前段集成工藝（FEOL）
鍺硅（SiGe）外延（p-MOS源漏）
自 32 nm節(jié)點(diǎn)以來(lái)，CMOS 器件結(jié)構(gòu)已從多晶硅柵（如硅氧化/多晶硅結(jié)構(gòu)）和非應(yīng)變?cè)绰┙Y(jié)構(gòu)演變到利用高k柵介質(zhì)/金屬柵 (high-k/ Metal-Gate, HKMG)和應(yīng)變硅源漏，如圖所示。
其制造工藝流程如下：首先形成補(bǔ)償側(cè)墻(Offset Spacer)，經(jīng)n+/p+輕摻雜源漏后，選擇性地進(jìn)行圖形化，在p型源漏區(qū)先進(jìn)行干法刻蝕，使其凹陷適當(dāng)?shù)纳疃?30~100nm)；然后采用濕法各向異性刻蝕形成“鉆石”形腔（Diamond Cavity，又稱“∑”形狀）；接著外延鍺硅(SiGe）形成p-MOS 的源漏，p型摻雜可由原位硼摻雜或硼離子注入和快速熱退火（RTA) 來(lái)形成。p型源漏的鉆石形鍺硅面向溝道的鄰近尖點(diǎn)(DiamondTip)，可有效地增強(qiáng)沿溝道方向的壓應(yīng)力，因此也增強(qiáng)了溝道空穴遷移率。
審核編輯 ：李倩
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
CMOS
+關(guān)注
關(guān)注
58文章
5722瀏覽量
235637 -
晶硅
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
48瀏覽量
22705
原文標(biāo)題：前段集成工藝（FEOL）- 6
文章出處：【微信號(hào)：Semi Connect，微信公眾號(hào)：Semi Connect】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
大馬士革銅互連工藝詳解
芯片制造可分為前段(FEOL)晶體管制造和后段(BEOL)金屬互連制造。后段工藝是制備導(dǎo)線將前段制造出的各個(gè)元器件串連起來(lái)連接各晶體管，并分配時(shí)鐘和其他信號(hào)，也為各種電子系統(tǒng)組件提供電
集成電路封裝基板工藝詳解(68頁(yè)P(yáng)PT）
共讀好書(shū)歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球，領(lǐng)取公眾號(hào)資料
原文標(biāo)題：集成電路封裝基板工藝詳解(68
集成電路封裝基板工藝詳解(68頁(yè)P(yáng)PT）
共讀好書(shū)歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球，領(lǐng)取公眾號(hào)資料
原文標(biāo)題：集成電路封裝基板工藝詳解(68
芯片封裝工藝集成工程師的必修課程指南
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片作為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心部件，其重要性日益凸顯。而芯片封裝工藝集成工程師作為芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵角色，需要掌握一系列復(fù)雜的課程知識(shí)，以確保芯片的性能、穩(wěn)定性和可靠性。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)闡述芯片封裝工藝
晶合集成28納米邏輯工藝通過(guò)驗(yàn)證
近日，晶合集成在新工藝研發(fā)領(lǐng)域取得了重要突破。在2024年第三季度，晶合集成成功通過(guò)了28納米邏輯芯片的功能性驗(yàn)證，并順利點(diǎn)亮了TV，標(biāo)志著其28納米制程技術(shù)又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
集成電路工藝學(xué)習(xí)之路：從零基礎(chǔ)到專業(yè)水平的蛻變
集成電路（IC）作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心，其制造工藝的復(fù)雜性和先進(jìn)性直接決定了電子產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。對(duì)于有志于進(jìn)入集成電路行業(yè)的學(xué)習(xí)者來(lái)說(shuō)，掌握一系列基礎(chǔ)知識(shí)是至關(guān)重要的。本文將從半導(dǎo)體物理與器件
WIP在硅基集成電路工藝中的核心地位
在硅基集成電路（IC）制造業(yè)的精密舞臺(tái)上，WIP（Wafer In Process）扮演著舉足輕重的角色。它指代那些正處于復(fù)雜制造工藝流程之中，已經(jīng)歷了部分處理階段但尚未完成全部生產(chǎn)環(huán)節(jié)的晶圓。這些晶圓如同生產(chǎn)線上的旅行者，穿梭于不同的
雙極型工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介
本章主要介紹了集成電路是如何從雙極型工藝技術(shù)一步一步發(fā)展到CMOS 工藝技術(shù)以及為了適應(yīng)不斷變化的應(yīng)用需求發(fā)展出特色工藝技術(shù)的。
SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下一代HBM
近日，SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作，計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM（高帶寬內(nèi)存）。在這項(xiàng)合作中，臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝（FEOL）和后續(xù)布線工藝（BEOL），確保基礎(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負(fù)責(zé)晶圓測(cè)試和HBM的堆疊工作
集成電路工藝大揭秘：四種關(guān)鍵技術(shù)一網(wǎng)打盡
集成電路（IC）是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件，它將成千上萬(wàn)的晶體管、電阻、電容等元件集成在一塊微小的硅片上，實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜電路功能的高度集成化。集成電路的制造涉及到多種精密
硅基光電子工藝中集成鍺探測(cè)器的工藝挑戰(zhàn)與解決方法簡(jiǎn)介
鍺（Ge）探測(cè)器是硅基光電子芯片中實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)化的核心器件。在硅基光電子芯片工藝中實(shí)現(xiàn)異質(zhì)單片集成高性能Ge探測(cè)器工藝，是光模塊等硅基光電子產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)小體積、低成本和易制造的優(yōu)先選擇。
前段制程FEOL—晶圓上的元件制程
此節(jié)以半導(dǎo)體的代表，CMOS-半導(dǎo)體為例，對(duì)前段制程FEOL進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此說(shuō)明將依照FEOL主要制程的剖面構(gòu)造模型，說(shuō)明非常詳細(xì)，但一開(kāi)始先掌握大概即可。
淺談半導(dǎo)體制造的前段制程與后段制程
前段制程包括：形成絕緣層、導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層等的“成膜”；以及在薄膜表面涂布光阻（感光性樹(shù)脂），并利用相片黃光微影技術(shù)長(zhǎng)出圖案的“黃光微影”。
東芝BiCD工藝集成電路硅單片TB67H450AFNG數(shù)據(jù)手冊(cè)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《東芝BiCD工藝集成電路硅單片TB67H450AFNG數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-20 11:23
?1次下載
MEMS和硅光集成工藝成果入選《2023年上海科技進(jìn)步報(bào)告》
近日，上海發(fā)布了《2023年上海科技進(jìn)步報(bào)告》，來(lái)自上海工研院的MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝模塊及90納米硅光集成工藝2項(xiàng)國(guó)際先進(jìn)水平技術(shù)成果入選。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論