LTC?3876 是一款完整的 DDR 電源解決方案，兼容 DDR1、DDR2、DDR3 和 DDR4 較低電壓標準。該 IC 包括 VDDQ和VTTDC/DC 控制器和精密線性VTT參考。差分輸出檢測放大器和精密內部基準相結合，提供精確的VDDQ供應。VTT控制器跟蹤精密VTTR線性基準，總誤差小于20mV。精密 VTTR 基準保持 1.2% 的調節精度，跟蹤 1/2 VDDQ過熱 （一個 ±50mA 基準負載）。

LTC3876 具有受控的導通時間、谷值電流模式控制，因而允許其接受一個 4.5V 至 38V 的寬輸入范圍，同時支持 VDDQ輸出范圍為 1.0V 至 2.5V 和VTT和 0.5V 至 1.25V 的 VTTR 輸出。其鎖相環 （PLL） 可同步至 200kHz 至 2MHz 之間的外部時鐘。它還具有電壓跟蹤軟啟動、PGOOD 和故障保護功能。

高效率、4.5V 至 14V 輸入、雙輸出 DDR 電源

圖 1 顯示了一個采用 4.5V 至 14V 輸入工作的 DDR3 電源。圖2顯示了非連續和強制連續工作模式的效率曲線。

圖1.1.5V VDDQ/20A 0.75V V電傳/10A DDR3 電源

圖2.圖1中的電路效率（VDDQ= 1.5V， f西 南部= 400kHz， L = 470nH）

負載釋放瞬態檢測

隨著輸出電壓的下降，開關穩壓器面臨的主要挑戰是限制V中的過沖外在負載釋放瞬態期間。LTC3876 采用 DTR 引腳來監視 ITH 電壓的第一導數，以檢測負載釋放瞬變。圖3顯示了該引腳如何用于瞬態檢測。

圖3.負載瞬態檢測DTR連接功能圖

兩個R伊特電阻器從 INTV 建立分壓器抄送至SGND，并將DTR引腳上的直流電壓（穩態負載或ITH電壓）偏置略高于INTV的一半抄送.對于給定的 CITH1，只要R，該分頻器就不會改變補償性能ITH1, 1ITH2等于通常用于傳統單電阻 OPTI-LOOP 補償的 RITH。?

分頻器設置 DTR 持續時間所需的 RC 時間常數。DTR靈敏度可以通過DTR和半INTV之間的直流偏置電壓差來調節抄送.只要具有直流負載電流的ITH紋波電壓不觸發DTR，該差值可以設置為低至100mV。如果負載瞬變足夠快，DTR電壓降至INTV的一半以下抄送，則檢測到負載釋放事件。底部柵極 （BG） 關斷，因此電感電流流過底部 MOSFET 中的體二極管。

請注意，DTR特性會在其體二極管導通下導致底部MOSFET的額外損耗。當負載頻繁且負載階躍較大時，底部FET溫度可能更高，這是一個重要的設計考慮因素。測試結果表明，當對輸出施加具有50%占空比和100kHz頻率的連續100%至50%負載階躍脈沖鏈時，溫度會升高20°C。

VTT參考 （VTTR）

線性 VTT基準電壓源 VTTR 專為大型 DDR 存儲器系統而設計，可為高達 ±50mA 的輸出負載提供卓越的精度和負載調整率。VTTR 是VTT的緩沖輸出電傳差分基準電阻分壓器。VTTR 是一種高輸出線性基準，可跟蹤VTT差分基準電阻分壓器，等于遠端檢測VDDQ電壓的一半。

將 VTTR 直接連接到 DDR 內存 VREF 輸入。輸入和輸出電源去耦對性能和精度都很重要。對于大多數典型應用，建議使用 2.2μF 輸出電容器。建議在VTTR輸出上使用不小于1μF且不超過47μF。VTTR 電源來自 VTTR VCC 引腳。典型推薦的輸入VTTRVCC RC去耦濾波器為2.2μF和1Ω。當VDDQSNS綁定到INT Vcc時，VTTR 線性基準輸出為 3 態，VTTR 成為基準輸入引腳，在多相應用中采用來自另一個 LTC3876 的電壓。

圖4.負載釋放比較

VTT供應

VTT電源基準在內部連接到 VTTR VTT的輸出電傳參考輸出。VTT電源工作在強制連續模式和軌道 VDDQ在啟動和正常運行時，與 MODE/PLLIN 設置無關。在啟動時，電源與VTT同步啟用DDQ供應。操作 V電傳強制連續模式下的電源可在啟動和所有操作條件下進行精確跟蹤。

結論

LTC?3876 是一款用于 DDR 存儲器電源的完整高效率和高精度解決方案。獨特的受控導通時間架構可實現極低的降壓比，同時保持快速、恒定的開關頻率。4.5V–38V 的寬輸入電壓范圍和 200kHz 至 2MHz 的可編程、可同步開關頻率為設計人員提供了優化系統所需的靈活性。