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ADI公司的RF前端系列支持緊湊型5G大規(guī)模MIMO網(wǎng)絡(luò)無線電

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:Bilge Bayrakci ? 2023-02-02 15:04 ? 次閱讀

大規(guī)模多輸入多輸出(M-MIMO)無線電在4G LTE蜂窩基站的后期部署中普及,特別是在密集的城市地區(qū),小型蜂窩有效地填補了蜂窩覆蓋空白,同時提高了數(shù)據(jù)速度服務(wù)。這種架構(gòu)的成功清楚地證明了它的價值。它有望成為新興5G網(wǎng)絡(luò)無線電的首選架構(gòu),因為所需的頻譜效率和傳輸可靠性特性是該架構(gòu)固有的。使5G成為現(xiàn)實的挑戰(zhàn)在于,設(shè)計人員必須大幅增加在多個頻段中運行的同步收發(fā)器通道的數(shù)量,同時將所有必要的硬件壓縮到與上一代設(shè)備一樣大或更小的外形尺寸中。

這樣做的含義是:

更多的信道意味著基站內(nèi)和周圍的射頻功率更集中,因此信道之間沒有相互干擾的隔離問題加劇了。

接收器前端組件必須具有改進的動態(tài)范圍性能,以便在存在高功率信號時保持魯棒性。

解決方案大小很重要。

熱管理必須通過增加電子設(shè)備和發(fā)射器的功率來解決。

在尋求更高的數(shù)據(jù)速率以支持各種無線服務(wù)和不同的傳輸方案的過程中,系統(tǒng)設(shè)計人員面臨著更高的電路復雜性,但必須滿足類似的尺寸、功耗和成本預算。在基站塔中添加更多收發(fā)器通道可產(chǎn)生更高的吞吐量,但以更高的RF功率水平利用每個通道對于將系統(tǒng)復雜性和成本保持在可接受的水平同樣重要。對于更高的RF功率,硬件設(shè)計人員在RF前端設(shè)計中沒有太多選擇,而是依賴于需要高偏置功率和復雜外圍電路的傳統(tǒng)解決方案,這使得實現(xiàn)設(shè)計目標更加困難。

ADI公司推出的一款集成式高功率開關(guān),內(nèi)置低噪聲放大器(LNA),采用多芯片模塊,用于時分雙工(TDD)系統(tǒng)。ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549系列涵蓋1.8 GHz至5.3 GHz的蜂窩頻段,專為M-MIMO天線接口而設(shè)計。該新系列器件在硅工藝中集成了高功率開關(guān),在砷化鎵工藝中集成了高性能低噪聲放大器,可提供高射頻功率處理能力以及高集成度,沒有任何妥協(xié),這意味著它是兩全其美的。

雙通道架構(gòu)

用于M-MIMO RF前端設(shè)計的ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549應(yīng)用框圖如圖1所示。該器件具有包含高功率開關(guān)的通道,后跟兩級LNA。在收發(fā)器的接收模式操作期間,開關(guān)將輸入信號路由到LNA輸入。在發(fā)射模式下,輸入被路由到50 Ω端接,以確保與天線接口正確匹配,并將LNA與天線的任何反射功率隔離開來。集成的雙通道架構(gòu)使設(shè)計人員能夠輕松擴展其MIMO,以超過傳統(tǒng)設(shè)備的8×8(8個發(fā)射器×8個接收器)配置的限制,達到16×16、32×32、64×64甚至更高。

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圖1.M-MIMO 射頻前端框圖

寬工作帶寬

每個器件的ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549增益特性及其各自的頻率覆蓋范圍如圖2所示。器件針對常用蜂窩頻段進行了優(yōu)化,并與同一設(shè)計中使用的其他調(diào)諧元件(如功率放大器濾波器)對齊。

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圖2.ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549增益特性

大功率保護開關(guān)

該器件集成了采用硅工藝設(shè)計的高功率開關(guān),無需任何外部元件即可產(chǎn)生偏置。該開關(guān)采用5 V單電源供電電流消耗僅為10 mA,可直接與標準數(shù)字微控制器接口,無需任何負電壓或電平轉(zhuǎn)換器。與使用基于PIN二極管的開關(guān)相比,硅開關(guān)可為用戶節(jié)省約80%的偏置功耗和90%的電路板面積。

該開關(guān)在連續(xù)運行時可處理 10 W 平均 RF 信號和 9 dB 峰均比 (PAR),并且在故障條件下可承受兩倍額定功率。ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549是市場上首款具有10 W功率處理能力的產(chǎn)品,非常適合高功率M-MIMO設(shè)計。如果可以從每個天線元件傳輸更多功率,則可以減少發(fā)射通道的數(shù)量,以便從基站獲得相同的RF功率。ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549架構(gòu)如圖3所示,兩個通道的高功率開關(guān)由同一器件引腳供電和控制。LNA的電源和控制信號是分開的。

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圖3.ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549電路架構(gòu)

低噪聲系數(shù)

兩級LNA采用GaAs工藝設(shè)計,由5 V單電源供電,不需要任何外部偏置三通電感。增益在整個頻率范圍內(nèi)具有平坦特性,在高增益和低增益模式下分別可編程為32 dB和16 dB。該器件還具有低功耗模式以節(jié)省偏置功耗,LNA可在發(fā)射操作期間斷電。該器件的噪聲系數(shù)為 1.45 dB,包括開關(guān)的插入損耗,非常適合高功率和低功耗 M-MIMO 系統(tǒng)。圖4顯示了ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549在指定頻段內(nèi)的噪聲系數(shù)性能。

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圖4.ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549噪聲系數(shù)

緊湊的尺寸,最少的外部元件集

除了電源引腳上的初級去耦電容和RF信號引腳上的隔直電容外,該器件不需要任何調(diào)諧或匹配元件。RF輸入和輸出匹配50 Ω。LNA在設(shè)計中集成了匹配電感和偏置電感。這減少了電感器等昂貴元件的物料清單,但也簡化了相鄰收發(fā)器之間通道間串擾的硬件設(shè)計。該器件采用 6 mm ×6 mm 表面貼裝封裝,帶有散熱增強型底部焊盤。該器件的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +105°C。 所有三個部件都組裝在相同的封裝中,并具有相同的引腳排列。它們可以在同一電路板上互換使用.該器件如圖5所示安裝在其評估板上。ADI公司可直接或通過其分銷商提供評估板。

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圖5.ADRF5545A/ADRF5547/ADRF5549評估板。

審核編輯:郭婷

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