本應用筆記解釋了如何將MAX13030E–MAX13035E邏輯電平轉換器用作存儲卡電平轉換器。示例電路說明了這些器件的優勢。

圖1所示電路顯示了MAX13030E–MAX13035E邏輯電平轉換器IC如何轉換存儲卡信號的邏輯電平，同時保護信號免受高達±15kV HBM（人體模型）的ESD沖擊。例如，MAX13035E從任何存儲卡控制器（例如基帶處理器、應用處理器或多媒體處理器）獲取1.8V信號，并自動將其轉換為3.3V。該設備也可以執行反向過程。該電路可用于SD卡，MMC，Transflash（microSD），MiniSD，MemoryStick，MemoryStick PRO和類似的存儲卡。

圖1.用于存儲卡的邏輯電平轉換器電路。J2 所示的引腳排列用于 SD 卡。

這些器件采用專有架構，無需方向 （DIR） 或寫/讀 （W/R） 引腳來指示數據方向。這種方法有幾個好處。首先，MAX13035E系列器件的封裝尺寸在16焊球UCSP中減小到只有2mm×2mm，因為需要的信號更少。其次，基帶處理器上原本用于指示信號方向的I/O現在可以自由地用于其他用途。最后，在緊湊的布局中，必須少路由一個信號。

MAX13035E的專有架構還使用內部電流源，當輸入為高阻時，保證總線上的已知狀態。這種設計免除了增設外部上拉或下拉電阻的需要。每個通道均可互換，并與高達 50MHz （100Mbps） 的 CMOS 推挽信號或 200kHz （400kbps） 的漏極開路信號兼容。這種靈活性在連接MMC等存儲卡時特別有用，其中初始化模式可以在其中一條線路上使用漏極開路信號。

MAX13035E和MAX13030E系列器件中的其它器件均在V時關斷抄送

圖2.MAX13035E使用CLK_RET引腳將時鐘信號反饋給主機處理器。

MAX13015E系列的所有器件均具有高達±15kV （HBM）的擴展ESD保護，用于V上的所有I/O線路抄送側（卡側）。為保證全面的ESD保護，應使用一個1μF陶瓷電容旁路V。抄送.

圖1電路還給出了如何使用MAX3202E為CARD_DETECT和WRITE_PROTECT信號提供ESD保護。使用此電路時，強烈建議您使用 SD 卡連接器提供的CARD_DETECT，而不是 DAT3 上的上拉電阻。這是因為MAX13035E與卡檢測的上拉技術不兼容。

審核編輯：郭婷