QDR-IV 提供 QDR（四通道數據速率）SRAM 的最高 RTR（隨機事務速率），為高帶寬網絡、高性能計算和密集型數據處理應用提供高達 400Gbps 的數據傳輸。在這些更快的數據速率下，一個關鍵的挑戰是保持SRAM與高速FPGA和處理器等器件之間傳輸的數據的完整性。

一個好的解決方案是將SRAM（例如QDR-IV，QDR或DDR）放置在非常靠近PCB頂部的接口器件的位置。為了節省PCB面積并最大限度地減少數據總線上的感應PCB寄生噪聲，應將為QDR-IV SRAM數據總線驅動器供電的DC/DC穩壓器電路放置在附近。挑戰在于為密集的PCB上的穩壓器找到空間。

使用完整的 DC/DC 穩壓器以及采用板載電感器和 MOSFET 封裝在緊湊封裝中的一種解決方案。但是PCB頂部面積的稀缺性甚至會導致緊湊的解決方案不夠。如果DC/DC穩壓器解決方案的尺寸、高度和重量可以足夠小，則可以將其放置在PCB背面有可用空間的地方。

VTT， VDDQ， V裁判從 12V在采用微型超薄封裝

LTM4632 是一款完整的三路輸出降壓型 μModule 穩壓器，專為支持新型 QDR-IV 和較舊的 DDR RAM 所需的所有三個電壓軌而設計，采用 0.21g 微型超薄型 LGA 封裝 （6.25mm × 6.25mm × 1.82mm）。?

封裝中包括開關控制器、二分頻電路、功率 FET、電感器和支撐元件。其小尺寸和低外部元件數（低至一個電阻器和三個電容器）僅占用 0.5cm2（雙面）或 1 厘米2（單面），而其薄型可以安裝在PCB底部，以釋放頂部空間，以實現超緊湊的電路板設計。

LTM4632 采用一個 3.3V 至 15V 的輸入電壓運作，從而提供了 0.6V 至 2.5V 的精準輸出軌電壓。其兩個開關穩壓器輸出，V輸出1和 V輸出2，分別為 VDDQ 提供高達 3A 的電流和 VTT 總線端接軌的電流高達 ±3A。其第三個輸出為端接基準提供低噪聲緩沖 10mA 輸出 （VTTR） 跟蹤電壓。圖 1 示出了典型 DDR3 應用中的 LTM4632 電路，說明了其簡單的解決方案和少量組件。

圖1.典型 LTM4632 DDR3 應用

為更多SRAM模塊供電

LTM4632 的設計靈活性使其能夠支持廣泛的應用要求。例如，其 V德琴輸入允許 VTT 和 V裁判電源軌電壓設置為典型的 1/2 × VDDQ 電壓，或通過外部基準電壓對其他值進行編程。LTM4632 可配置為一個用于 VTT 的兩相單輸出軌，適用于需要超過 ±3A 終端電源軌電流的應用。這些特性使得 LTM4632 能夠支持許多不同 SRAM 的電壓要求，并增加對較大存儲器陣列的負載電流要求。

圖 2 示出了 LTM4632 的靈活性。LTM4632 的兩個開關穩壓器輸出采用多相均流配置連接，以便為更大的存儲器組提供高達 ±6A VTT。對于超過 6A 的 VDDQ，LTM4632 可與其他 μModule 穩壓器 （例如 LTM4630） 結合使用，以便為大型 SRAM 陣列提供高達 36A 的電流。效率和功率損耗如圖 3 所示，LTM4632 的熱性能如圖 4 所示。?

圖2.LTM4632 兩相單輸出 ±6A VTT 具 36A LTM4630 VDDQ 電源

圖3.LTM4632 效率和功率損耗。12V 輸入。（圖 2 設計）

圖4.LTM4632 熱性能。12V 輸入，3A（圖 2 設計）

具有快速瞬態響應的嚴格調節

LTM4632 獨特的受控導通時間電流模式架構和內部環路補償允許在很寬的工作條件和輸出電容范圍內實現具有良好環路穩定性的快速瞬變。其開關穩壓器輸出的電壓調節非常精確，在整個線路、負載和溫度范圍內保證最大總直流輸出電壓誤差低±1.5%。

圖 5 和圖 6 顯示了圖 2 電路的 LTM4632 VTT 軌的快速瞬態性能和嚴格的負載調節。

圖5.VTT 負載階躍：?3A 至 3A（圖 2 設計）

圖6.VTT 負載調整率（圖 2 設計）

結論

超薄型 LTM4632 為 DDR/QDR RAM 應用所需的所有三個電源軌提供了一個完整的高性能穩壓器解決方案。其廣泛的工作范圍、功能和緊湊的解決方案尺寸使其具有高度的靈活性和堅固性，并且能夠安裝在PCB頂部和背面最狹小的空間中。

審核編輯：郭婷