓器),因此它們的EMI通常低于電感開關(guān)拓撲。電感器往往比電容器大得多,非屏蔽電感器通過廣播輻射發(fā)射來充當(dāng)天線。相比之下,電荷泵中使用的電容產(chǎn)生的EMI不會比典型的數(shù)字輸出多。它們可以很容易地以短走線布線,以減少天線面積和電容耦合,從而降低EMI。
表1比較了基于電感的開關(guān)穩(wěn)壓器和開關(guān)電容反相拓撲。
特征 | 基于電感的開關(guān)穩(wěn)壓器 | 開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器 |
設(shè)計復(fù)雜性 | 中到高 | 低 |
成本 | 中到高 | 低至中度 |
噪聲 | 低至中度 | 低 |
效率 | 高 | 低至中度 |
熱管理 | 最好 | 中等到良好 |
輸出電流 | 高 | 低 |
需要磁性元件 | 是的 | 不 |
局限性 | 規(guī)模和復(fù)雜性 | V在/V外率 |
傳統(tǒng)反相電荷泵
傳統(tǒng)反相電荷泵的配置如圖1所示。
圖1.反相電荷泵原理圖。
輸出阻抗,R外,電荷泵定義為電荷泵機制從輸入到輸出的等效電阻。通過測量輸入輸出電壓差并除以負載電流得出:
其中 GAIN = –1 表示反相電荷泵。
或者,等效輸出電阻可以計算為開關(guān)頻率、開關(guān)電阻和反激電容尺寸的函數(shù),通常簡化為:
哪里
是四個開關(guān)電阻的總和。
四個開關(guān)中的每一個都以相同的頻率工作,fOSC,并且它們在切換周期 T 的一半內(nèi)處于打開狀態(tài),其中 T = 1/fOSC.根據(jù)開關(guān)周期的兩半,操作可以分為兩相,如圖2所示。
圖2.每個操作階段的反相電荷泵。
圖3.反相電荷泵的時序圖。
圖3給出了電荷泵工作各階段的電壓和電流。在階段 1 中,S1 和 S2 關(guān)閉,S3 和 S4 打開。這會將跨接電容器 (CFLY) 充電至 +V 電壓在.在第 2 階段,來自 C 的能量飛通過打開 S1 和 S2 并關(guān)閉 S3 和 S4 放電到輸出中。兩個不同的工作階段意味著不連續(xù)電流流入C飛從 V在,并且不連續(xù)電流從 C 流出飛成 C外.這會導(dǎo)致 C 上的電壓紋波在和 C外,可以計算:
求解輸出電壓紋波可得到:
同樣,輸入電壓紋波為:
公式4和公式5說明,對于標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵,電壓紋波是開關(guān)頻率和輸入(或輸出)電容的函數(shù)。更高的頻率和更高的電容在1:1的關(guān)系中減少了這種紋波。然而,增加頻率存在實際障礙:即增加芯片的電流消耗,從而降低效率。
同樣,成本和PCB面積通常會限制反相電荷泵的最大輸入和輸出電容。另請注意,反激電容在電荷泵的電壓紋波中起不到任何作用。
為了減少紋波,可以在電荷泵周圍構(gòu)建輸入和輸出濾波器,但這又增加了電荷泵的復(fù)雜性和輸出電阻。然而,這些問題可以通過對標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵逆變器的新改進來解決:交錯式反相電荷泵(IICP)。
交錯式反相電荷泵 (IICP)
相位交錯廣泛用于電感開關(guān)穩(wěn)壓器(即多相操作),以減少輸出電壓紋波。3理論上,以正好50%占空比交錯的兩相降壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生0 mV的輸出電壓紋波。當(dāng)然,穩(wěn)壓降壓轉(zhuǎn)換器的占空比隨輸入和輸出電壓而變化,因此只有當(dāng)V時才能實現(xiàn)50%的情況在= 2 V外.電荷泵通常正好以50%的占空比工作,因此考慮交錯式電荷泵逆變器很有趣。
當(dāng)芯片上需要非常低的電流負軌時,有時會在IC中使用交錯電荷泵,但目前還沒有商用專用的IICP負相DC-DC轉(zhuǎn)換器。IICP的結(jié)構(gòu)需要兩個電荷泵和兩個跨接電容器。第二個電荷泵與第一個電荷泵異相 180° 操作開關(guān)。讓我們看一下IICP的設(shè)置和輸出紋波,并重點介紹如何優(yōu)化其性能。設(shè)置如圖4所示,時序圖如圖5所示。
圖4.交錯式反相電荷泵。
圖5.交錯式反相電荷泵的時序圖。
在振蕩器的每一相中,其中一個跨接電容器連接到V在另一個連接到V外.乍一看,人們可能會認為增加第二個電容器只會將電壓紋波降低一半。但是,這是一種不準(zhǔn)確的過度簡化。事實上,輸入和輸出電壓紋波可能遠小于標(biāo)準(zhǔn)逆變器,因為電容器總是從輸入充電并向輸出放電。從IICP輸出電壓紋波的推導(dǎo)中可以更好地理解這一點。
IICP 輸出電壓紋波推導(dǎo)
由于IICP始終有一個跨接電容向輸出提供電流,因此可以簡化其輸出級,如圖6所示。
圖6.簡化的 IICP 輸出級。
此外,IICP的輸出電阻(如公式1中所定義)可由下式近似計算:
哪里
是開關(guān)電阻的總和。
將電流相加為 I負荷,我們到達:
其中 dt 等于開關(guān)周期的四分之一(T/4 或 1/(4 × fOSC)).輸出電壓紋波,?V外,是 dV外和 V中聯(lián)利(t) 是 C 兩端的電壓差飛.我們可以合理地假設(shè)輸出電壓紋波相對于跨接電容器電壓紋波很小。然后計算?V外,我們需要了解V中聯(lián)利從圖 6 中,請注意 I飛等于通過開關(guān)上兩個的電流。這些開關(guān)中的每一個都有 R 的電阻上.因此:
求解V的微分方程中聯(lián)利(t),必須知道至少一個初始條件。這種情況可以通過檢查圖 5 中的時序圖來發(fā)現(xiàn)。請注意,從 t = 0 到 t = T/4,兩個 C飛電容器向 I 提供電流負荷并收取 C外.然后,從 t = T/4 到 t = T/2,C飛和 C外有助于輸出負載電流。因此,在 t = T/4(類似地 t = 3/4 T)處,對 I 的貢獻負荷從 C外正好是 0。因此,此時此刻,我負荷等于 I飛和 V 的電壓中聯(lián)利由以下人員給出:
使用等式8和等式9,我們可以微分求解V中聯(lián)利(t):
查找 V 中的增量中聯(lián)利對于等式 7,取兩個點(例如,t = 0 和 t = T/4),并為每個點求解等式 10。結(jié)果簡化為:
結(jié)合等式11和等式7,求解?V外給:
公式12的影響最初可能并不明顯。首先通過考慮理想開關(guān)(R上= 0 Ω).這樣做會使第二項幾乎為零,只留下第一項。第一項與標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵紋波非常相似(公式4),但IICP的雙飛接電容使分母增加了2×。兩倍的電荷泵產(chǎn)生一半的紋波。這個結(jié)果與直覺是一致的。
然而,等式12的重要部分在于后半部分。注意第二項的減號,表示該部分降低了輸出電壓紋波。關(guān)注開關(guān)電阻(R上)和跨接電容器(CFLY)。在標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵中,這些術(shù)語在降低輸出電壓紋波方面沒有任何作用。但在IICP中,開關(guān)電阻的作用是平滑充電和放電電流。雙飛接電容器允許這種充電/放電動作不間斷地發(fā)生。
輸出電壓紋波確認
我們可以使用電路仿真來檢查公式12的精度以及用于推導(dǎo)公式12的假設(shè)的有效性。使用LTspice可以輕松實現(xiàn)這一點。該仿真的原理圖如圖7所示,該文件可供下載。?
對各種條件進行了比較,結(jié)果摘要見表2。
V在(五) |
我負荷(毫安) |
fOSC(千赫 |
C外(微法) |
C飛(微法) |
R上(Ω) |
V外紋波 (mV) | |
方程 | LTspice | ||||||
10 | 50 | 1000 | 4.7 | 2.2 | 2 | 0.038 | 0.038 |
5 | 100 | 1000 | 4.7 | 2.2 | 2 | 0.076 | 0.075 |
5 | 50 | 1000 | 1 | 1 | 2 | 0.393 | 0.390 |
5 | 50 | 1000 | 1 | 1 | 3 | 0.261 | 0.260 |
7.8 | 37 | 532 | 2.4 | 0.5 | 4 | 0.430 | 0.425 |
5 | 100 | 1000 | 10 | 2.2 | 3 | 0.024 | 0.024 |
5 | 50 | 200 | 4.7 | 1 | 10 | 0.418 | 0.415 |
12 | 50 | 500 | 10 | 1 | 10 | 0.031 | 0.033 |
12 | 20 | 500 | 4.7 | 1 | 3 | 0.089 | 0.089 |
表2顯示,公式12與仿真非常吻合,驗證了簡化方程時所做的假設(shè)。現(xiàn)在,我們可以使用該等式在 IICP 實現(xiàn)中進行權(quán)衡。
比較IICP和標(biāo)準(zhǔn)電荷泵之間的電壓紋波也很有啟發(fā)性。在本系列的第 2 部分中,我們將展示這些差異的臺架測試數(shù)據(jù)。但就目前而言,圖8中的LTspice模型可以說明輸出電壓紋波的差異。
圖7.LTspice中的交錯式反相電荷泵。
圖8.IICP與常規(guī)電荷泵的輸出電壓紋波:V在= 12 V, I負荷= 50 mA, C飛= 2.2 μF, C外= 4.7 μF, R上= 3 Ω.為了使比較與常規(guī)電荷泵公平,其R上減半,CFLY翻倍。
IICP 拓撲優(yōu)化
推導(dǎo)出IICP方程并證明其有效性后,有兩個主要結(jié)論:對于IICP,開關(guān)電阻(R上) 降低輸入和輸出電壓紋波,這是預(yù)期的結(jié)果。相反,在標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵中,開關(guān)電阻是完全不需要的,因為它增加了R外電荷泵,并且不會降低紋波電壓。事實上,我們可以通過放置一個與反激電容串聯(lián)的電阻來進一步增加開關(guān)電阻。這為我們提供了一個旋鈕來減少輸入和輸出電壓紋波,但代價是電荷泵電阻增加。我們將在本系列的第 2 部分中討論 IICP 的用例時進一步探討此旋鈕。
其次,跨接電容器的值及其與C的比率外,可以進行優(yōu)化以進一步優(yōu)化紋波。例如,在小型封裝中可能很難找到較大的輸出電容值,并且在較高電壓下電容會顯著降額。但是通過減少C外,然后增加 C飛,可以獲得相同的輸出電壓紋波,以獲得更可達到的電容值。例如,代替 C飛= 1 μF 和 C外= 10 μF,如果它們都設(shè)置為2.2 μF,則獲得幾乎相同的輸出電壓紋波。與10 μF/25 V電容相比,2.2 μF/25 V電容采用小型封裝更容易獲得。第 2 部分中的示例應(yīng)用程序?qū)Υ诉M行了探討。
結(jié)論
交錯式反相電荷泵拓撲的兩部分系列的第1部分到此結(jié)束。本部分介紹IICP拓撲背后的一般概念,包括輸入/輸出電壓紋波計算。通過推導(dǎo)控制輸入/輸出紋波的方程,可以深入了解如何優(yōu)化IICP解決方案的性能。
在本系列的第2部分中,我們將介紹ADP5600,這是一款適用于IICP拓撲的集成解決方案。我們測量其性能,并與標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵進行比較。最后,我們將所有這些結(jié)合在一起,為低噪聲相控陣波束成形解決方案提供動力。
審核編輯:郭婷
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