很多人了解IGBT，但不一定了解“死區(qū)時間”，什么是“死區(qū)時間”？“死區(qū)時間”是在IGBT的控制策略中加入所謂的“互鎖延時時間”。

這個設(shè)定的原因是由于IGBT并不是理想開關(guān)器件，其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴格一致的，如果兩端有電壓，將導(dǎo)致直流電源短路，損壞橋臂功率器件，稱之為“橋臂直通”。這種情況會導(dǎo)致器件在導(dǎo)通過程中產(chǎn)生不必要的額外損耗，甚至引起發(fā)熱失控，結(jié)果可能導(dǎo)致器件和整個逆變器被損壞。如下圖：

因此為了保證器件的可靠的運行，應(yīng)當避免橋臂直通，“死區(qū)時間”得以產(chǎn)生。這意味著其中一個IGBT要首先關(guān)斷，然后在死區(qū)時間結(jié)束時再開通另外一個IGBT，這樣，就能夠避免由開通時間和關(guān)斷時間不對稱造成的直通現(xiàn)象。

那需要如何控制“死區(qū)時間”呢？那我們就需要測量出IGBT的延遲時間，以及如何根據(jù)測量值正確地計算控制死區(qū)時間，一方面應(yīng)讓它滿足避免橋臂直通的要求，另一方面應(yīng)讓它盡可能地小，以確保電壓源逆變器能正常工作。
1.計算死區(qū)時間的方法
我們用下列公式計算控制死區(qū)時間：

其中，
td_off_max：關(guān)斷延遲時間。
td_on_min：開通延遲時間。
tpdd_max：驅(qū)動器傳輸延遲時間。
tpdd_min：驅(qū)動器傳輸延遲時間。
1.2：安全裕度。
在該公式中，項td_off_max-td_on_min為關(guān)斷延遲時間和開通延遲時間之差。這一項主要描述IGBT器件結(jié)合所用的門極電阻的特性。由于上升和下降時間通常比延遲時間短很多，這里就不考慮它們。另一項tpdd_max-tpdd_min為由驅(qū)動器決定的傳輸延遲時間之差（延遲時間不匹配）。該參數(shù)通常可在驅(qū)動器制造商提供的驅(qū)動器數(shù)據(jù)表中查找到。對于基于光耦合器的驅(qū)動器，該參數(shù)值通常很大。
有時可以用典型的數(shù)據(jù)表值乘以來自現(xiàn)場經(jīng)驗的安全系數(shù)來計算死區(qū)時間，但通常不夠準確。因為IGBT數(shù)據(jù)表只提供標準工況對應(yīng)的典型值，我們有必要獲得特殊驅(qū)動工況對應(yīng)的值。為此，必須進行一系列測量，以獲得合適的延遲時間值，然后計算死區(qū)時間。
2.2 開關(guān)及延遲時間定義
按以下方式定義IGBT的開關(guān)時間：
td_on：從Vge上升10%到Ic上升10%的時間。
tr：從10% Ic到90% Ic的時間。
td_off：從90% Vge到90% Ic的時間。
tf：從90% Ic到10% Ic的時間。
2.3 IGBT門極電阻及驅(qū)動器輸出阻抗的影響
門極電阻設(shè)置會顯著地影響開關(guān)延遲時間。一般來說，電阻越大則延遲時間越長。金譽半導(dǎo)體建議在實際應(yīng)用的專用門極電阻條件下測量延遲時間。典型的開關(guān)時間與門極電阻的關(guān)系圖如下圖所示：

開關(guān)時間與Rg在25°C時的關(guān)系圖

開關(guān)時間與Rg在125°C時的關(guān)系圖
所有試驗都是用FP40R12KT3模塊進行的，門極電壓為-15V/+15V，DC link電壓為600V，開關(guān)電流為標稱電流40A
2.4 其他參數(shù)對延遲時間的影響
除門極電阻值外，還有其它參數(shù)對延遲時間有顯著影響：
a集電極電流
b門極驅(qū)動供電電壓
2.4.1 開通延遲時間
為了估計這一影響，須進行一系列測量。先研究開通延遲時間與電流之間的關(guān)系。結(jié)果如下圖所示：

圖6 開通延遲時間與開關(guān)電流Ic的關(guān)系圖
所有試驗采用FP40R12KT3模塊，DC link電壓為600V，門極電阻根據(jù)數(shù)據(jù)表值選擇。
從以上結(jié)果中可以看出，集電極電流Ic發(fā)生變化時，開通延遲時間幾乎保持不變。-15V/+15V的門極電壓下的開通延遲時間，比0V/+15V的門極電壓條件下要長。但該變化很小，且考慮到額外的安全裕量，因此可以忽略不計。
2.4.2 關(guān)斷延遲時間
關(guān)斷延遲時間是計算死區(qū)時間時應(yīng)考慮的重要因素。因為該值幾乎完全決定終計算的死區(qū)時間是多長。所以我們將詳細地研究該延遲時間。
要想獲得關(guān)斷延遲時間，必須考慮到以下問題：
1. IGBT器件自身產(chǎn)生的開通延遲時間是多少？
2. 如果IGBT的閾值電壓為數(shù)據(jù)手冊中的值，那么關(guān)斷延遲時間是多少？（這個值反映了模塊間Vth允許的誤差）
3. 驅(qū)動器輸出電平對開關(guān)時間的影響？
4. 雙極晶體管輸出電平的驅(qū)動器有何影響？
考慮以上變量，我們使用FP40R12KT3和視為理想的驅(qū)動器在實驗室對關(guān)斷延遲時間進行了測試。測試條件為Vdc=600V，Rg=27?。測試結(jié)果如下圖所示：

關(guān)斷延遲時間與Ic在25°C時的關(guān)系圖關(guān)斷延遲時間與Ic在25°C時的關(guān)系圖

從測試結(jié)果可知，隨著開關(guān)電流Ic的減小，關(guān)斷延遲時間顯著增加。因此僅僅通過選定門極驅(qū)動電阻來簡單地計算死區(qū)時間是不夠的。在特定的驅(qū)動條件下測量延遲時間，然后再根據(jù)測量值來計算死區(qū)時間是一個更好且更的方法。通常情況下，通過測量1%常規(guī)電流條件下的延遲時間，足以計算需要的死區(qū)時間。
這里還應(yīng)考慮一個問題，即，采用0V/+15V的門極驅(qū)動電壓時，關(guān)斷延遲時間會增加，而且采用0V/+15V的驅(qū)動電壓時，驅(qū)動器輸出電平對開關(guān)時間的影響會更大。這意味著使用0V/+15V驅(qū)動電壓時，需要特別注意對驅(qū)動器的選擇。另外，集電極電流Ic較小時導(dǎo)致td_off增加的問題也需要考慮。
3. 如何減小死區(qū)時間
為了正確計算控制死區(qū)時間，應(yīng)當考慮以下驅(qū)動條件：
a給IGBT施加的門極電壓是多少？
b選擇的門極電阻值是多少？
c驅(qū)動器的輸出電平是什么類型？
基于這些條件，可以進行延遲時間的測試，然后通過測試結(jié)果，使用公式(1)計算控制死區(qū)時間。由于死區(qū)時間對逆變器的性能有著負面影響，死區(qū)時間需要減小到值。可以采用下列幾種方法：
-采用足夠大的驅(qū)動器來給IGBT門極提供峰值灌拉電流。
-使用負電壓來加速關(guān)斷。
-選擇快速傳遞信號的驅(qū)動器，比如使用基于無磁芯變壓器技術(shù)的驅(qū)動器會好于使用傳統(tǒng)光耦技術(shù)的驅(qū)動器。
-如果選用0V/15V的驅(qū)動電壓，那么應(yīng)該考慮使用獨立的Rgon/Ggoff電阻。
從2.3節(jié)顯示的測量結(jié)果中可以看出，Td_off與門極電阻值有很強的相關(guān)性。如果Rgoff減小，則td_off及死區(qū)時間都會減少。因此建議，在使用0V/15V的門極電壓時，Rgoff值應(yīng)減小至Rgon值的1/3。一種使用獨立的Rgon和Rgoff的電路如下所示：

門極電壓為0V/15V時建議使用的電路
R1的值應(yīng)滿足以下關(guān)系：
從公式中可以看出，要想讓R1為正值，Rgon必須大于2Rgint。但在一些模塊中，這個要求并不可能滿足。這種情況下，R1可以完全忽略。

審核編輯黃昊宇