MOS晶體管結(jié)構(gòu)與CMOS單元電路與版圖闡述
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
CMOS
+關(guān)注
關(guān)注
58文章
5718瀏覽量
235494 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9692瀏覽量
138178 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1271瀏覽量
93750 -
數(shù)字電路
+關(guān)注
關(guān)注
193文章
1605瀏覽量
80618 -
CMOS器件
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
71瀏覽量
11522
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
MOS晶體管
MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS
發(fā)表于 11-05 11:50
?3727次閱讀
晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊
的設(shè)計(jì)，運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管
發(fā)表于 11-20 09:41
晶體管的結(jié)構(gòu)特性
之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）
發(fā)表于 08-17 14:24
晶體管電路設(shè)計(jì)
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)
發(fā)表于 12-13 09:04
晶體管的代表形狀
晶體管以外，還制造集成多個(gè)晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個(gè)晶體管于一體的晶體管
發(fā)表于 04-10 06:20
MOS晶體管技術(shù)研究
簡要回顧MOS晶體管一些具有代表性的技術(shù)進(jìn)展，分析了其在將來超大規(guī)模集成電路（ULSI）應(yīng)用中的主要限制。從材料以及器件結(jié)構(gòu)兩個(gè)方向分別闡述
發(fā)表于 12-17 15:37
?54次下載
CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的
發(fā)表于 03-05 15:22
?3784次閱讀
增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思
增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上
發(fā)表于 03-05 15:34
?2448次閱讀
MOS晶體管的應(yīng)用
mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS
CMOS晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
CMOS晶體管，全稱為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組成部分，尤其在計(jì)算機(jī)處理器和集成電路制造中扮演著核心角色。
CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別
CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色，但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
CMOS晶體管的尺寸規(guī)則
CMOS晶體管尺寸規(guī)則是一個(gè)復(fù)雜且關(guān)鍵的設(shè)計(jì)領(lǐng)域，它涉及到多個(gè)方面的考量，包括晶體管的性能、功耗、面積利用率以及制造工藝等。以下將從CMOS晶體管
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論